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Created with Pixso. Anillo de silicio de precisión (anillo de Si) para sistemas de grabado por plasma de semiconductores en silicio monocristalino y policristalino

Anillo de silicio de precisión (anillo de Si) para sistemas de grabado por plasma de semiconductores en silicio monocristalino y policristalino

Nombre De La Marca: ZMSH
MOQ: 10
Tiempo De Entrega: 2-4 semanas
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shangai, China
Material:
Silicio monocristalino / Silicio policristalino
Pureza:
≥ 99,999% (5N)
Diámetro máximo:
Hasta 480 milímetros
Espesor:
Personalizado (5–30 mm típico)
Resistividad (baja):
< 0,02 Ω·cm
Uniformidad de resistividad:
< 5% (RRG)
Acabado superficial:
Pulido / Lapeado / Suelo
Resaltar:

Anillo de silicio de silicio de cristal único

,

Anillo de silicio policristalino

,

Anillo de silicio de semiconductor de grabado por plasma

Descripción de producto

Anillo de silicio de precisión (anillo de Si) para sistemas de grabado por plasma de semiconductores en silicio monocristalino y policristalino 0El anillo de silicio de precisión (anillo Si) es un componente consumible de grado semiconductor que se utiliza en equipos de procesamiento de obleas, deposición y grabado por plasma. Funciona como anillo de enfoque, anillo de borde o anillo de revestimiento de la cámara, lo que ayuda a controlar la distribución del plasma, mejorar la uniformidad del grabado y proteger el hardware de la cámara del bombardeo directo de iones.

Fabricado con silicio monocristalino o silicio policristalino de alta pureza, el anillo ofrece una excelente compatibilidad con los procesos de obleas de silicio. Esta combinación intrínseca de materiales reduce el riesgo de contaminación y garantiza un rendimiento estable del proceso en entornos de fabricación de semiconductores.

Papel de los anillos de silicio en las cámaras de plasma

En los sistemas de plasma semiconductores (ICP, RIE, PECVD, CVD), los anillos de silicio están expuestos a:

  • Campos de plasma de alta energíaAnillo de silicio de precisión (anillo de Si) para sistemas de grabado por plasma de semiconductores en silicio monocristalino y policristalino 1
  • Gases a base de flúor (CF₄, SF₆, NF₃)
  • Químicas basadas en cloro (Cl₂, HBr)
  • Ciclos térmicos y bombardeo de iones.

En estas duras condiciones, los anillos de silicio sufren gradualmente una erosión controlada, razón por la cual se clasifican como componentes consumibles críticos en la fabricación de semiconductores.

Sus funciones principales incluyen:

  • Estabilización de la distribución del plasma cerca de los bordes de las oblea
  • Mejora de la uniformidad del grabado y el control del CD
  • Protección de las paredes y el hardware de la cámara
  • Mantener la repetibilidad del proceso

Ventajas clave de los anillos de silicio

Excelente compatibilidad con el proceso de silicio

Los anillos de silicio son naturalmente compatibles con los entornos de procesamiento de obleas de silicio, lo que minimiza la contaminación cruzada y respalda la producción de alto rendimiento.

Solución de consumibles rentable

En comparación con las alternativas de SiC, los anillos de silicio ofrecen:

  • Menor costo inicial
  • Fabricación y mecanizado más sencillos
  • Ciclos de sustitución económicos

Rendimiento de plasma estable

El silicio de alta pureza garantiza un comportamiento eléctrico y material constante durante la exposición al plasma, lo que respalda condiciones de proceso estables.

