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Lente óptica sic cristalina transparente sin impurificar del carburo de silicio con la dureza 9,2

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Del grado 6inch de silicio del carburo substratos primeros SIMULADOS del grueso de la oblea 0.5m m 0.35m m DSP 4H-N/semi sic

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Wafer de carburo de silicio de 12 pulgadas de 300 mm SiC 4H-N Tipo Dummy Prime Grado de investigación Múltiples aplicaciones

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12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N Grado Dummy Rrime Grado Materiales semiconductores de alta dureza

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso

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Wafer de carburo de silicio Sic 6H-P Tipo fuera del eje 2.0° hacia la producción grado grado de investigación

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