Wafer de fosfuro de indio InP Substrato semiconductor epitaxial 2'' 3' 4' espesor 350um

Wafer de fosfuro de indio InP Substrato semiconductor epitaxial de 2'' 3' de espesor 350um

Descripción deFósforo de indio:

Los chips de fosfuro de indio (InP) son un material ampliamente utilizado en optoelectrónica y dispositivos de semiconductores.

• Alta movilidad de electrones: los chips de fosfuro de indio tienen una alta movilidad de electrones, lo que significa que los electrones se mueven más rápido a través del material.

• Propiedades controladas del material: Las propiedades de las obleas de fosfuro de indio se pueden regular controlando el proceso de crecimiento epitaxial del material y las técnicas de dopado.

• Amplio intervalo de banda: La oblea de fosfuro de indio tiene un amplio intervalo de banda, lo que le permite operar en los rangos de luz visible e infrarroja.

• Alta velocidad de deriva de saturación: la oblea de fosfuro de indio tiene una alta velocidad de deriva de saturación, lo que significa que la velocidad de deriva de electrones alcanza el máximo bajo un campo eléctrico alto.

• Excelente conductividad térmica: la oblea de fosfuro de indio tiene una alta conductividad térmica, lo que significa que es capaz de conducir y disipar el calor de manera eficiente,mejorar así la fiabilidad y la estabilidad de rendimiento del dispositivo.

Características delFósforo de indio:

Los chips de fosfuro de indio (InP) tienen algunas características notables que los hacen ampliamente utilizados en optoelectrónica y semiconductores.Las siguientes son algunas de las características principales de los materiales de chips de fosfuro de indio:

• Intervalo de banda directa: El fosfuro de indio tiene una característica de intervalo de banda directa que lo hace excelente en dispositivos ópticos.

• Rango de banda ancha: El fosfuro de indio tiene una banda ancha que va desde el espectro infrarrojo hasta el ultravioleta.

• Alta movilidad electrónica: El fosfuro de indio tiene una alta movilidad electrónica, lo que lo hace excelente en electrónica de alta frecuencia y optoelectrónica de alta velocidad.

• Excelente conductividad térmica: El fosfuro de indio tiene una alta conductividad térmica y puede disipar el calor de manera efectiva.

• Buena estabilidad mecánica y química: los chips de fosfuro de indio tienen una buena estabilidad mecánica y química y pueden mantener la estabilidad y la fiabilidad en diferentes condiciones ambientales.

• Estructura de banda ajustable: La estructura de banda de los materiales de fosfuro de indio puede regularse mediante técnicas de dopaje y aleación para satisfacer los requisitos de diferentes dispositivos.

Parámetros técnicos deFósforo de indio:

Las aplicaciones deFósforo de indio:

Las obleas de fosfuro de indio (InP) tienen una amplia gama de aplicaciones en optoelectrónica y sustratos de semiconductores:

• Comunicación óptica: las obleas InP se utilizan ampliamente en el campo de la comunicación óptica para sistemas de comunicación de fibra óptica de alta velocidad.con una capacidad de transmisión superior a 50 W, receptores ópticos, amplificadores ópticos y acopladores de fibra óptica.

• Dispositivos fotoelectrónicos: las obleas InP se utilizan para fabricar dispositivos fotoelectrónicos como fotodiodos, fotodetectores, células solares y fotoacopladores.

• Dispositivos electrónicos de alta velocidad: Los sustratos InP se utilizan ampliamente en el campo de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia.Los transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) de las wafes InP se utilizan para preparar dispositivos como amplificadores de alta frecuencia, interruptores de RF y circuitos integrados de microondas para aplicaciones tales como comunicaciones inalámbricas, sistemas de radar y comunicaciones por satélite.

• Dispositivos ópticos integrados: las obleas InP se utilizan para preparar dispositivos ópticos integrados como guías de onda ópticas, moduladores ópticos, interruptores ópticos y amplificadores ópticos.

• Investigación fotónica: las obleas InP juegan un papel importante en la investigación fotónica. Se utilizan en investigación de laboratorio, óptica cuántica, procesamiento de información cuántica y dispositivos ópticos cuánticos.

• Además de las aplicaciones anteriores, las obleas InP también se utilizan en otros campos, como la detección óptica, la biomedicina, el almacenamiento de luz y los sustratos de semiconductores.

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es el nombre de la marcaWafer InP?
A1: ElLa oblea InP eshecho por ZMSH.

P2: ¿Cuál es el diámetro de laWafer InP?
A2: El diámetro deLa oblea InP esDos, tres, cuatro.

P3: ¿Dónde está elWafer InP¿De dónde?
A3: ElWafer InPes de China.

P4: ¿Es elWafer InP¿Con certificación ROHS?
R4: Sí, elWafer InP es certificado ROHS.

P5: ¿Cuántos InP?¿Puedo comprar waffles a la vez?
A5: La cantidad mínima de pedido de laWafer InPEs de 5 piezas.

Otros productos:

Oferta de silicio