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Buen precio Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS en línea
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oblea transparente sin impurificar elevada simulada de la pureza 4h-semi del carburo de silicio del grado de la investigación de la producción sic

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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4H-N carburo de silicio SiC sustrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Prime Grade Dummy Grade

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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-P en el eje 0°Utilizado para la fabricación de dispositivos de alta potencia

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Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser

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Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G

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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade

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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar

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Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo fuera del eje 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

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