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Sic substrato

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Sic substrato

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Porcelana Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio fábrica

Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

Descripción general de las obleas SICOI Obleas SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio Categoría de característica Parámetros... Leer más
2025-08-14 11:19:19
Porcelana 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS fábrica

2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

Resumen de los sustratos 3C-SiC 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS El sustrato de carburo de silicio (3C-SiC) tipo 3C-N es un material ... Leer más
2025-08-14 11:19:17
Porcelana Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G fábrica

Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G

Descripción del producto de sustrato 3C-SiC Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G ZMSH se especializa en I+D y producción de materiales semiconductores de tercera generación, con más ... Leer más
2025-08-14 11:19:16
Porcelana Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal fábrica

Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal

Resumen Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal El polvo de carburo de silicio (SiC), como material principal para ... Leer más
2025-08-14 11:19:05
Porcelana Substrato SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR de grado óptico fábrica

Substrato SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR de grado óptico

6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI SiC Substrato Grado óptico 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI Tipo SiC Substrato para gafas AR Un revolucionario sustrato óptico de 4H-SiC diseñado específicamente para gafas AR... Leer más
2025-08-08 11:34:11
Porcelana Substrato SiC de 6 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR y dispositivos RF 5G fábrica

Substrato SiC de 6 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR y dispositivos RF 5G

6 pulgadas 4H-SEMI SiC Substrato Resumen Substrato SiC de tipo 4H-SEMI de 6 pulgadas para gafas AR El sustrato de carburo de silicio 4H-SEMI (4H-SiC) de 6 pulgadas es un material semiconductor de banda ancha ... Leer más
2025-08-08 11:34:11
Porcelana 4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia fábrica

4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia

El substrato de SiC 10×10 mm 4H-N Tipo de sustrato SiC 10 × 10 mm Wafer pequeño Forma y dimensiones personalizables La pequeña oblea SiC 10×10 es un producto semiconductor de alto rendimiento desarrollado sobre ... Leer más
2025-07-31 09:09:08
Porcelana Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande fábrica

Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande

Resumen del producto de una oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas Substrato epitaxial SiC de 8 pulgadas grado MOS grado primario grado 4H-N tipo gran diámetro Como un facilitador fundamental del avance de la ... Leer más
2025-07-28 15:29:25
Porcelana Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción fábrica

Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción

Wafers epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas - visión general 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Wafers SiC Epitaxial 4H-N grado de producción Perfil de la empresa: ... Leer más
2025-07-07 09:38:23
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