Si (100) de tipo N de 4 pulgadas P-dopado con 100 nm de Ti + 200 nm de Cu Film delgado Cu Film sobre Wafer de Ti/Silicio

Resumen del producto

Esta oblea de silicio dopada P de tipo N de 4 pulgadas (100 mm) con orientación cristalina <100> está recubierta con una capa de adhesión de titanio (Ti) de 100 nm y una capa conductiva de cobre (Cu) de 200 nm.

La capa de Ti sirve como un fuerte amortiguador de adhesión y barrera de difusión, mejorando la fijación de la película de Cu y la estabilidad térmica.haciendo esta oblea adecuada para la microelectrónica, dispositivos MEMS, sensores y aplicaciones de investigación.

La oblea está pulida de un solo lado (SSP) y se suministra en envases de sala limpia para garantizar un manejo libre de contaminación para aplicaciones de precisión.

La estructura de película delgada está optimizada para lograr un espesor uniforme, un rendimiento eléctrico constante y una adhesión confiable.La oblea es ideal para aplicaciones que requieren una interfaz Cu/Ti de alta calidad en sustratos de silicio.

EspecíficosLas

Aplicaciones

• Capas de interconexión de semiconductores

• Microestructuras y electrodos MEMS

• Dispositivos de sensores y pastillas de contacto

• Investigación y desarrollo en electrónica de película delgada

• Oferta de ensayo de alta conductividad para la microfabricación

Características clave

• La capa de adhesión Ti asegura una fuerte unión Cu-Si

• La capa de Cu de 200 nm proporciona un camino conductor de baja resistencia

• La capa de Ti actúa como una barrera de difusión para mejorar la estabilidad térmica

• La deposición de PVD garantiza un espesor y una calidad de superficie constantes

• El embalaje de la sala limpia mantiene la limpieza e integridad de las obleas

Nota de uso y almacenamiento

• Manipulación en sala limpia o en un ambiente con poco polvo

• Para el procesamiento a alta temperatura, optimizar las condiciones para evitar la interdifusión de Cu/Si

• Conservar en un ambiente seco y bajo estrés para mantener la integridad de la película delgada

• Evitar el contacto directo con la superficie revestida

Preguntas frecuentes

1¿Cuál es la uniformidad de las películas delgadas de Cu/Ti en la oblea?
La capa de adherencia de Ti y la capa conductora de Cu se depositan utilizando técnicas de PVD de alto vacío, lo que garantizaEl espesor de la película de Cu es de 200 nm y la capa de Ti es de 100 nm, con una variación mínima adecuada para aplicaciones de microelectrónica y investigación.

2¿Se puede utilizar esta oblea en procesos de alta temperatura?
La capa de Ti actúa como una barrera de difusión para evitar que el Cu se difunda en el sustrato de silicio.Se recomienda optimizar la temperatura y las condiciones de procesamiento para mantener la integridad y uniformidad de la película..

3¿Cómo debe almacenarse y manejarse la oblea?
La oblea debe manejarse en un cuarto limpio o en un ambiente con poco polvo para evitar la contaminación.Cada oblea se suministra en una bolsa de plástico de clase 100 dentro de un paquete de sala limpia de clase 1000.

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