InP FP epiwafer InP sustrato n/p tipo 2 3 4 pulgadas con grosor de 350-650um para trabajo de red óptica

InP FP epiwafer InP sustrato n/p tipo 2 3 4 pulgadas con espesor de 350-650um para trabajo de red óptica

InP epiwafer's visión general

El Epiwafer de Fosfuro de Índio (InP) es un material clave utilizado en dispositivos optoelectrónicos avanzados, particularmente en los diodos láser Fabry-Perot (FP).Los Epiwafers InP consisten en capas cultivadas epitaxialmente en un sustrato InP., diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en telecomunicaciones, centros de datos y tecnologías de detección.

Los láseres FP basados en InP son vitales para la comunicación de fibra óptica, apoyando la transmisión de datos de corto a mediano alcance en sistemas como las redes ópticas pasivas (PON) y el multiplexado por división de ondas (WDM).Sus longitudes de onda de emisión, típicamente alrededor de 1,3 μm y 1,55 μm, se alinean con las ventanas de baja pérdida de las fibras ópticas, lo que las hace ideales para la transmisión a larga distancia y alta velocidad.

Estas obleas también encuentran aplicaciones en las interconexiones de datos de alta velocidad dentro de los centros de datos, donde el rendimiento rentable y estable de los láseres FP es esencial.Los láseres FP basados en InP se utilizan en el monitoreo ambiental y la detección de gases industriales, donde pueden detectar gases como el CO2 y el CH4 debido a su emisión precisa en bandas de absorción infrarrojas.

En el campo médico, las epiwafers InP contribuyen a los sistemas de tomografía de coherencia óptica (OCT), proporcionando capacidades de imagen no invasivas.Su integración en circuitos fotónicos y su posible uso en tecnologías aeroespaciales y de defensaLas nuevas tecnologías, como el LIDAR y la comunicación por satélite, destacan su versatilidad.

En general, los epiwafers InP son críticos para permitir una amplia gama de dispositivos ópticos y electrónicos debido a sus excelentes propiedades eléctricas y ópticas, particularmente en el rango de 1,3 μm a 1.rango de longitud de onda de 55 μm.

Estructura del epiwafer InP

Resultado del ensayo PL Mapping del epiwafer InP

Las fotos de InP epiwafer

Hoja de datos clave y características del epiwafer InP

Los Epiwafers de fosfuro de indio (InP) se distinguen por sus excelentes propiedades eléctricas y ópticas, lo que los hace esenciales para dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento.A continuación se muestra una descripción general de las propiedades clave que definen los Epiwafers InP:

1. Estructura cristalina y constante de la red

• Estructura cristalina: InP tiene una estructura cristalina de mezcla de zinc.
• Constantina de rejilla: 5.869 Å. La correspondencia casi perfecta de la rejilla con materiales como InGaAs e InGaAsP permite el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad,minimizando los defectos tales como dislocaciones y deformaciones.

2. Bandgap y longitud de onda de emisión

• Bandgap: InP tiene una banda directa de 1.344 eV a 300 K, lo que corresponde a una longitud de onda de emisión de alrededor de 0,92 μm.
• Rango de emisión de epiwafer: las capas epitaxiales cultivadas en InP generalmente permiten el funcionamiento del dispositivo en el rango de longitud de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, ideal para sistemas de comunicación óptica.

3Alta movilidad de electrones

• InP presenta una alta movilidad de electrones (5400 cm2/V·s), lo que resulta en un transporte rápido de electrones,que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta velocidad, como las telecomunicaciones y los circuitos fotónicos integrados.

4Conductividad térmica

• Conductividad térmica: InP tiene una conductividad térmica de aproximadamente 0,68 W/cm·K a temperatura ambiente.es adecuado para disipar el calor en muchos dispositivos optoelectrónicos, especialmente con una gestión térmica adecuada.

5Transparencia óptica

• InP es transparente a las longitudes de onda por encima de su banda, lo que permite una emisión y transmisión eficientes de fotones en el rango infrarrojo, particularmente en las longitudes de onda críticas de telecomunicaciones (1.3 μm y 1.55 μm).

