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Sic substrato

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Sic substrato

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Porcelana Diámetro de la oblea epitaxial SiC de 6 pulgadas 150 mm Tipo 4H-N Tipo 4H-P Tipo para comunicación 5G fábrica

Diámetro de la oblea epitaxial SiC de 6 pulgadas 150 mm Tipo 4H-N Tipo 4H-P Tipo para comunicación 5G

Resumen técnico de una oblea epitaxial de SiC de 6 pulgadas Diámetro de la oblea epitaxial SiC de 6 pulgadas 150 mm tipo N tipo P tipo para comunicación 5G Como material básico para la fabricación de ... Leer más
2025-07-07 09:23:01
Porcelana Wafer epitaxial de 4 pulgadas de SiC 4H-N Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado primario fábrica

Wafer epitaxial de 4 pulgadas de SiC 4H-N Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado primario

· Soluciones integrales: epitaxia CVD, implantación de iones, recocido y validación de dispositivos. 2. Capacidad de producción· Obleas de 6 pulgadas: capacidad anual de 360.000; línea de I+D de 8 pulgadas ... Leer más
2025-07-01 13:16:40
Porcelana Wafer epitaxial de SiC tipo 4H-N de 2 pulgadas de diámetro (50,8 mm) para sensores de alta temperatura fábrica

Wafer epitaxial de SiC tipo 4H-N de 2 pulgadas de diámetro (50,8 mm) para sensores de alta temperatura

2 pulgadas de Wafer SiC epitaxial 4H visión general 2 pulgadas de diámetro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial para sensores de alta temperatura ZMSH es un proveedor líder a nivel mundial de soluciones de ... Leer más
2025-07-01 13:16:40
Porcelana Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / grado de investigación fábrica

Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / grado de investigación

Substrato de carburo de silicio (SiC) de 4H-N 2/3/4/6/8/12 pulgadas Esta serie de productos proporciona sustratos de carburo de silicio (SiC) de alta pureza en múltiples diámetros (2", 3", 4", 6", 8" y 12"), ... Leer más
2025-06-17 13:40:54
Porcelana HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación fábrica

HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación

HPSI Wafers de SiC de alta pureza semisoladores 2/3/4/6/8 pulgadas Prime/Dummy/Grade de investigación Las obleas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza (HPSI) son sustratos semiconductores avanzados dise... Leer más
2025-06-17 13:32:22
Porcelana Obleas de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiCOI, sustratos compuestos de SiC sobre aislante fábrica

Obleas de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiCOI, sustratos compuestos de SiC sobre aislante

Resumen de lasOferta de SiCOI 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 4 H-SiCOI obleas SiC compuesto en sustratos aislantes Las obleas SICOI (Carburo de silicio en aislante) representan una tecnología de sustrato ... Leer más
2025-06-10 17:24:22
Porcelana Ofras de semillas de cristal de SiC Dia 205 203 208 Producción grado de crecimiento PVT/HTCVD fábrica

Ofras de semillas de cristal de SiC Dia 205 203 208 Producción grado de crecimiento PVT/HTCVD

Resumen de lasWafer de semillas de SiC Ofras de semillas de cristal de SiC Dia 205 203 208 Producción grado de crecimiento PVT/HTCVD Las obleas de cristal de semilla de carburo de silicio (SiC) son los ... Leer más
2025-05-26 11:39:21
Porcelana Wafer de semillas de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pulgadas-12 pulgadas Personalizado para la fabricación de MOSFETs fábrica

Wafer de semillas de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pulgadas-12 pulgadas Personalizado para la fabricación de MOSFETs

Resumen de lasOfras de semillas de SiC Wafer de semillas de SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 pulgadas-12 pulgadas personalizado Usado para la fabricación de MOSFETs Las obleas de cristal de semilla de carburo de ... Leer más
2025-05-26 11:39:21
Porcelana Efector de extremo de portador de cerámica Sic personalizado para manejo de obleas fábrica

Efector de extremo de portador de cerámica Sic personalizado para manejo de obleas

Resumen de lasEfector final para el manejo de obleas Efector final de portador de cerámica Sic personalizado para manejo de obleas El efector final de manipulación de obleas, fabricado con tecnología de ... Leer más
2025-05-26 11:36:35
Porcelana Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas fábrica

Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas

Resumen de la placa portadora de SiC Placa portadora recubierta de SiC de alta pureza para el manejo y transferencia de obleas La placa portadora de SiC (placa portadora de carburo de silicio) es un componente ... Leer más
2025-05-26 11:36:35
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