Calidad Oblea del nitruro del galio & Oblea del zafiro fabricante

La tecnología de grabado húmedo de Vertical está lista para la producción en masa de micro-LED rojos de AlGaInP   La compañía de I + D Vertical, con sede en Estados Unidos, ha anunciado que su tecnología de grabado húmedo ahora está lista para la producción en masa de micro-LED rojos AlGaInP.Un obstáculo importante en la comercialización de pantallas micro-LED de alta resolución es reducir el tamaño de los chips LED manteniendo la eficiencia, siendo los micro-LED rojos particularmente susceptibles a caídas de eficiencia en comparación con sus homólogos azules y verdes.   La principal causa de esta reducción de la eficiencia son los defectos de las paredes laterales creados durante el grabado en seco de mesa a base de plasma.Por lo tanto, los esfuerzos se han centrado en gran medida en la mitigación de los daños a través de técnicas de grabación en seco como el tratamiento químico.Sin embargo, estos métodos ofrecen sólo una recuperación parcial y son menos eficaces para los pequeños chips necesarios para pantallas de alta resolución.donde los defectos de la pared lateral pueden penetrar profundamente en el chip, a veces excediendo su tamaño.   Debido a esto, la búsqueda de métodos de grabado "libres de defectos" ha estado en curso durante años.pero sus características isotrópicas pueden conducir a una subcotización indeseable, por lo que no es adecuado para el grabado de chips pequeños como micro-LED.   Sin embargo, Vertical, una empresa con sede en San Francisco especializada en tecnologías de LED y pantallas, ha hecho recientemente un gran avance.La empresa ha desarrollado un proceso de grabado químico húmedo libre de defectos para micro-LED rojos AlGaInP, dirigida específicamente a los desafíos del grabado sobre mesa.   El CEO Mike Yoo ha declarado que Vertical está preparado para escalar esta tecnología de grabado húmedo para la producción en masa,Aceleración de la adopción comercial de pantallas micro-LED para aplicaciones que van desde pantallas grandes hasta pantallas cercanas al ojo.     Comparando los defectos de las paredes laterales en el grabado húmedo y en seco   Para comprender mejor el impacto de los defectos de las paredes laterales, Vertical comparó los micro-LED rojos AlGaInP grabados húmedos y secos utilizando el análisis de catodoluminiscencia (CL).un haz de electrones genera pares de electrones-agujeros dentro de la superficie del micro-LEDPor el contrario, la recombinación no radiativa en las áreas dañadas conduce a poca o ninguna luminiscencia. Las imágenes y espectros de CL revelan un marcado contraste entre los dos métodos de grabado.con una superficie de emisión más de tres veces mayor que la de los LED grabados en seco, de acuerdo con Mike Yoo.   En particular, la profundidad de penetración del defecto de la pared lateral para los micro-LED grabados en seco es de alrededor de 7 μm, mientras que la profundidad para los micro-LED grabados en húmedo es casi inexistente, con menos de 0,2 μm.,Los resultados de este estudio sugieren que hay pocos, si es que hay alguno, micro-LEDs rojos con una superficie de mesa efectiva de sólo el 28 por ciento de los micro-LEDs rojos con una superficie de mesa seca.defectos de las paredes laterales presentes en los micro-LED rojos AlGaInP grabados en húmedo.         En ZMSH, puedes obtener más con nuestros productos de primera calidad ofrecemos obleas DFB con sustratos N-InP, con capas activas de InGaAlAs/InGaAsP, disponibles en 2, 4 y 6 pulgadasdiseñados específicamente para aplicaciones de sensores de gasAdemás, ofrecemos epiwafers InP FP de alta calidad con sustratos InP de tipo n/p, disponibles en 2, 3 y 4 pulgadas, con espesores que van desde 350 a 650 μm,ideal para aplicaciones de redes ópticasNuestros productos están diseñados para cumplir con los requisitos precisos de las tecnologías avanzadas, garantizando un rendimiento confiable y opciones de personalización.     Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas   Una oblea de retroalimentación distribuida (DFB) en un sustrato de fosfuro de indio (N-InP) de tipo n es un material crítico utilizado en la producción de diodos láser DFB de alto rendimiento.Estos láseres son esenciales para aplicaciones que requieren un solo modoLos láseres DFB suelen operar en los rangos de longitud de onda de 1,3 μm y 1,55 μm.que son óptimos para la comunicación de fibra óptica debido a la baja pérdida de transmisión en fibras ópticas.   (Clic en la imagen para más información)   InP FP epiwafer InP sustrato n/p tipo 2 3 4 pulgadas con espesor de 350-650um para trabajo de red óptica   El Epiwafer de Fosfuro de Índio (InP) es un material clave utilizado en dispositivos optoelectrónicos avanzados, particularmente en los diodos láser Fabry-Perot (FP).Los Epiwafers InP consisten en capas cultivadas epitaxialmente en un sustrato InP., diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en telecomunicaciones, centros de datos y tecnologías de detección. (Clic en la imagen para más información)        

  A medida que la demanda de alta eficiencia, alta potencia y alta temperatura electrónica continúa creciendo,la industria de semiconductores está buscando más allá de los materiales tradicionales como el silicio (Si) para satisfacer estas necesidadesUno de los materiales más prometedores que conducen a esta innovación es el carburo de silicio (SiC).cómo los semiconductores de SiC difieren de los tradicionales basados en silicio, y las ventajas significativas que ofrecen.     ¿Qué es una oblea SiC?     Una oblea de SiC es una rebanada delgada de carburo de silicio, un compuesto hecho de átomos de silicio y carbono.haciendo de él un material ideal para una variedad de aplicaciones electrónicasA diferencia de las obleas de silicio tradicionales,Ofras de SiCestán diseñadas para manejar condiciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia. Estas obleas sirven como sustrato para la fabricación de semiconductores SiC,que están ganando rápidamente popularidad en la electrónica de potencia y otras aplicaciones de alto rendimiento.         ¿Qué es un semiconductor SiC? Un semiconductor SiC es un componente electrónico fabricado con carburo de silicio como material base.   Los semiconductores son esenciales en la electrónica moderna, ya que permiten el control y la manipulación de las corrientes eléctricas.alta conductividad térmicaEstas características hacen que los semiconductores SiC sean ideales para su uso en dispositivos de potencia, como transistores de potencia, diodos y MOSFET, donde la eficiencia,confiabilidad, y el rendimiento son críticos.     ¿Cuál es la diferencia entre las obleas Si y SiC?     Mientras que las obleas de silicio (Si) han sido la columna vertebral de la industria de semiconductores durante décadas, las obleas de carburo de silicio (SiC) se están convirtiendo rápidamente en un cambio de juego para ciertas aplicaciones.Aquí hay una comparación detallada de los dos:   1.Propiedades materiales:   El silicio (Si): El silicio es un material semiconductor ampliamente utilizado debido a su abundante disponibilidad, tecnología de fabricación madura y buenas propiedades eléctricas.12 eV) limita su rendimiento en aplicaciones de alta temperatura y alta tensión. Carburo de silicio (SiC): SiC tiene un intervalo de banda mucho más amplio (alrededor de 3,26 eV), lo que le permite operar a temperaturas y voltajes mucho más altos que el silicio.Esto hace que el SiC sea una opción superior para aplicaciones que requieren una conversión de energía eficiente y una disipación de calor.   2.Conductividad térmica:   El silicio (Si): La conductividad térmica del silicio es moderada, lo que puede conducir a un sobrecalentamiento en aplicaciones de alta potencia a menos que se utilicen sistemas de enfriamiento extensos. Carburo de silicio (SiC)SiC tiene casi tres veces la conductividad térmica del silicio, lo que significa que puede disipar el calor mucho más eficazmente.hacer que los dispositivos SiC sean más compactos y confiables en condiciones extremas.   3.Fuerza de ruptura del campo eléctrico:   El silicio (Si): El campo eléctrico de descomposición del silicio es menor, lo que limita su capacidad para manejar operaciones de alto voltaje sin riesgo de descomposición. Carburo de silicio (SiC): La resistencia de ruptura del campo eléctrico del SiC es aproximadamente diez veces mayor que la del silicio. Esto permite que los dispositivos basados en SiC manejen voltajes mucho más altos, lo cual es crucial para la electrónica de potencia.   