Opciones de materiales flexibles

Disponible en:

  • Silicio monocristalino (mayor uniformidad, mejor estabilidad eléctrica)
  • Silicio policristalino (rentable, ampliamente utilizado en procesos estándar)

Mecanizado de semiconductores de precisión

Fabricado con tolerancias estrictas para garantizar:

  • Control dimensional estricto (<10 μm)
  • Integración confiable de la cámara
  • Comportamiento consistente del plasma de borde de oblea

Especificaciones técnicas

Parámetro Especificación
Material Silicio monocristalino / Silicio policristalino
Pureza ≥ 99,999% (5N)
Diámetro máximo Hasta 480 milímetros
Espesor Personalizado (5–30 mm típico)
Resistividad (baja) < 0,02 Ω·cm
Resistividad (media) 1 – 4 Ω·cm
Resistividad (alta) 70 – 90 Ω·cm
Uniformidad de resistividad < 5% (RRG)
Acabado superficial Pulido / Lapeado / Suelo
Rugosidad de la superficie Ra ≤ 0,8 μm (parte inferior pulida)
Precisión de mecanizado < 10 µm
Llanura ≤ 30 μm (depende del tamaño)
Diseño de borde Chaflán/Radio personalizable
Estándar de calidad Sin grietas, astillas ni contaminación.

Aplicaciones de semiconductores

Los anillos de silicona se utilizan ampliamente en:

  • Sistemas de grabado por plasma ICP y RIE
  • Equipos de deposición CVD y PECVD
  • Conjuntos de anillo de enfoque y anillo de borde
  • Revestimiento de cámara y estructuras de protección.
  • Sistemas de control de plasma de borde de oblea

Son particularmente adecuados para nodos semiconductores maduros y de nivel medio donde la rentabilidad y el rendimiento estable son prioridades clave.


Anillo de silicio de precisión (anillo de Si) para sistemas de grabado por plasma de semiconductores en silicio monocristalino y policristalino 2


Anillos de silicio monocristalinos versus policristalinos

Característica Silicio monocristalino Silicio policristalino
Uniformidad Más alto Moderado
Estabilidad eléctrica Mejor Estándar
Costo Más alto Más bajo
maquinabilidad Bien Muy bien
Uso típico Procesos de alta precisión Uso industrial general

Anillo de silicio frente a anillo de SiC (guía de selección)

Característica Anillo de silicona Anillo de SiC
Costo Más bajo Más alto
Resistencia al plasma Moderado Excelente
Vida más corto Más extenso
Dificultad de mecanizado Más fácil Más difícil
Mejor aplicación Procesos estándar Entornos de plasma hostiles

Se prefieren los anillos de silicio cuando la rentabilidad y la compatibilidad del proceso son más importantes que una vida útil ultralarga.


Anillo de silicio de precisión (anillo de Si) para sistemas de grabado por plasma de semiconductores en silicio monocristalino y policristalino 3


¿Por qué elegir anillos de silicona?

Los anillos de silicio siguen utilizándose ampliamente en las fábricas de semiconductores porque proporcionan:

  • Compatibilidad probada con procesos basados ​​en silicio.
  • Comportamiento del plasma estable y predecible
  • Menor costo de consumibles
  • Alta flexibilidad de fabricación
  • Fácil personalización para geometrías complejas

Son una opción práctica y confiable para entornos de fabricación de gran volumen.

Opciones de personalización

La personalización disponible incluye:

  • Ajuste de diámetro y espesor.
  • Selección de material monocristalino o policristalino.
  • Ajuste de resistividad
  • Perfil de borde (chaflán/radio)
  • Acabado de superficies (pulido, lapeado, rectificado)
  • Estructuras geométricas complejas basadas en dibujos.

Preguntas frecuentes

P1: ¿El anillo de silicona es una pieza consumible?

Sí. Es un componente consumible que se erosiona gradualmente bajo la exposición al plasma y debe reemplazarse periódicamente.

P2: ¿Cuál es la diferencia entre silicio monocristalino y policristalino?

El silicio monocristalino proporciona una mejor uniformidad y rendimiento eléctrico, mientras que el silicio policristalino ofrece un menor costo y una fabricación flexible.

P3: ¿Se pueden personalizar los anillos de silicona?

Sí. Las dimensiones, la resistividad, el acabado de la superficie y la geometría se pueden personalizar según los requisitos o los dibujos del equipo.

P4: ¿Cómo se compara la vida útil con la de los anillos de SiC?

Los anillos de silicio suelen tener una vida útil más corta debido a una menor resistencia al plasma, especialmente en entornos de grabado agresivos.

P5: ¿Cuál es el plazo de entrega típico?

La producción suele tardar entre 3 y 5 semanas, según la complejidad del diseño y el volumen del pedido.


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