Detalles del producto
Place of Origin: China
Nombre de la marca: ZMSH
Model Number: N-GaAs Substrate
Condiciones de pago y envío
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Material: |
Arsenuro de galio |
Tamaño: |
2 pulgadas |
El grosor: |
430um |
orientación: |
Se trata de una serie de medidas de control. |
El tipo: |
tipo de n |
Modo de cavidad Uniformidad: |
≤ el 1% |
Material: |
Arsenuro de galio |
Tamaño: |
2 pulgadas |
El grosor: |
430um |
orientación: |
Se trata de una serie de medidas de control. |
El tipo: |
tipo de n |
Modo de cavidad Uniformidad: |
≤ el 1% |
2 pulgadas de N-Arsenuro de Galio Substrato, N-GaAs VCSEL Epitaxial Wafer, semiconductor epitaxial wafer, 2 pulgadas de N-GaAs Substrato, GaAs de cristal único wafer 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de N-GaAs sustratos,con un contenido de dióxido de carbono superior o igual a 10%,, N-arsenuro de galio láser de oblea epitaxial
Características del sustrato de N-GaAs
- utilizar sustratos de GaAs para la fabricación
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- bandgap directo, emite luz de manera eficiente, utilizado en láseres.
- en el rango de longitud de onda de 0,7 μm a 0,9 μm, estructuras de pozo cuántico
- utilizando técnicas como MOCVD o MBE, grabado, metalización y embalaje para lograr la forma final del dispositivo
Descripción deSubstrato de N-GaAs
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
El sustrato de N-GaAs está compuesto por galio (Ga) y arsénico (As) y utiliza tecnología de dopaje de tipo n para aumentar la concentración de electrones libres.Mejorando así la conductividad y la movilidad de los electrones.
Este material tiene un ancho de banda de energía de aproximadamente 1,42 eV, que es adecuado para la emisión láser y tiene excelentes propiedades optoelectrónicas.
La estructura de VCSEL generalmente incluye múltiples pozos cuánticos y capas reflectoras, que se cultivan en el sustrato N-GaAs para formar una cavidad láser eficiente.
La capa de pozo cuántico es responsable de excitar y emitir láseres, mientras que el reflector mejora la eficiencia de salida del láser.
La excelente estabilidad térmica y las propiedades eléctricas del sustrato N-GaAs garantizan el alto rendimiento y la estabilidad del VCSEL, lo que lo hace funcionar bien en la transmisión de datos de alta velocidad.
Los VCSEL basados en sustratos de N-GaAs se utilizan ampliamente en campos como las comunicaciones de fibra óptica, las impresoras láser y los sensores.
Su alta eficiencia y bajo consumo de energía lo convierten en una parte importante de la tecnología de comunicación moderna.
Con la creciente demanda de transmisión de datos de alta velocidad, la tecnología VCSEL basada en sustrato N-GaAs se está convirtiendo gradualmente en una dirección importante para el desarrollo de la optoelectrónica.promover el progreso y la innovación de diversas aplicaciones.
Detalles del sustrato de N-GaAs
| Parámetro | VCSEL |
| el tipo de interés | 25G y 50G |
| longitud de onda | 850 nm |
| tamaño | 4 pulgadas / 6 pulgadas |
| Modo de cavidad Tolerancia | Dentro del ± 3% |
| Modo de cavidad Uniformidad | ≤ 1 por ciento |
| Nivel de dopaje Tolerancia | Dentro del ±30% |
| Nivel de dopaje Uniformidad | ≤ 10% |
| PL Uniformidad de la longitud de onda | Std.Dev es mejor que 2nm @ interior 140mm |
| Uniformidad del grosor | Mejor que ± 3% @interior 140 mm |
| Fracción mol x Tolerancia | Dentro de ± 0.03 |
| Fracción mol x Uniformidad | ≤ 003 |
Más muestras de N-GaAs Substrato
* Si usted tiene los requisitos personalizados, por favor no dude en contactar con nosotros.
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Preguntas frecuentes
1. P: ¿Qué pasa con el costo de los sustratos de N-GaAs en comparación con otrossustratos?
A: ¿Qué quieres decir?Sustratos de N-GaAsTienden a ser más caros que el siliciosustratosy algunos otros materiales semiconductores.
2P: ¿Qué hay de las perspectivas futuras deSustratos de N-GaAs?
A: Las perspectivas futuras deSustratos de N-GaAsson muy prometedoras.
