Sustratos de carburo de silicio semiconductores de alta pureza - Soluciones de obleas de múltiples diámetros (2" a 8")

Las obleas de carburo de silicio semiaislantes de alta pureza (HPSI) representan materiales de sustrato semiconductores avanzados diseñados para entornos operativos de alta frecuencia, alta potencia y temperatura elevada. Fabricados en configuraciones de 2 a 8 pulgadas de diámetro, estos sustratos están disponibles en múltiples niveles de calidad: Prime Grade (para producción), Dummy Grade (para verificación de procesos) y Research Grade (para fines experimentales), abordando diversos requisitos en la fabricación industrial y la investigación científica.

• Infraestructura de comunicaciones de alta frecuencia (estaciones base 5G)
• Componentes del sistema de radar aeroespacial y de defensa.
• Sistemas de conversión de energía para vehículos eléctricos.
• Desarrollo de procesos de semiconductores avanzados
• Investigación de vanguardia en ciencia de materiales

Este material exhibe una resistividad eléctrica extremadamente alta, lo que minimiza efectivamente las fugas de corriente parásita en aplicaciones de alta frecuencia y alto voltaje.

Sí, admitimos especificaciones personalizadas que incluyen concentración de dopaje, parámetros dimensionales y características de superficie para productos Prime y Research Grade.

Las obleas Prime Grade presentan una densidad de defectos mínima adecuada para la fabricación activa de dispositivos, mientras que Dummy Grade proporciona soluciones económicas para pruebas de procesos y calibración de equipos.

Cada oblea se somete a un sellado al vacío individual utilizando materiales compatibles con salas blancas para garantizar la integridad de la superficie durante el transporte.

Los pedidos con especificaciones estándar generalmente se envían en un plazo de 2 a 4 semanas, mientras que los requisitos personalizados generalmente requieren de 4 a 6 semanas para su cumplimiento.

Cadena productiva completa desde el corte hasta la limpieza final y embalaje.

Capacidad para recuperar obleas con diámetros de 4 a 12 pulgadas.

20 años de experiencia en oblea y recuperación de materiales electrónicos monocristalinos.

ZMSH Technology puede proporcionar a los clientes sustratos de SiC conductores semiaislantes y HPSI (semiaislantes de alta pureza) importados y nacionales de alta calidad en lotes; Además, puede proporcionar a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas y también puede personalizarse según las necesidades específicas de los clientes, sin una cantidad mínima de pedido.