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Porcelana Dispositivo electrónico de alta potencia de tipo pin de fondo plano Cu≥99.9% distribuidor
Dispositivo electrónico de alta potencia de tipo pin de fondo plano Cu≥99.9%

Oblea del fosfuro de indio

(34)
Porcelana Dispositivo electrónico de alta potencia de tipo pin de fondo plano Cu≥99.9% fábrica

Dispositivo electrónico de alta potencia de tipo pin de fondo plano Cu≥99.9%
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Resumen de cSubstrato superior del disipador de calor Dispositivo electrónico de alta potencia de tipo pin de fondo plano Cu≥99.9% El substrato del disipador de calor de cobre es un elemento disipador de calor ... Leer más
2025-04-14 17:37:13
Porcelana InComo arseniuro de indio2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semiconductor espesor de la oblea 300-800um fábrica

InComo arseniuro de indio2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semiconductor espesor de la oblea 300-800um
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Descripción del producto InComo arseniuro de indio2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semiconductor espesor de la oblea 300-800um El indio InAs o indio arseniuro monolítico ... Leer más
2024-12-05 11:57:01
Porcelana Substrato de germanio GE Lentes ópticas de ventanas planas Aplicaciones de imágenes térmicas y espectroscopia infrarroja Alta dureza fábrica

Substrato de germanio GE Lentes ópticas de ventanas planas Aplicaciones de imágenes térmicas y espectroscopia infrarroja Alta dureza
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Descripción del producto Substrato de germanio GE Ventanas planas Lentes ópticas Aplicaciones de imágenes térmicas y espectroscopia infrarroja Alta dureza La ventana de germanio (Ge) es un material químicamente ... Leer más
2024-11-18 10:47:17
Porcelana Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado fábrica

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado
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Descripción del producto Substratos de semiconductores de obleas de germanio < 111> concentrando CPV fotovoltaico en forma de tamaño personalizado El germanio de alta pureza es dopado con elementos trivalentes ... Leer más
2024-11-18 10:47:17
Porcelana Óxido de magnesio Pureza 95% MgO Film Substrato 5x5 10x10 20x20 espesor 0,5 mm 1,0 mm Orientación &lt;001&gt; &lt;110&gt; &lt;111&gt; fábrica

Óxido de magnesio Pureza 95% MgO Film Substrato 5x5 10x10 20x20 espesor 0,5 mm 1,0 mm Orientación <001> <110> <111>
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Purificación de óxido de magnesio 95% MgO película de sustrato 5x5 10x10 20x20 espesor 0,5 mm orientación 1,0 mm Descripción del producto: El óxido de magnesio (MgO) monocristalino de sustrato de película ... Leer más
2024-11-18 10:47:16
Porcelana InP Wafer epitaxial láser Wafer de fosfuro de indio DFB/EML Wafer expitaxial para detección inteligente fábrica

InP Wafer epitaxial láser Wafer de fosfuro de indio DFB/EML Wafer expitaxial para detección inteligente
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Wafer epitaxial de 2 pulgadas de fosfuro de indio semi-aislante para el diodo láser LD, wafer epitaxial semiconductor, wafer InP de 3 pulgadas, wafer de cristal único 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de ... Leer más
2024-09-10 15:33:01
Porcelana InAs Wafer Doped Zn 2 pulgadas Wafer de arseniuro de indio Dia 50mm espesor 500um &lt;100&gt; personalizado fábrica

InAs Wafer Doped Zn 2 pulgadas Wafer de arseniuro de indio Dia 50mm espesor 500um <100> personalizado
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2 pulgadas de wafer de arseniuro de indio InAs epitaxial wafer para diodo láser LD, semiconductor epitaxial wafer, 3 pulgadas de wafer InAs-Zn,Substrato InAs de cristal único de 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas ... Leer más
2024-09-10 15:33:00
Porcelana Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas fábrica

Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas
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Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas Resumen de la oblea DFB para el substrato N-InP de la epioblea Una oblea de retroalimentación distribuida (DFB... Leer más
2024-09-10 15:33:00
Porcelana DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 pulgadas longitud de onda de operación 1,3 μm, 1,55 μm fábrica

DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 pulgadas longitud de onda de operación 1,3 μm, 1,55 μm
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DFB Epiwafer InP sustrato método MOCVD 2 4 6 pulgadas longitud de onda de funcionamiento: 1,3 μm, 1,55 μm El substrato de DFB Epiwafer InP es el resumen Los Epiwafers en sustratos de fosfuro de indio (InP) son ... Leer más
2024-09-10 15:33:00
Porcelana FP Epiwafer InP capa de contacto del sustrato InGaAsP Dia 2 3 4 pulgadas para la banda de longitud de onda OCT 1.3um fábrica

FP Epiwafer InP capa de contacto del sustrato InGaAsP Dia 2 3 4 pulgadas para la banda de longitud de onda OCT 1.3um
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FP epiwafer InP capa de contacto del sustrato InGaAsP Dia 2 3 4 pulgadas para banda de longitud de onda OCT 1.3um FP epiwafer resumen del sustrato InP Las epiwafers Fabry-Perot (FP) en sustratos de fosfuro de ... Leer más
2024-09-10 15:33:00
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Sic substrato

De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic

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4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo

Oblea del zafiro

Orientación de encargo del Special de Windows del vidrio/zafiro del zafiro de la oblea de semiconductor

Wafer de zafiro espesor 0,43 mm componentes de zafiro tamaño personalizado y orientaciones

Oblea del zafiro/cristal cuadrados 10x10m m 5x5m m del zafiro para la lente óptica

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Oblea del nitruro del galio

Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser

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Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro

oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si

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