2 pulgadas tipo N 6H politipo de carburo de silicio sustrato optoelectrónica crecimiento de nitruro de galio

Descripción del producto

Esto...Wafer de carburo de silicio de tipo N de tipo politipo 6H de 2 pulgadas (50,8 mm)Es un sustrato semiconductor de alto rendimiento diseñado para investigación avanzada y aplicaciones electrónicas especializadas.3.02 eV, esta oblea proporciona una conductividad térmica superior y una resistencia de campo de alta degradación en comparación con el silicio tradicional.

Dopado con nitrógeno para lograr una conductividad constante de tipo N, presenta un rango de resistividad típico de0.030 ¢ 0.080Ohm-cmEl sustrato es pulido con precisión mediante pulido químico mecánico en la cara de silicio hasta una rugosidad a escala atómica (Ra < 0.5En la mayoría de los casos, el crecimiento epitaxial se produce a una velocidad de aproximadamente 1 m/s.330- ¿ Qué?- ¿ Qué?espesor con un plano primario orientado a la <1010>En la actualidad, la tecnología de la luz ultravioleta es una herramienta esencial para el desarrollo de sensores UV, electrónica de alta temperatura y componentes de energía GaN-on-SiC.

Características:

1.Amplio espacio de banda
El politipo 6H proporciona una banda robusta de3.02 eV, superando significativamente el silicio tradicional en ambientes de alto voltaje y alta temperatura.Esta propiedad física permite al material mantener la integridad estructural y eléctrica bajo estrés térmico extremo, lo que lo convierte en un sustrato ideal para la UV-optoelectrónica especializada y los sensores resistentes a la radiación que requieren estabilidad a largo plazo.

2- Polido de la superficie de precisión

Cada oblea se somete a un riguroso proceso de pulido químico mecánico, lo que resulta en un lado de silicio con suavidad a nivel atómico (Ra < 0.5Este acabado de superficie prístino es crítico para el crecimiento epitaxial de alto rendimiento,reducción al mínimo de los desajustes en la red y la propagación de defectos al depositar capas adicionales de nitruro de galio o carburo de silicio para la fabricación de dispositivos.

3Excelente conductividad térmica.

con una conductividad térmica de hasta4.9 W/cm·K, este sustrato de tipo N actúa como un dispersor de calor altamente eficiente.permite mayores densidades de potencia y reduce el tamaño y el peso de los sistemas de refrigeración en módulos de potencia compactos.

Aplicaciones:

Electrónica de potencia y conversión de energía

La oblea de carburo de silicio tipo N de 2 pulgadas 6H sirve como un bloque de construcción fundamental para la electrónica de potencia avanzada, particularmente en sectores que requieren una conversión de energía de alta eficiencia.Debido a su amplio intervalo de banda y alta conductividad térmica, se utiliza para desarrollar diodos de barrera de Schottky y MOSFET de potencia que operan mucho más allá de los límites térmicos del silicio tradicional.Estos componentes son esenciales para reducir las pérdidas de energía en los motores industrialesAl permitir frecuencias de conmutación más altas, esta oblea ayuda a los ingenieros a diseñar módulos de energía más pequeños, ligeros y eficientes,en última instancia, conducir la transición hacia sistemas de energía más ecológicos e infraestructuras de red de alta tensión más confiables en diversas aplicaciones industriales globales.

Optoelectrónica y tecnología de detección UV

En el ámbito de la optoelectrónica, el 6H-SiC es una opción de sustrato principal para la detección de luz ultravioleta (UV) de alto rendimiento y la fabricación especializada de LED.Su estructura electrónica única hace que sea naturalmente "ciego" a la luz visible mientras permanece muy sensible al espectro UV, que es fundamental para la detección de llamas, sistemas de alerta de misiles y monitoreo ambiental. Además, debido a que su constante de rejilla es una coincidencia cercana para el nitruro de galio (GaN),Estas obleas se utilizan con frecuencia como base para el cultivo de capas epitaxiales de alta calidad.. This synergy allows for the creation of high-brightness blue and violet light-emitting diodes and laser diodes that maintain consistent performance and longevity even when subjected to intense operational heat or radiation.

Investigación, desarrollo y pruebas de prototipos

El formato de 2 pulgadas de la oblea de tipo 6H N es especialmente apreciado dentro de los laboratorios de investigación académicos y corporativos para pruebas de línea piloto y caracterización de materiales. Its manageable size and cost-effectiveness allow researchers to experiment with novel thin-film deposition techniques and advanced lithography processes without the high overhead associated with larger-diameter production wafersEs una herramienta indispensable para estudiar la física de los semiconductores de banda ancha, incluida la movilidad del portador y la captura de interfaces en el límite SiC/SiO2.Estas obleas aceleran el desarrollo de sensores de alta temperatura de próxima generación y electrónica resistente a la radiación para la exploración aeroespacial, la perforación de pozos profundos, y otros entornos extremos donde los semiconductores estándar inevitablemente fallarían.

Parámetros técnicos: