Oferta de silicio personalizada de 4 pulgadas (100 mm): espesor de 350 μm, orientación <100>, DSP/SSP, dopaje tipo N/P

Las obleas de silicio son discos finos y planos hechos de silicio de cristal único altamente purificado, ampliamente utilizados en la industria de semiconductores.Estas obleas sirven como sustrato fundamental para producir circuitos integrados y una variedad de dispositivos electrónicos.

Las obleas de silicio suelen variar en diámetro de 2 pulgadas (50 mm) a 12 pulgadas (300 mm), con espesores que varían de 200 μm a 775 μm dependiendo del tamaño.Se producen utilizando los métodos de Czochralski (CZ) o Float-Zone (FZ) y se lustran para obtener una superficie especular con una rugosidad mínimaEl dopaje con elementos como el boro (para el tipo P) o el fósforo (para el tipo N) modifica sus propiedades eléctricas.

Las propiedades clave de las obleas de silicio incluyen una alta conductividad térmica, un bajo coeficiente de expansión térmica y una excelente resistencia mecánica.También pueden tener capas epitaxiales o capas finas de dióxido de silicio para mejorar las propiedades eléctricas y el aislamientoEstas obleas se procesan y manejan en ambientes de sala limpia para mantener la pureza, asegurando un alto rendimiento y fiabilidad en la fabricación de semiconductores.

Resumen del producto

Las obleas de Si, también conocidas como sustratos de silicio, están disponibles en varias orientaciones cristalinas (incluidas <100>, <110> y <111>) y tamaños estándar de 1 pulgada a 4 pulgadas.Estos sustratos de silicio monocristalino se producen con una alta pureza y se pueden personalizar de acuerdo con los requisitos de diseño específicos.

Características clave

• Fabricado a partir de silicio monocristalino de alta pureza (99,999%)
• Soporta diseños y ilustraciones personalizados
• La resistividad varía según el tipo de dopaje
• Disponible en tipo P (dopado con boro) o tipo N (dopado con fósforo/arsenico)
• Ampliamente aplicado en circuitos integrados (CI), dispositivos fotovoltaicos y MEMS

Descripción detallada

Las obleas de silicio son discos planos ultrafinos fabricados con silicio monocristalino altamente refinado.Sirven como sustratos fundamentales en la fabricación de semiconductores para la producción de circuitos integrados y componentes electrónicos. Los diámetros estándar oscilan entre 2 pulgadas (50 mm) y 12 pulgadas (300 mm), con espesores que varían entre 200 μm y 775 μm. Se producen mediante métodos Czochralski (CZ) o Float-Zone (FZ),las obleas se someten a un pulido de precisión para obtener superficies especulares con una rugosidad mínimaEl dopaje con elementos como el boro (tipo P) o el fósforo (tipo N) permite características eléctricas adaptadas.y resistencia mecánica robustaLas capas epitaxiales opcionales o los recubrimientos de dióxido de silicio pueden mejorar el rendimiento.

Especificaciones técnicas

Muestras de la oblea de Si

Oblea de Si de 4 pulgadas con un diámetro de 100 mm, un grosor de 350 μm, orientación <100>, opciones DSP/SSP y variantes personalizadas de tipo N o tipo P.

Si tiene otros requisitos, no dude en contactarnos para personalizar.

Nuestra empresa, ZMSH, se especializa en la investigación, producción, procesamiento y venta de sustratos de semiconductores y materiales ópticos de cristal.,Equipos de procesamiento de precisión, y instrumentos de prueba, poseemos fuertes capacidades en el procesamiento de productos no estándar.y diseñar varios productos nuevos de acuerdo con las necesidades del clienteAdheridos al principio de "centrado en el cliente, basado en la calidad", nos esforzamos por convertirnos en una empresa de alta tecnología de primer nivel en el campo de los materiales optoelectrónicos.

1. P: ¿Cuál es la diferencia entre las obleas de Si tipo P y tipo N?
   R: Las obleas de silicio de tipo P tienen agujeros como los principales portadores de carga, mientras que las obleas de tipo N tienen electrones.
2. P: ¿Cuáles son las principales diferencias entre las obleas Si, las obleas SiO2 y las obleas SiC?
   R: Las obleas de silicio (Si) son sustratos de silicio puro utilizados principalmente en dispositivos semiconductores.Las obleas de carburo de silicio (SiC) están compuestas de un compuesto de silicio y carbono, ofrecen una mayor conductividad térmica y durabilidad, por lo que son adecuados para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.