4.Eficiencia y pérdidas de energía:   El silicio (Si)Si bien los dispositivos de silicio son eficientes en condiciones estándar, su rendimiento disminuye significativamente en condiciones de alta frecuencia, alto voltaje y alta temperatura.que conduce a mayores pérdidas de energía. Carburo de silicio (SiC): Los semiconductores de SiC mantienen una alta eficiencia en una gama más amplia de condiciones, particularmente en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.Esto se traduce en menores pérdidas de energía y un mejor rendimiento general del sistema.     Características Oferta de silicona Ofras de carburo de silicio Energía de banda 1.12 eV 3.26 eV Conductividad térmica - 150 W/mK - 490 W/mK Fuerza de ruptura del campo eléctrico ~ 0,3 MV/cm ~3 MV/cm Temperatura máxima de funcionamiento Hasta 150 °C Hasta 600 °C Eficiencia energética Baja eficiencia a alta potencia y temperatura Mayor eficiencia a alta potencia y temperatura Costo de fabricación Costo más bajo debido a la tecnología madura Costo más alto debido a un proceso de fabricación más complejo Aplicaciones Electrónica general, circuitos integrados y microchips Electrónica de potencia, aplicaciones de alta frecuencia y alta temperatura Dureza del material Menos duro, más propenso al desgaste Muy duro, resistente al desgaste y al daño químico Disposición de calor Moderado, requiere sistemas de refrigeración para alta potencia Alto, reduce la necesidad de un enfriamiento extensivo       El futuro de la tecnología de semiconductores   La transición del silicio al carburo de silicio no es sólo una mejora gradual, es un salto significativo hacia adelante para la industria de semiconductores.energía renovable, y la automatización industrial exige una electrónica más robusta y eficiente, las ventajas del SiC son cada vez más claras.   Por ejemplo, en la industria automotriz,El aumento de los vehículos eléctricos (VE) ha creado una demanda de electrónica de potencia más eficiente que pueda manejar los requisitos de alta potencia de los motores EV y los sistemas de cargaLos semiconductores de SiC se están integrando ahora en inversores y cargadores para mejorar la eficiencia y reducir las pérdidas de energía, ampliando finalmente el rango de vehículos eléctricos. Del mismo modo, en las aplicaciones de energía renovable, como los inversores solares y las turbinas eólicas, los dispositivos SiC están ayudando a aumentar la eficiencia de conversión de energía, reducir los requisitos de refrigeración,y menores costes generales del sistemaEsto no sólo hace que la energía renovable sea más viable, sino también más rentable.       Conclusión La aparición de las obleas y semiconductores de SiC marca una nueva era en la electrónica, donde la mayor eficiencia, rendimiento y durabilidad son primordiales.y a medida que disminuyen los costos de producción de materiales SiC, podemos esperar ver una adopción aún más generalizada de esta tecnología en varias industrias. El carburo de silicio está listo para revolucionar la industria de semiconductores, proporcionando soluciones a los desafíos que el silicio tradicional simplemente no puede cumplir.Con sus propiedades superiores y su creciente base de aplicacionesEl SiC representa el futuro de la electrónica de alto rendimiento.     Recomendaciones relacionadas     8 pulgadas de Wafer SiC de carburo de silicio Wafer Prime Dummy de investigación grado 500um 350 Um ((clic en la imagen para más)   El carburo de silicio (SiC) encontró inicialmente un uso industrial como material abrasivo y más tarde ganó importancia en la tecnología LED.sus excepcionales propiedades físicas han llevado a su amplia adopción en varias aplicaciones de semiconductores en todas las industriasCon las limitaciones de la Ley de Moore acercándose, muchas compañías de semiconductores están recurriendo al SiC como el material del futuro debido a sus características de rendimiento sobresalientes.      

