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Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado

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Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado

Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips
Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips

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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: Las fichas de carburo de silicio
Pago y Envío Términos:
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Contacto
Descripción detallada del producto
El material: Carburo de silicio tamaño: Personalizado
El grosor: personalizado El tipo: 4H,6H,3C
Aplicación: Vehículos eléctricos de comunicación 5G
Resaltar:

Dispositivos semiconductores de carburo de silicio 3C Sic

,

Dispositivos semiconductores de carburo de silicio 4H Sic

,

Dispositivos semiconductores de carburo de silicio 6H Sic

Descripción del producto

Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado

Un chip de carburo de silicio es un dispositivo semiconductor hecho de material de carburo de silicio (SiC).Aprovecha las excelentes propiedades físicas y químicas del carburo de silicio para mostrar un excelente rendimiento a altas temperaturas, ambientes de alta presión y alta frecuencia.
Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado 0

Características

• Alta dureza y resistencia al desgaste: El carburo de silicio tiene una alta dureza y una excelente resistencia al desgaste, que puede resistir el desgaste de la superficie y prolongar la vida útil.
• Alta resistencia: capaz de soportar cargas elevadas y tensiones mecánicas elevadas, adecuado para su uso en entornos de alta carga y tensión.
• Alta estabilidad térmica: el carburo de silicio tiene una excelente estabilidad térmica, un pequeño coeficiente de expansión térmica, una alta conductividad térmica,puede soportar el estrés y el choque térmico a altas temperaturas, y la temperatura de trabajo máxima puede alcanzar más de 600°C.
• Banda ancha: La banda ancha del SiC le permite funcionar bien en entornos de alta temperatura y alto voltaje, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.

Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado 1

• Alta movilidad de los electrones: La alta movilidad de los electrones permite que el dispositivo funcione a altas velocidades y frecuencias.
• Alta tasa de saturación de electrones: La tasa de saturación de electrones del carburo de silicio es el doble que la del silicio,que permite a los dispositivos de carburo de silicio alcanzar frecuencias de funcionamiento y densidades de potencia más altas.
• Alta resistencia del campo eléctrico de ruptura: capaz de soportar el funcionamiento de alto voltaje, reduciendo el tamaño y el peso.
• Estabilidad química: Extremadamente resistente a la mayoría de los ácidos, álcalis y agentes oxidantes, y conserva el rendimiento en ambientes químicos adversos.

Parámetros técnicos

Propiedad 4H-SiC, cristal único 6H-SiC, cristal único
Parámetros de la red a=3,076 Å c=10,053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Secuencia de apilamiento El ABCB El ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Coeficiente de expansión térmica 4 a 5 × 10 a 6/K 4 a 5 × 10 a 6/K
Indice de refracción @750nm

no = 2.61

n = 2.66

no = 2.60

n = 2.65
Constante dieléctrica C ~ 9.66 C ~ 9.66
Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)

a ~ 4,2 W/cm·K@298K

C ~ 3,7 W/cm·K@298K

  
Conductividad térmica (semi-aislante)

a ~ 4,9 W/cm·K@298K

C ~ 3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K

C ~ 3,2 W/cm·K@298K
- ¿ Qué haces? 3.23 eV 3.02 eV
Campo eléctrico de ruptura 3 a 5 × 106 V/cm 3 a 5 × 106 V/cm
Velocidad de deriva de saturación 2.0 × 105 m/s 2.0 × 105 m/s

Aplicaciones

• electrónica de potencia: se utiliza para diseñar fuentes de alimentación con alta eficiencia y alta densidad de potencia, adecuadas para vehículos eléctricos, inversores solares y otros campos,mejorar la eficiencia de la conversión de energía y reducir los costes del sistema.
• Comunicación inalámbrica: se utiliza para diseñar amplificadores de alta frecuencia y alta velocidad de RF, adecuados para comunicaciones 5G, satélites, radar y otros campos.
• Iluminación LED: se utiliza para diseñar controladores LED de alta eficiencia y brillo, adecuados para iluminación interior y exterior y otros campos.
• Automotriz: puede utilizarse para hacer sistemas de accionamiento de vehículos eléctricos y sistemas de gestión de baterías más eficientes y fiables.
• Aeroespacial: los chips de carburo de silicio pueden soportar ambientes adversos como altas temperaturas y radiación para garantizar el funcionamiento estable del sistema.
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Preguntas frecuentes

1.P: ¿Qué es el sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P?

R: El sustrato de carburo de silicio de tipo 4H-P es un material semiconductor de tipo P (tipo de cavidad) con tipo de cristal 4H. Con sus excelentes propiedades físicas y químicas, como alta dureza,alta conductividad térmica, campo eléctrico de alta degradación, etc., tiene una amplia gama de aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y otros campos.

 

2P: ¿Ofrece servicios personalizados para sustratos de carburo de silicio tipo 4H-P?

R: Sí, nuestra empresa proporciona servicio personalizado para el sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P. Los clientes pueden elegir sustratos con diferentes especificaciones y parámetros, como diámetro, grosor,concentración de dopaje, etc., de acuerdo con sus necesidades específicas para satisfacer los requisitos de aplicaciones específicas.

 

 

Etiqueta: #Carburo de silicio, #4H/6H/3C, #Dispositivos semiconductores.

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substrato del carburo de silicio

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