Oblea de Carburo de Silicio de 4 pulgadas de diámetro x 350 µm, tipo 4H-N, grado P/R/D para MOSEFTs/SBD/JBS

Descripción del producto:

Oblea de carburo de silicio de 4 pulgadas x 350 µm ± 25 µm con un ángulo de corte de 4 grados ± 0.5° hacia el plano, dopada a conductividad tipo N. Al ser un semiconductor de tercera generación, juega un papel fundamental en la industria automotriz como inversor de tracción principal y para la conducción de motores de alta velocidad. Su alto bandgap le confiere una excelente tolerancia a alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura. A diferencia del silicio tradicional, nuestras obleas de SiC tipo 4H proporcionan un aumento crítico de 3 veces en la energía del bandgap y una resistencia de campo eléctrico de ruptura 10 veces mayor, lo que las convierte en el sustrato esencial para la próxima generación de electrónica de potencia.<1120>            

Características:

Excelencia de polimorfo: Estructura exclusivamente 4H-SiC para garantizar la máxima movilidad de electrones y conductividad térmica.

Integridad de la superficie: Acabado con un proceso de pulido químico-mecánico de última generación. Esto asegura una cara Si (0001) atómicamente plana, "lista para epitaxia" con una rugosidad sub-nanométrica (Ra < 0.2nm), eliminando el daño subsuperficial.Grado de producción: Optimizado para inversores de tracción de vehículos eléctricos e inversores solares en cadena. Presenta baja densidad de microporos (MPD) ≤ 0.2cm⁻² para garantizar altos rendimientos de dispositivos para MOSFETs de gran área.Grado de investigación: Soluciones rentables para I+D y pruebas de procesos, manteniendo la integridad estructural 4H con tolerancias de defectos ligeramente mayores.

Aplicaciones:Automoción y E-Movilidad: en inversores de tracción, los MOSFETs de SiC reemplazan a los IGBTs de silicio para convertir la CC de la batería en CA del motor con más del 99% de eficiencia.Energía renovable y redes inteligentes: El "guardián" de la eficiencia que puede operar a frecuencias más altas, lo que reduce el tamaño de componentes pasivos costosos como inductores de cobre y condensadores hasta en un 50%.En tracciones ferroviarias: los módulos de SiC permiten que las locomotoras y los trenes de alta velocidad (como el Shinkansen) sean un 30% más ligeros y significativamente más silenciosos.Aspectos destacados de la técnica de fabricación:Utilizamos un proceso PVT de alta estabilidad optimizado para la pureza del polimorfo 4H. Nuestro proceso de crecimiento presenta un mecanismo de 'bloqueo de defectos' que evita eficazmente que los BPD migren a la superficie epitaxial, garantizando una fiabilidad a largo plazo.Parámetros técnicos:

Material: Monocristal de SiCTamaño: 4 pulgadas x 350 µm ± 25 µmDiámetro: 4 pulgadas / 101.6 mm Tipo: 4H-N

Acabado de superficie: DSP, CMP/MP

Orientación de la superficie: 4° hacia ± 0.5°

Embalaje: En caja de cassette o contenedores individuales para obleasAplicación: Dispositivos de potencia, energía renovable, comunicación 5G                    

Personalización:

Ofrecemos versátiles adaptaciones geométricas. Podemos ajustar el grosor de la oblea y ofrecer varias orientaciones de corte, desde inclinaciones estándar de 4° hasta cortes axiales, para que coincidan con su receta de crecimiento epitaxial. También ofrecemos diferentes opciones de dopaje, ajustando los niveles de resistividad para soportar tanto la conductividad tipo N para módulos de potencia de vehículos eléctricos como estructuras semi-aislantes para aplicaciones de RF de alta frecuencia. Al ajustar nuestros ciclos de crecimiento, nos centramos en proporcionar la consistencia eléctrica requerida para dispositivos estables y de alto rendimiento.Preguntas frecuentes:

P: ¿Significa "Grado de Investigación" (Grado R) que la oblea está rota?

R: No. Una oblea de Grado R está físicamente intacta y estructuralmente es 4H-SiC. Sin embargo, típicamente tiene una mayor densidad de microporos o "picaduras" superficiales ligeramente mayores que el Grado Prime. Si bien no es fiable para la producción en masa de chips comerciales de alto voltaje, es una opción rentable para pruebas universitarias, ensayos de pulido o calibración de equipos donde no se requiere un rendimiento del 100% de los chips. P: ¿Por qué el carburo de silicio es mucho más caro que el silicio normal?

R: Principalmente se debe a lo difícil que es "cultivarlo" y "cortarlo". Mientras que los cristales de silicio se pueden cultivar en enormes lingotes de 12 pulgadas en un par de días, los cristales de SiC tardan casi dos semanas en crecer y resultan en tamaños mucho más pequeños. Dado que el SiC es casi tan duro como el diamante, cortarlo y pulirlo requiere herramientas especializadas y costosas con puntas de diamante y procesos de alta presión. Usted está pagando por un material que sobrevive a un calor y voltaje mucho mayores de lo que el silicio normal puede manejar.