¿Qué es una oblea de zafiro? Una oblea de zafiro es un trozo delgado de zafiro cristalino, un material que es ampliamente conocido por su excepcional dureza y transparencia.es una forma cristalina de corindónLas obleas de zafiro se utilizan ampliamente en las industrias electrónicas y optoelectrónicas, especialmente en aplicaciones que requieren una durabilidad,material de sustrato de alto rendimiento.   Exposición de obleas de zafiro Oferta de zafiro¢ ficha de datos   Wafer de mandíbula (a medida)2 pulgadas de C-plano wafer de zafiro SSP/DSPOferta de zafiro de 3 pulgadas de plano C SSP/DSPOferta de zafiro de 4 pulgadas de plano C SSP/DSP6 pulgadas de C plano de zafiro wafer SSP / DSP Corte especialOferta de zafiro de plano A (1120)Oferta de zafiro de plano R (1102)Oferta de zafiro de plano M (1010)Wafer de zafiro de plano N (1123)Eje C con una desviación de 0,5° a 4°, hacia eje A o eje MOtras orientaciones personalizadas Tamaño personalizadoWafer de zafiro de 10*10 mmWafer de zafiro de 20*20 mmOferta de zafiro ultra delgada (100um)Wafer de zafiro de 8 pulgadas Substrato de zafiro con patrón (PSS)PSS de 2 pulgadas en plano CPSS de 4 pulgadas en plano C 2 pulgadas DSP C-Axis 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt SSP Eje C 0.2/0.43mm(DSP y SSP) Eje A/Eje M/Eje R 0.43mm 3 pulgadas DSP/SSP eje C 0,43 mm/0,5 mm 4 pulgadas el eje c de la línea dsp 0,4 mm/0,5 mm/1,0 mmssp el eje c de la línea dsp 0,5 mm/0,65 mm/1,0 mmt 6 pulgadas el eje c de la ssp 1,0 mm/1,3 mm y el eje c de la dsp 0,65 mm/0,8 mm/1,0 mm   Especificación de los sustratos   Orientación Planos R, C, A, M o con una orientación determinada Orientación Tolerancia ± 0,1° Diámetro 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 5 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras Tolerancia de diámetro 0.1mm para 2 pulgadas, 0.2mm para 3 pulgadas, 0.3mm para 4 pulgadas, 0.5mm para 6 pulgadas El grosor 0.08 mm,0.1 mm,0.175 mm,0.25 mm, 0,33 mm, 0,43 mm, 0,65 mm, 1 mm u otros; Tolerancia de espesor 5 μm Duración plana primaria 16.0±1.0mm para 2 pulgadas, 22.0±1.0mm para 3 pulgadas, 30.0±1.5mm para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 pulgadas Orientación plana primaria El punto de referencia de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección de la dirección. TTV ≤7μm para 2 pulgadas, ≤10μm para 3 pulgadas, ≤15μm para 4 pulgadas, ≤25μm para 6 pulgadas - ¿Qué quieres decir? ≤7μm para 2 pulgadas, ≤10μm para 3 pulgadas, ≤15μm para 4 pulgadas, ≤25μm para 6 pulgadas Superficie delantera Epi-polido (Ra< 0,3 nm para el plano C, 0,5 nm para otras orientaciones) Superficie trasera Se puede utilizar para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación de productos para la fabricación Embalaje Embalado en un ambiente de sala limpia de clase 100   ¿Cómo se hacen las obleas de zafiro?   Las obleas de zafiro se fabrican a través de un proceso llamado método Czochralski (o método Kyropoulos), donde se cultivan grandes bolas de zafiro de cristal único a partir de óxido de aluminio fundido.Estas bolas son luego cortadas en obleas del grosor deseado usando una sierra de alambre de diamanteDespués de cortarlas, las obleas son pulidas para obtener una superficie lisa y especular.   Propiedades clave de las obleas de zafiro   Dureza: El zafiro ocupa el puesto 9 en la escala de Mohs de dureza mineral, por lo que es el segundo material más duro después del diamante.Esta excepcional dureza hace que las obeliscas de zafiro sean muy resistentes a los arañazos y daños mecánicos. Estabilidad térmica: El zafiro puede soportar altas temperaturas, con un punto de fusión de aproximadamente 2.030 ° C. Esto lo hace ideal para aplicaciones a altas temperaturas donde otros materiales pueden fallar. Transparencia óptica: El zafiro es altamente transparente a una amplia gama de longitudes de onda, incluida la luz visible, ultravioleta (UV) e infrarroja (IR).Esta propiedad hace que las obleas de zafiro sean ideales para su uso en dispositivos ópticos, ventanas y sensores. Aislamiento eléctrico: El zafiro es un excelente aislante eléctrico con una constante dieléctrica alta, lo que lo hace adecuado para aplicaciones donde el aislamiento eléctrico es crítico,como en ciertos tipos de microelectrónica. Resistencia química: El zafiro es químicamente inerte y muy resistente a la corrosión de ácidos, bases y otros productos químicos, lo que lo hace duradero en ambientes hostiles.     