| Nombre De La Marca: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tiempo De Entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones De Pago: | T/T |
El anillo de silicio de precisión (anillo Si) es un componente consumible de grado semiconductor que se utiliza en equipos de procesamiento de obleas, deposición y grabado por plasma. Funciona como anillo de enfoque, anillo de borde o anillo de revestimiento de la cámara, lo que ayuda a controlar la distribución del plasma, mejorar la uniformidad del grabado y proteger el hardware de la cámara del bombardeo directo de iones.
Fabricado con silicio monocristalino o silicio policristalino de alta pureza, el anillo ofrece una excelente compatibilidad con los procesos de obleas de silicio. Esta combinación intrínseca de materiales reduce el riesgo de contaminación y garantiza un rendimiento estable del proceso en entornos de fabricación de semiconductores.
En los sistemas de plasma semiconductores (ICP, RIE, PECVD, CVD), los anillos de silicio están expuestos a:
En estas duras condiciones, los anillos de silicio sufren gradualmente una erosión controlada, razón por la cual se clasifican como componentes consumibles críticos en la fabricación de semiconductores.
Sus funciones principales incluyen:
Los anillos de silicio son naturalmente compatibles con los entornos de procesamiento de obleas de silicio, lo que minimiza la contaminación cruzada y respalda la producción de alto rendimiento.
En comparación con las alternativas de SiC, los anillos de silicio ofrecen:
El silicio de alta pureza garantiza un comportamiento eléctrico y material constante durante la exposición al plasma, lo que respalda condiciones de proceso estables.
Disponible en:
Fabricado con tolerancias estrictas para garantizar:
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Material | Silicio monocristalino / Silicio policristalino |
| Pureza | ≥ 99,999% (5N) |
| Diámetro máximo | Hasta 480 milímetros |
| Espesor | Personalizado (5–30 mm típico) |
| Resistividad (baja) | < 0,02 Ω·cm |
| Resistividad (media) | 1 – 4 Ω·cm |
| Resistividad (alta) | 70 – 90 Ω·cm |
| Uniformidad de resistividad | < 5% (RRG) |
| Acabado superficial | Pulido / Lapeado / Suelo |
| Rugosidad de la superficie | Ra ≤ 0,8 μm (parte inferior pulida) |
| Precisión de mecanizado | < 10 µm |
| Llanura | ≤ 30 μm (depende del tamaño) |
| Diseño de borde | Chaflán/Radio personalizable |
| Estándar de calidad | Sin grietas, astillas ni contaminación. |
Los anillos de silicona se utilizan ampliamente en:
Son particularmente adecuados para nodos semiconductores maduros y de nivel medio donde la rentabilidad y el rendimiento estable son prioridades clave.
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| Característica | Silicio monocristalino | Silicio policristalino |
|---|---|---|
| Uniformidad | Más alto | Moderado |
| Estabilidad eléctrica | Mejor | Estándar |
| Costo | Más alto | Más bajo |
| maquinabilidad | Bien | Muy bien |
| Uso típico | Procesos de alta precisión | Uso industrial general |
| Característica | Anillo de silicona | Anillo de SiC |
|---|---|---|
| Costo | Más bajo | Más alto |
| Resistencia al plasma | Moderado | Excelente |
| Vida | más corto | Más extenso |
| Dificultad de mecanizado | Más fácil | Más difícil |
| Mejor aplicación | Procesos estándar | Entornos de plasma hostiles |
Se prefieren los anillos de silicio cuando la rentabilidad y la compatibilidad del proceso son más importantes que una vida útil ultralarga.
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Los anillos de silicio siguen utilizándose ampliamente en las fábricas de semiconductores porque proporcionan:
Son una opción práctica y confiable para entornos de fabricación de gran volumen.
La personalización disponible incluye:
Sí. Es un componente consumible que se erosiona gradualmente bajo la exposición al plasma y debe reemplazarse periódicamente.
El silicio monocristalino proporciona una mejor uniformidad y rendimiento eléctrico, mientras que el silicio policristalino ofrece un menor costo y una fabricación flexible.
Sí. Las dimensiones, la resistividad, el acabado de la superficie y la geometría se pueden personalizar según los requisitos o los dibujos del equipo.
Los anillos de silicio suelen tener una vida útil más corta debido a una menor resistencia al plasma, especialmente en entornos de grabado agresivos.
La producción suele tardar entre 3 y 5 semanas, según la complejidad del diseño y el volumen del pedido.