Área termal de la gestión de GaN Diamond Heat Sink Wafers For del método de MPCVD

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obleas customzied de GaN& Diamond Heat Sink del método del tamaño MPCVD para el área termal de la gestión

El diamante tiene hueco de banda amplio, alta conductividad termal, alta fuerza de campo de la avería, alta movilidad de portador, resistencia da alta temperatura, resistencia del ácido y del álcali, resistencia a la corrosión, resistencia de radiación y otras propiedades superiores
El poder más elevado, de alta frecuencia, los campos des alta temperatura desempeña un papel importante, y se considera como uno de los materiales anchos más prometedores del semiconductor del hueco de banda.

Ventajas del diamante
• Conductividad termal de la temperatura ambiente más alta de cualquier material (hasta 2000W/m.k) • Aspereza superficial y alta llanura de la superficie del crecimiento •<1nm can="" be="" achieved=""> Aislamiento eléctrico • Extremadamente ligero
• Alta fuerza mecánica • • Inercia química y toxicidad baja
• Amplia gama de gruesos disponibles • Amplia gama de las soluciones de la vinculación del diamante

El diamante es un material estupendo de la disipación de calor con excelente rendimiento:
• El diamante tiene la conductividad termal más alta de cualquier material en la temperatura ambiente. Y el calor es la razón importante del fracaso de producto electrónico.

Según estadísticas, la temperatura del empalme de trabajo caerá bajo 10 que el ° C puede doblar la vida del dispositivo. La conductividad termal del diamante es 3 a 3 más altos que el de los materiales termales comunes de la gestión (tales como cobre, carburo de silicio y nitruro de aluminio)
10 veces. Al mismo tiempo, el diamante tiene las ventajas del aislamiento ligero, eléctrico, fuerza mecánica, toxicidad baja y constante dieléctrica baja, que hacen el diamante, es una elección excelente de los materiales de la disipación de calor.

• Dé el juego completo al funcionamiento termal inherente del diamante, que solucionará fácilmente “el problema de la disipación de calor” hecho frente por poder, los dispositivos de poder, el etc. electrónicos.

En el volumen, mejore la confiabilidad y aumentar densidad de poder. Una vez que se soluciona el problema “termal”, el semiconductor también será mejorado perceptiblemente con eficacia mejorando el funcionamiento de la gestión termal,
La vida de servicio y el poder del dispositivo, al mismo tiempo, reducir grandemente los gastos de explotación.

Disipador de calor TC1200, TC 1500, TC 1800 del diamante

capacidad de pulido 1.International y de pulido principal, alcanzando la aspereza superficial del Ra de la superficie del crecimiento < de 1nm
La deposición compuesta es una eficiente y el método que trabajaba a máquina exacto para la superficie llana atómica del diamante basada en plasma ayudó a pulido y a pulido. Para el substrato de 2 pulgadas del diamante, la superficie puede ser embrutecida
La aspereza se reduce de diez de micrómetros menos que 1nm. Esta tecnología tiene alta eficacia del retiro, puede obtener la superficie plana llana atómica, y no produce la superficie sub.
Daño superficial. Actualmente, solamente algunos fabricantes tienen el pulido superficial estupendo del diamante y pulido al Ra < a 1nm, y el compuesto químico ha alcanzado el nivel principal internacional.

2.Ultra alta conductividad termal, T C: 1000-2000 W/m.K
Cuando la conductividad termal se requiere ser 1000~2000 W/m K, el disipador de calor del diamante es haber preferido y solamente el material opcional del disipador de calor. SMT compuesto se puede determinar según requisitos de cliente
Actualmente, se han lanzado tres productos estándar: TC1200, TC 1500 y TC 1800.

3. Provide modificó servicios para requisitos particulares tales como grueso, tamaño y forma
El grueso del disipador de calor depositado compuesto del diamante puede extenderse de 200 a 1000 los micrones, y el diámetro puede alcanzar 125 milímetros en la primera mitad de 2022. Tenemos corte del laser y las capacidades de pulido para proveer de clientes forma geométrica, la llanura superficial y aspereza baja, así como los servicios de la metalización que cumplen sus requisitos específicos.

Usos típicos
Radioinstrumento del poder más elevado
• Amplificador del RF de la estación base • Amplificador por satélite del uplink del RF • Amplificador de la microonda
Poder más elevado fotoeléctrico
• Diodo láser y laser de array de diodos • Módulo óptico de IC del avión • Alto brillo LED
Dispositivo de poder de alto voltaje
• Subsistema automotriz • Subsistema aeroespacial • Distribución de la energía • Convertidor de DC/DC
Equipo del semiconductor
• Prueba de la caracterización • Proceso del remiendo

Detalle de la especificación del tamaño

Los productos muestran