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Oblea del nitruro del galio

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2023-12-12 15:57:26
Porcelana 8INCH 12INCH 6INCH GaN-En-Si EPI-WAFERS para el uso del RF LED del poder fábrica

8INCH 12INCH 6INCH GaN-En-Si EPI-WAFERS para el uso del RF LED del poder
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8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de LED RF POWER Wafer epitaxial de GaN (EPI de GaN en silicio)ZMSH es un agente de GaN-on-Si obeliscos epitaxiales en Shanghia. ... Leer más
2023-12-12 15:44:05
Porcelana 10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio fábrica

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2025-02-06 09:58:17
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2024-09-10 15:33:00
Porcelana N-GaAs sustrato VCSEL epiwafer de 6 pulgadas orientación GaAs 100 111 longitud de onda 940nm para Gigabit Ethernet fábrica

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Sustrato de N-GaAs VCSEL epiwafer de 6 pulgadas con orientación GaAs de 100 a 111 nm y longitud de onda de 940 nm para Gigabit Ethernet Resumen del sustrato de N-GaAs VCSEL epiwafer ElOblea epi VCSEL con ... Leer más
2024-09-10 15:33:00
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2024-08-23 16:30:29
Porcelana 4 pulgadas GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pulgadas 8 pulgadas Dureza 9.0 Mohs para potencia RF LED fábrica

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2024-08-23 14:05:10
Porcelana 4&#039;&#039; 200nm AlScN en obleas de silicio SSP DSP Substrato epitaxial para dispositivos LED fábrica

4'' 200nm AlScN en obleas de silicio SSP DSP Substrato epitaxial para dispositivos LED
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Modelo AlScN de 4'' 200nm sobre sustratos epitaxiales de silicio SSP DSP para dispositivos LED Características: El nitruro de escándido de aluminio (AlScN) en silicio se refiere a la deposición de un AlScN ... Leer más
2024-02-05 13:17:55
Porcelana 4&#039; 6&#039; AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa fábrica

4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa
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4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa Descripción: El nitruro de aluminio en obleas de silicio es un nuevo tipo de material semiconductor que ofrece propiedades únicas... Leer más
2024-01-10 10:11:09
Porcelana GaN-EN-silicio de la oblea del nitruro del galio de 300m m para el poder LED micro fábrica

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8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para para la aplicación de micro-LED RF de potencia 8 pulgadas 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de energía Wafer ... Leer más
2023-12-12 16:15:06
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Sic substrato

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