Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar
El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un material semiconductor importante comúnmente utilizado en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.El 4H-SiC es un tipo de estructura cristalina que tiene una estructura de red hexagonalEl amplio intervalo de banda (aproximadamente 3,26 eV) le permite funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje.puede guiar y disipar el calor de manera efectivaEl carburo de silicio dopado tipo P tiene una baja resistividad y es adecuado para la construcción de uniones PN.Se espera que la demanda de carburo de silicio tipo 4H-P siga creciendo, impulsando la investigación y los avances tecnológicos relacionados.
Características:
· Tipo: el cristal 4H-SiC tiene una estructura de red hexagonal y proporciona excelentes características eléctricas.
· Amplia banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.
· Dopaje tipo P: la conductividad tipo P se obtiene mediante elementos de dopaje como el aluminio, aumentando la concentración del conductor poroso.
· Resistividad: baja resistividad, adecuada para dispositivos de alta potencia.
· Alta conductividad térmica: aprox. 4,9 W/m·K, disipación de calor eficaz, adecuada para aplicaciones de alta densidad de potencia.
· Resistencia a altas temperaturas: puede funcionar de forma estable en un entorno de altas temperaturas.
· Alta dureza: muy alta resistencia mecánica y dureza para condiciones adversas.
· Alta tensión de ruptura: capaz de soportar tensiones más altas y reducir el tamaño del dispositivo.
· Baja pérdida de conmutación: Buenas características de conmutación en operaciones de alta frecuencia para mejorar la eficiencia.
· Resistencia a la corrosión: buena resistencia a la corrosión de una amplia gama de productos químicos.
· Amplia gama de aplicaciones: adecuado para vehículos eléctricos, inversores, amplificadores de alta potencia y otros campos.
Parámetros técnicos:
| Especificación del sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas de diámetro |
| Grado |
Producción de MPD cero
Grado (grado Z) |
Producción estándar
Grado (grado P) |
Grado de imitación
(Grado D) |
| Diámetro |
145.5 mm ~ 150,0 mm |
| El grosor |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Orientación de la oblea |
Fuera del eje: 2,0°-4,0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, En el eje: 1111 ± 0,5° para 3C-N |
| Densidad de los microtubos |
0 cm-2 |
| Resistencia |
el tipo p 4H/6H-P |
≤ 0,1 Ω.cm |
≤ 0,3 Ω.cm |
| Orientación plana primaria |
el tipo p 4H/6H-P |
{1010} ± 5,0° |
| Duración plana primaria |
32.5 mm ± 2,0 mm |
| Duración plana secundaria |
18.0 mm ± 2,0 mm |
| Orientación plana secundaria |
Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° |
| Exclusión del borde |
3 mm |
6 mm |
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
| La rugosidad |
Polish Ra≤1 nm |
| CMP Ra≤0,2 nm |
Ra ≤ 0,5 nm |
| Las grietas de borde por la luz de alta intensidad |
No hay |
Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm |
| Placas hexagonales con luz de alta intensidad |
Área acumulada ≤ 0,05% |
Área acumulada ≤ 0,1% |
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad |
No hay |
Área acumulada ≤ 3% |
| Inclusiones de carbono visual |
Área acumulada ≤ 0,05% |
Área acumulada ≤ 3% |
| La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad |
No hay |
Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea |
| Chips de borde de alta intensidad de luz |
Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad |
5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno |
| Contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad |
No hay |
| Embalaje |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicaciones:
1Electrónica de potencia
Convertidores de potencia: para adaptadores de potencia eficientes e inversores de menor tamaño y mayor eficiencia energética.
Vehículos eléctricos: optimizar la eficiencia de conversión de potencia en los módulos de accionamiento y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.
2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Se utilizan en sistemas de comunicación y radar para proporcionar un rendimiento confiable de alta frecuencia.
Comunicaciones por satélite: amplificador de alta potencia para satélites de comunicación.
3Aplicaciones a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado en entornos de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estable.
Equipo industrial: equipo e instrumentos adaptados a condiciones de alta temperatura.
4. Optoelectrónica
Tecnología LED: se utiliza para mejorar la eficiencia luminosa en LEDs específicos de longitud de onda corta.
Lasers: aplicaciones láser eficientes.
5Sistema de energía.
Red inteligente: Mejorar la eficiencia energética y la estabilidad en la transmisión y gestión de la red de corriente continua de alto voltaje (HVDC).
6Electrónica de consumo
Dispositivo de carga rápida: Un cargador portátil para dispositivos electrónicos que mejora la eficiencia de carga.
7Energía renovable
Inversor solar: lograr una mayor eficiencia de conversión de energía en los sistemas fotovoltaicos.
Personalización:
Nuestro sustrato SiC está disponible en el tipo 4H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas.
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Ofrece servicio personalizado para el sustrato SIC tipo 4H-P?
R: Sí, nuestra empresa proporciona servicio personalizado para el sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P. Los clientes pueden elegir sustratos con diferentes especificaciones y parámetros, como diámetro, grosor,concentración de dopaje, etc., de acuerdo con sus necesidades específicas para satisfacer los requisitos de aplicaciones específicas.
2P: ¿Cómo se asegura la calidad del sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P?
R: Nuestra empresa asegura la calidad del sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P a través de un estricto control de procesos e inspección de calidad.corte y pulido hasta la inspección final, cada paso sigue estándares elevados y requisitos estrictos para garantizar que los productos cumplan con las expectativas de los clientes y las normas de la industria.
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