6. Doping y conductividad

• Dopado de tipo n y tipo p: InP puede ser dopado con donantes (por ejemplo, azufre) o aceptores (por ejemplo, zinc), ofreciendo flexibilidad en la creación de regiones de tipo n y tipo p necesarias para varios dispositivos semiconductores.
• Alta conductividad: Las capas de contacto fuertemente dopadas cultivadas en sustratos InP aseguran contactos ómicos de baja resistencia, mejorando la eficiencia de la inyección de corriente en dispositivos como los láseres FP.

7Baja densidad de defectos

• Los Epiwafers InP presentan bajas densidades de defectos, cruciales para dispositivos de alto rendimiento.

En resumen, las propiedades de los Epiwafers InP, como la alta movilidad de electrones, la baja densidad de defectos, el emparejamiento de la red y el funcionamiento efectivo en longitudes de onda críticas de telecomunicaciones,Los hacen indispensables en la optoelectrónica moderna., especialmente en aplicaciones de comunicación y detección de alta velocidad.

Aplicación del epinefrina

Los Epiwafers de fosfuro de indio (InP) son críticos en varios campos de tecnología avanzada debido a sus excelentes propiedades optoelectrónicas.

1.Comunicación por fibra óptica

• Diodos láser (lasers FP/DFB): Los Epiwafers inP se utilizan para fabricar láseres Fabry-Perot (FP) y de retroalimentación distribuida (DFB), que operan a longitudes de onda de 1,3 μm y 1,55 μm.Estas longitudes de onda se alinean con las ventanas de transmisión de baja pérdida de las fibras ópticas, lo que los hace ideales para la comunicación de datos a larga distancia.
• Los demás aparatos fotodetectoresLos Epiwafers también se utilizan para fabricar fotodetectores para recibir señales ópticas en sistemas de fibra óptica.

2.Interconexiones del centro de datos

• Los láseres y detectores basados en InP se emplean en módulos ópticos que permiten interconexiones de alta velocidad y baja latencia dentro de los centros de datos, mejorando el rendimiento general de la red.

3.Detección óptica y detección de gases

• Sensores de gas: InP Epiwafers se utilizan para fabricar láseres que operan en el rango infrarrojo, adecuados para aplicaciones de detección de gases (por ejemplo, CO2, CH4) en la monitorización industrial, ambiental y de seguridad.
• Tomografía de coherencia óptica (OCT): Las fuentes de luz basadas en IP son cruciales para las tecnologías de imágenes médicas como la TCO, que se utilizan para el diagnóstico no invasivo en la atención médica.

4.Circuitos integrados fotónicos (PIC)

• InP Epiwafers son materiales básicos para circuitos integrados fotónicos que combinan múltiples funciones fotónicas (por ejemplo, láseres, moduladores,y detectores) en un solo chip para aplicaciones en comunicaciones de alta velocidad, procesamiento de señales y computación cuántica.

5.LIDAR (detección y alcance de la luz)

• Los láseres basados en InP se utilizan en sistemas LIDAR para vehículos autónomos, mapeo aéreo y diversas aplicaciones de defensa.fuentes de luz fiables generadas por epiwafers InP para mediciones de distancia y velocidad.

6.Comunicación por satélite y espacio

• Los láseres e fotodetectores InP desempeñan un papel crucial en las comunicaciones por satélite y en las aplicaciones aeroespaciales, ya que permiten una transmisión segura y de alta velocidad de datos a grandes distancias.

7.Defensa y Aeroespacial

• Los Epiwafers InP se utilizan en sistemas de defensa avanzados como radar de alta velocidad, guía de misiles y sistemas de comunicación seguros, donde el rendimiento confiable y de alta frecuencia es crítico.

Estas aplicaciones ponen de relieve la versatilidad y la importancia de los Epiwafers InP en los dispositivos optoelectrónicos y fotónicos modernos.

Pregunta y respuesta

¿Qué son las epiwafers InP?

Epiwafers con fosfato de indio (InP)son obleas semiconductoras compuestas de un sustrato InP con una o más capas de varios materiales (como InGaAs, InGaAsP o AlInAs) cultivadas epitaxialmente.Estas capas se depositan con precisión en el sustrato InP para crear estructuras de dispositivos específicos adaptados para aplicaciones optoelectrónicas de alto rendimiento.