Aplicaciones de las obleas de zafiro   Diodos emisores de luz (LED): las obleas de zafiro se utilizan comúnmente como sustratos en la fabricación de LEDs de nitruro de galio (GaN), especialmente LEDs azules y blancos.La estructura de red de zafiro coincide bien con el GaN, promoviendo una emisión de luz eficiente. Dispositivos semiconductores: Además de los LED, las obleas de zafiro se utilizan en dispositivos de radio frecuencia (RF), electrónica de potencia,y otras aplicaciones de semiconductores en las que se necesite un sustrato robusto e aislante. Ventanas y lentes ópticas: La transparencia y dureza del zafiro lo convierten en un excelente material para ventanas ópticas, lentes y cubiertas de sensores de cámaras,a menudo utilizado en ambientes hostiles como las industrias aeroespacial y de defensa. Wearables y electrónica: El zafiro se utiliza como material de cubierta duradero para wearables, pantallas de teléfonos inteligentes y otros productos electrónicos de consumo, gracias a su resistencia a los arañazos y claridad óptica. Oferta de zafiro vs. Oferta de silicio Si bien las obleas de zafiro tienen ventajas distintas en ciertas aplicaciones, a menudo se comparan con las obleas de silicio, que son el material de sustrato más común en la industria de semiconductores.   Oferta de silicio Las obleas de silicio son rebanadas delgadas de silicio cristalino, un material semiconductor.otros aparatos y aparatosLas obleas de silicio son conocidas por su conductividad eléctrica y su capacidad para ser dopadas con impurezas para mejorar sus propiedades semiconductoras.     Conductividad eléctrica: a diferencia del zafiro, el silicio es un semiconductor, lo que significa que puede conducir electricidad bajo ciertas condiciones.Esta propiedad hace que el silicio sea ideal para fabricar dispositivos electrónicos como transistores, diodos y circuitos integrados. Costo: Las obleas de silicio son generalmente menos costosas de producir que las obleas de zafiro.y los procesos para la fabricación de obleas de silicio están más establecidos y eficientes. Conductividad térmica: El silicio tiene una buena conductividad térmica, que es importante para disipar el calor en dispositivos electrónicos.No es tan estable térmicamente como el zafiro en ambientes de temperaturas extremas.. Flexibilidad en el dopaje: el silicio puede ser fácilmente dopaje con elementos como el boro o el fósforo para modificar sus propiedades eléctricas,que es un factor clave en su uso generalizado en la industria de semiconductores. Comparación: obeliscos de zafiro vs. obeliscos de silicio Propiedad Wafer de zafiro Wafer de silicio El material Óxido de aluminio cristalino (Al2O3) Silicio cristalino (Si) Dureza 9 en la escala de Mohs (extremadamente duro) 6.5 en la escala de Mohs Estabilidad térmica Extremadamente alto (punto de fusión ~ 2,030°C) Moderado (punto de fusión ~ 1,410°C) Propiedades eléctricas Con un contenido de aluminio superior a 0,9 g/m2 Las demás máquinas y aparatos para la fabricación de equipos Transparencia óptica Transparente a la luz UV, visible e IR No transparente El coste Más alto Bajo Resistencia química Es excelente. Moderado Aplicaciones Dispositivos de luz LED, dispositivos de RF, ventanas ópticas, dispositivos portátiles Las demás instalaciones de construcción ¿Cuál elegir? La elección entre las obleas de zafiro y de silicio depende en gran medida de la aplicación específica:     Wafers de zafiro: ideales para aplicaciones que requieren una durabilidad extrema, resistencia a altas temperaturas, transparencia óptica e aislamiento eléctrico.especialmente en los LED, y en entornos donde la resistencia mecánica y la resistencia química son esenciales. Wafers de silicio: la opción para aplicaciones generales de semiconductores debido a sus propiedades semiconductoras, rentabilidad,y los procesos de fabricación bien establecidos en la industria electrónicaEl silicio es la columna vertebral de los circuitos integrados y otros dispositivos electrónicos. El futuro de las obleas de zafiro Con la creciente demanda de materiales más duraderos y de alto rendimiento en electrónica, optoelectrónica y wearables, se espera que las obleas de zafiro desempeñen un papel cada vez más importante.Su combinación única de dureza, la estabilidad térmica y la transparencia los hacen adecuados para tecnologías de vanguardia, incluidas pantallas de próxima generación, dispositivos avanzados de semiconductores y sensores ópticos robustos. A medida que el costo de producción de obleas de zafiro disminuye y los procesos de fabricación mejoran, podemos anticipar su adopción más amplia en todas las industrias,El objetivo de este proyecto es consolidar aún más su lugar como material crítico en la tecnología moderna..