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Oblea del nitruro del galio
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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | zmsh |
| Número de modelo | GaN-001 |
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el LD, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN
Sobre la característica de GaN introduzca
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La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia hace que la industria del semiconductor del madethe repiense la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo, mientras que se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en oblea de la electrónica de poder, así que de semiconductor de GaN se crece hacia fuera para la necesidad. Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro GaN del galio es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro. GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.
La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además, GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, radares y televisión por cable celulares infraestructura en el establecimiento de una red, sectores del espacio aéreo y de la defensa, gracias a su alta fuerza de la avería, figura de poco ruido y altas linearidades.
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Especificaciones para los substratos de GaN
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2" substratos de GaN | |
| Artículo | GAN-FS-n | GAN-FS-SI |
| Dimensiones | ± 1m m de Ф 50.8m m | |
| Densidad del defecto de Marco | Un nivel | ≤ 2 cm-2 |
| Nivel de B | > 2 cm-2 | |
| Grueso | 330 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 0.5° de C-AXIS (0001) | |
| Orientación plana | ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m | |
| Orientación secundaria plana | ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20) | |
| TTV (variación total del grueso) | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | Semiaislante |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm |
| Densidad de dislocación | Menos que 5x106 cm-2 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Superficie delantera: Ra < 0=""> | |
| Superficie trasera: Tierra fina | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |
P-GaN en el zafiro
| Crecimiento | MOCVD/HVPE |
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| Conductividad | Tipo de P |
| Dopante | Magnesio |
| Concentración | > 5E17 cm-3 |
| Grueso | 1 ~ 5 um |
| Resistencia | < 0=""> |
| Substrato | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" oblea del zafiro |
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