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Sic substrato

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Sic substrato

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Porcelana Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación fábrica

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación

Descripción del producto: Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es ... Leer más
2024-10-11 10:35:00
Porcelana Wafer de semillas de SiC 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-N Tipo de producción de grado de calificación para el crecimiento de wafer de SiC fábrica

Wafer de semillas de SiC 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-N Tipo de producción de grado de calificación para el crecimiento de wafer de SiC

Wafer de semillas de SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas de tipo 4H-N de grado de producción de calidad ficticia para el crecimiento de wafer de SiC 6 pulgadas 8 pulgadas de Wafer de semillas de SiC resumen Las obleas ... Leer más
2024-10-11 10:35:00
Porcelana Wafer de semilla de carburo de silicio tipo 4H Dia 157±0,5 mm de espesor 500±50um área de monocristal > 153 mm fábrica

Wafer de semilla de carburo de silicio tipo 4H Dia 157±0,5 mm de espesor 500±50um área de monocristal > 153 mm

Wafer de semilla de carburo de silicio tipo 4H Dia 157±0,5 mm de espesor 500±50um área de monocristal > 153 mm Resumen de la semilla de carburo de silicio 4H En el campo del crecimiento de cristales de carburo ... Leer más
2024-10-11 10:35:00
Porcelana Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio fábrica

Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio

Wafer de semillas de SiC de 8 pulgadas de espesor 600±50um de tipo 4H grado de producción para el crecimiento de cristales de carburo de silicio Resumen de la oblea de semillas de SiC Las obleas de semilla de ... Leer más
2024-10-11 10:35:00
Porcelana Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero fábrica

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero

Descripción del producto: Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un importante material semiconductor ... Leer más
2024-10-11 10:35:00
Porcelana 6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción fábrica

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción

Descripción del producto: 6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción Las obleas de sustrato compuesto de ... Leer más
2024-10-11 10:33:11
Porcelana 5*5mm/10*10mm espesor de la oblea de carburo de silicio 350μm Sic tipo 3C-N de alta resistencia mecánica grado de producción fábrica

5*5mm/10*10mm espesor de la oblea de carburo de silicio 350μm Sic tipo 3C-N de alta resistencia mecánica grado de producción

Descripción del producto: 5*5mm/10*10mm espesor de la oblea de carburo de silicio 350μm Sic tipo 3C-N de alta resistencia mecánica grado de producción 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material ... Leer más
2024-10-11 10:33:11
Porcelana Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación fábrica

Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación

Descripción del producto: Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un ... Leer más
2024-10-11 10:33:11
Porcelana Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción fábrica

Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción

Descripción del producto: Substrato de carburo de silicio 4" Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de banda ancha ... Leer más
2024-10-11 10:33:11
Porcelana Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario fábrica

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario

Descripción del producto: Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado primario grado falso 6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ... Leer más
2024-09-29 11:29:00
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