- utilizar las obleas INA para la fabricación de
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- bandgap directo, emite luz de manera eficiente, utilizado en láseres.
- en el rango de longitudes de onda de 1,5 μm a 5,6 μm, estructuras de pozos cuánticos
- utilizando técnicas como MOCVD o MBE, grabado, metalización y embalaje para lograr la forma final del dispositivo
Descripción de laEn el caso de los productos de la categoría N2Ofras
El arseniuro de indio (InAs) es un material semiconductor importante que se utiliza ampliamente en campos como detectores infrarrojos y láseres debido a su estrecho intervalo de banda (alrededor de 0,354 eV).
InAs suele existir en forma de un sistema de cristal cúbico, y su alta movilidad de electrones hace que funcione bien en dispositivos electrónicos de alta velocidad.
Las obleas de InAs de alta calidad se pueden cultivar mediante técnicas como la epitaxia de haz molecular (MBE) o la deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD),que puede utilizarse para fabricar detectores de infrarrojos eficientes, especialmente en las bandas de 3-5 μm y 8-12 μm.
Además, la estructura de InAs dopada con zinc (Zn) puede ajustar su conductividad para formar semiconductores de tipo p o n, optimizando así sus propiedades eléctricas.
El desarrollo de los pozos cuánticos y las estructuras de puntos cuánticos ha mejorado aún más el potencial de aplicación de los INAs en el campo optoelectrónico.
La tecnología de puntos cuánticos permite a los AIN desempeñar un papel importante en campos emergentes como la computación cuántica y la bioimagen.
Con la creciente demanda de dispositivos infrarrojos de alto rendimiento y tecnologías cuánticas, las perspectivas de investigación y aplicación de los AIN y sus materiales dopados son amplias.
Detalles de lasEn el caso de los productos de la categoría N2Ofras
| Parámetro | InAs-ZnWafer |
| Composición del material | Arsénico de indio (InAs) + dopado de zinc |
| Estructura de cristal | Sistema cúbico (estructura de mezcla de zinc) |
| Ancho de banda | ~ 0,354 eV |
| Movilidad de los electrones | ~ 30.000 cm2/V·s |
| Movilidad de los agujeros | ~ 200 cm2/V·s |
| densidad | ~ 5,67 g/cm3 |
| Punto de fusión | - 942 °C |
| Conductividad térmica | - 0,5 W/m·K |
| Diferencia de banda óptica | ~ 0,354 eV |
| Método de dopaje | Dopaje de tipo P (a través del zinc) |
| Áreas de aplicación | Lasers infrarrojos, detectores, puntos cuánticos |
| Tamaño | Diámetro de 2 pulgadas |
| El grosor | 500 mm ± 25 mm |
| Orientación | El valor de las emisiones de CO2 |
Muestras deEn el caso de los productos de la categoría N2Ofras
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Sobre nosotros
Nuestra empresa, ZMSH, se especializa en la investigación, producción, procesamiento y ventas de sustratos de semiconductores y materiales ópticos de cristal.
Tenemos un equipo de ingeniería experimentado, experiencia en gestión, equipo de procesamiento de precisión e instrumentos de prueba,que nos proporciona capacidades extremadamente fuertes en el procesamiento de productos no estándar.
Podemos investigar, desarrollar y diseñar varios productos nuevos de acuerdo con las necesidades del cliente.
La empresa se adherirá al principio de "centrada en el cliente, basada en la calidad" y se esforzará por convertirse en una empresa de alta tecnología de primer nivel en el campo de los materiales optoelectrónicos.
Envolvemos las obleas con un embalaje de aluminio opaco y las ponemos en cajas pequeñas para protegerlas.
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