Detalles del producto
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: ROHS
Número de modelo: Oblea de 6INCH GaAs
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: Película del ANIMAL DOMÉSTICO en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 500pcs/month
Uso: |
Electrónica de alta potencia |
método: |
CZ |
Tamaño: |
2inch~6inch |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
FE-dopado |
MOQ: |
10pcs |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
Uso: |
Electrónica de alta potencia |
método: |
CZ |
Tamaño: |
2inch~6inch |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
FE-dopado |
MOQ: |
10pcs |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
10x15m m 100 orientación del substrato 100 de Gao del óxido del galio de la orientación con el FE doparon
orientación del substrato 100 de Gao del óxido del galio de 10x15m m
estructura del monoclinal del substrato del óxido del galio de 10x10m m
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El substrato de Gao refiere a un substrato hecho del óxido del galio (Gao), que es un material ancho-bandgap del semiconductor con muchos usos potenciales en electrónica, optoelectrónica, y dispositivos de poder. Los substratos de Gao se utilizan típicamente como plataforma para crecer las películas finas de otros materiales, tales como nitruro del galio (GaN) o óxido de aluminio del galio (AlGaN), que se utilizan en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento.
Los substratos de Gao ofrecen varias ventajas sobre otros materiales del substrato, tales como zafiro y carburo de silicio. Por ejemplo, Gao tiene una conductividad termal más alta que el zafiro, que permite una mejor disipación de calor en usos de alta potencia. Además, Gao tiene una constante dieléctrica más alta que el carburo de silicio, que puede mejorar el funcionamiento de circuitos integrados.
Sin embargo, los substratos de Gao siguen siendo relativamente nuevos y costosos comparados a otros materiales del substrato, que ha limitado su adopción extensa en la industria. Sin embargo, se espera que las actividades en curso de la investigación y desarrollo mejoren los procesos de producción y reduzcan el coste de los substratos de Gao, que podrían llevar a la adopción creciente en diversos usos.
Los substratos de Gao tienen una amplia gama de usos potenciales en electrónica, optoelectrónica, y dispositivos de poder. Algunos ejemplos de los usos donde se han utilizado o se han propuesto los substratos de Gao incluyen:
1. Electrónica de alta potencia: Los substratos de Gao se pueden utilizar como plataforma para crecer las películas de GaN y de AlGaN, que se utilizan en dispositivos electrónicos de alta potencia tales como amplificadores de potencia e interruptores de la radiofrecuencia.
2. Diodos electroluminosos ULTRAVIOLETA (LED): Los substratos de Gao se pueden utilizar para crecer las películas de alta calidad de AlGaN, que se pueden utilizar para hacer el LED ULTRAVIOLETA para los usos tales como purificación y esterilización del agua.
3. Células solares: Los substratos de Gao se pueden utilizar para crecer las películas finas del selénido de cobre del galio del indio (CIGS) y de otros materiales usados en células solares. La alta conductividad termal de Gao puede ayudar a mejorar la eficacia de las células solares disipando calor más con eficacia.
4. Electrónica de poder: Los substratos de Gao se pueden utilizar como plataforma para las películas de óxido crecientes del galio, que se utilizan en dispositivos de la electrónica de poder tales como interruptores e inversores.
5. Optoelectrónica: Los substratos de Gao se pueden utilizar para crecer las películas de alta calidad de los diversos materiales usados en dispositivos optoelectrónicos, tales como LED, lasers, y fotodetectores.
Éstos son apenas algunos ejemplos de los usos potenciales de los substratos de Gao. A medida que la investigación y desarrollo en esta área continúa, es probable que emerjan los nuevos e innovadores usos.
| Orientación | 100 | 100 | 100 |
| Doping | UID | Magnesio | FE |
| parámetro eléctrico |
1×1017~3×1018cm-3 |
≥1010Ω·cm
|
≥1010Ω·cm
|
|
arco segundo |
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| densidad de dislocación | cm2s <1×105 | cm2s <1×105 | cm2s <1×105 |
SOBRE NUESTRO ZMKJ
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs-30pcs.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
