Resumen técnico de una oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas Diámetro de la oblea epitaxial SiC de 6 pulgadas 150 mm tipo N tipo P tipo para comunicación 5G Como material básico para la fabricación de ... Leer más
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2 pulgadas de Wafer SiC epitaxial 4H visión general 2 pulgadas de diámetro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial para sensores de alta temperatura ZMSH es un proveedor líder a nivel mundial de soluciones de ... Leer más
Substrato de carburo de silicio (SiC) de 4H-N 2/3/4/6/8/12 pulgadas Esta serie de productos proporciona sustratos de carburo de silicio (SiC) de alta pureza en múltiples diámetros (2", 3", 4", 6", 8" y 12"), ... Leer más
HPSI Wafers de SiC de alta pureza semisoladores 2/3/4/6/8 pulgadas Prime/Dummy/Grade de investigación Las obleas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza (HPSI) son sustratos semiconductores avanzados dise... Leer más
Resumen de lasOferta de SiCOI 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 4 H-SiCOI obleas SiC compuesto en sustratos aislantes Las obleas SICOI (Carburo de silicio en aislante) representan una tecnología de sustrato ... Leer más
Resumen de lasWafer de semillas de SiC Ofras de semillas de cristal de SiC Dia 205 203 208 Producción grado de crecimiento PVT/HTCVD Las obleas de cristal de semilla de carburo de silicio (SiC) son los ... Leer más
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Resumen de la placa portadora de SiC Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas La placa portadora de SiC (placa portadora de carburo de silicio) es un componente ... Leer más