GaN-EN-GaN las obleas micro GaN Substrates permanente libre del LED EPI 2 pulgadas

B2inch GaN-EN-GaN las obleas verdes azules del epi Micro-LED en los substratos libres de GaN

2inch GaN-EN-GaN las obleas del PIN en los substratos libres de GaN

Alrededor GaN-en-GaN característica introduzca

Los dispositivos de poder verticales de GaN tienen el potencial para revolucionar la industria del dispositivo de poder, especialmente en usos con requisitos de alto voltaje, tales como dispositivos verticales de GaN sobre 600 V. dependiendo de las propiedades físicas del material, los dispositivos de GaN tienen en-resistencia más baja en un voltaje de avería dado que los dispositivos de poder silicio-basados tradicionales y los dispositivos de poder puros emergentes del carburo de silicio. Los dispositivos de poder horizontales de GaN, es decir altos transistores de la movilidad del GaN-en-silicio (HEMTs), compiten con los dispositivos del silicio en el mercado de baja tensión, y GaN es superior, que también prueba la superioridad de los materiales de GaN.
Se espera que los dispositivos de poder verticales de GaN compitan con los dispositivos de poder puros del carburo de silicio en el mercado de alto voltaje. En los primeros dos años, sic los dispositivos han ganado cierta cuota de mercado en el mercado de alto voltaje del uso, y algunas compañías han ampliado la producción de 6 pulgadas y de 8 pulgadas sic. En cambio, los dispositivos verticales de GaN no son todavía disponibles en el comercio, y muy pocos proveedores pueden crecer 4 obleas de GaN de la pulgada de diámetro. El aumento de la fuente de las obleas de alta calidad de GaN es crítico al desarrollo de los dispositivos verticales de GaN.
Los dispositivos de poder de alto voltaje hicieron del nitruro del galio tienen tres ventajas potenciales:
1. Bajo voltaje de avería dado, la en-resistencia teórica es un orden de magnitud más pequeño. Por lo tanto, menos poder se pierde adentro polariza hacia adelante y el rendimiento energético es más alto.

En segundo lugar, bajo el voltaje y en-resistencia dados de avería, el tamaño del dispositivo fabricado es más pequeño. Cuanto más pequeño es el tamaño del dispositivo, más los dispositivos se pueden hacer de una sola oblea, que reduce el coste. Además, la mayoría de los usos requieren microprocesadores más pequeños.
3. el nitruro del galio tiene una ventaja en la frecuencia de funcionamiento máxima del dispositivo, y la frecuencia es determinada por las propiedades materiales y el diseño del dispositivo. La frecuencia más alta del carburo de silicio está generalmente sobre 1MHz o menos, mientras que los dispositivos de poder hicieron del nitruro del galio pueden trabajar en frecuencias más altas, tales como diez de megaciclo. El funcionamiento en frecuencias más altas es beneficioso para reducir el tamaño de componentes pasivos, de tal modo reduciendo el tamaño, el peso y el coste del sistema de conversión de poder.
Los dispositivos verticales de GaN todavía están en la etapa de la investigación y desarrollo, y la industria todavía no ha alcanzado un consenso en la estructura del dispositivo de poder vertical óptimo de GaN. Las tres estructuras del dispositivo de la corriente principal incluyen el transistor vertical del electrón de la abertura actual (CAVET), el transistor de efecto de campo del foso (FET del foso) y el transistor de efecto de campo de la aleta (FET de la aleta). Todas las estructuras del dispositivo contienen una capa N-dopada baja como la capa de la deriva. Esta capa es muy importante porque el grueso de la capa de la deriva determina el voltaje de avería del dispositivo. Además, la concentración del electrón desempeña un papel en la realización de la en-resistencia más baja teórica. papel importante.

Especificaciones para GaN-en-GaN los substratos para cada grado