Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas

Wafer DFB N-InP sustrato epiwafer capa activa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pulgadas para el sensor de gas

Resumen de la oblea DFB para el substrato N-InP de la epioblea

Una oblea de retroalimentación distribuida (DFB) en un sustrato de fosfuro de indio (N-InP) de tipo n es un material crítico utilizado en la producción de diodos láser DFB de alto rendimiento.Estos láseres son esenciales para aplicaciones que requieren un solo modoLos láseres DFB suelen operar en los rangos de longitud de onda de 1,3 μm y 1,55 μm.que son óptimos para la comunicación de fibra óptica debido a la baja pérdida de transmisión en fibras ópticas.

ElSubstrato InP de tipo nproporciona una excelente combinación de rejillas para capas epitaxiales, como InGaAsP, que se utilizan para formar la región activa, las capas de revestimiento y la estructura de rejilla integrada del láser DFB.Esta rejilla permite una retroalimentación precisa y el control de la longitud de onda, por lo que es ideal para comunicaciones de larga distancia y sistemas de multiplexado por división de longitud de onda (WDM).

Las aplicaciones clave de los epiwafers DFB en sustratos N-InP incluyen transceptores ópticos de alta velocidad, interconexiones de centros de datos, detección de gases ambientales,y la obtención de imágenes médicas mediante tomografía óptica de coherencia (OCT)Las características de rendimiento de la oblea, como la modulación de alta velocidad, la estabilidad de la longitud de onda y el ancho de línea espectral estrecho, la hacen indispensable para las tecnologías modernas de comunicación y detección.

Las propiedades de la epinafres de base de N-InP de la oblea DFB

Material del sustrato: fosfuro de indio de tipo N (N-InP)

• Compatibilidad de la rejilla: El sustrato N-InP proporciona una excelente compatibilidad de la red con capas epitaxiales, como InGaAsP o InAlGaAs, reduciendo los defectos y la deformación, lo que es crítico para una fiabilidad,operación con láser de alto rendimiento.
• Alta movilidad de los electrones: InP tiene una alta movilidad de electrones, lo que permite un transporte de portadores eficiente, que es esencial para los láseres DFB de alta velocidad.
• Bandgap directo: InP tiene un intervalo de banda directo de 1,344 eV, lo que permite una emisión de luz eficiente en el espectro infrarrojo, específicamente en los rangos de longitud de onda de 1,3 μm y 1,55 μm.

Región activa y capas epitaxiales

• Capa activa de InGaAsP/InAlGaAs: La región activa, generalmente hecha de InGaAsP, es donde se produce la recombinación electrón-agujero, generando fotones.3 μm o 1.55 μm) para la comunicación óptica.
• Capas de revestimiento: Rodear la región activa, proporcionando confinamiento óptico, asegurando que la luz permanezca dentro de la región activa para un láser eficiente.
• Capa de rejilla: La estructura DFB incluye una rejilla incorporada que proporciona retroalimentación para el funcionamiento en modo único y un control preciso de la longitud de onda.

Largura de onda de funcionamiento

• 1.3 μm y 1.55 μm: Estas longitudes de onda son ideales para la comunicación de fibra óptica debido a las pérdidas mínimas de transmisión en las fibras ópticas, lo que hace que el epiwafer sea crucial para aplicaciones de telecomunicaciones.

• Modo único y ancho de línea estrecho

  • Los láseres DFB están diseñados para funcionar en un solo modo, produciendo luz con un ancho de línea espectral muy estrecho,que es fundamental para la transmisión de datos de alta velocidad y la reducción del ruido en los sistemas de comunicación óptica.

Estabilidad de longitud de onda

• Rejilla integrada: La rejilla en la estructura DFB asegura una salida de longitud de onda estable, lo que hace que el láser sea altamente confiable para comunicaciones de larga distancia y sistemas WDM.
• Estabilidad a temperatura: Las epiwafers DFB en sustratos N-InP ofrecen una excelente estabilidad a temperatura, asegurando un rendimiento constante en un amplio rango de temperaturas.

Corriente de umbral bajo

• La estructura optimizada del láser DFB en un sustrato N-InP conduce a corrientes de umbral bajas, lo que significa que se requiere menos energía para iniciar el láser, lo que hace que estas obleas sean altamente energéticamente eficientes.

Capacidad de modulación de alta velocidad

• Debido a la alta movilidad de electrones y la eficiente inyección de portadores en InP, los láseres DFB en sustratos N-InP son capaces de modulación de alta velocidad,lo que los hace ideales para su uso en transceptores ópticos de alta velocidad e interconexiones de centros de datos.

Prueba de mapeo PL de la epinafres de base N-InP de la oblea DFBZMSH DFB inp epiwafer.pdf)

Resultado del ensayo XRD y ECV del substrato N-InP de la wafer DFB

Aplicación de la wafer DFB con substrato N-InP de epiwafer

Las obleas DFB (Distributed Feedback) en sustratos de fosfuro de indio (N-InP) de tipo n son cruciales en varias aplicaciones optoelectrónicas de alto rendimiento, especialmente donde el modo único,se requiere una emisión de luz de ancho de línea estrechoA continuación se presentan las aplicaciones principales:

Comunicación óptica

• Redes de fibra óptica de larga distancia: los láseres DFB en sustratos N-InP se utilizan ampliamente en sistemas de comunicación óptica de larga distancia.55 μm es óptimo para minimizar la pérdida de señal en las fibras ópticas, por lo que son ideales para la transmisión de datos de alta velocidad.
• Sistemas WDM (multiplexado por división de longitud de onda): en los sistemas WDM densos, los láseres DFB se utilizan para generar longitudes de onda precisas para diferentes canales.Su estrecho ancho de línea y la estabilidad de longitud de onda son esenciales para maximizar el número de canales en el espectro óptico.

Interconexiones del centro de datos

• Transmisión de datos de alta velocidad: Los láseres DFB se emplean en transceptores ópticos utilizados para la transmisión de datos de alta velocidad de corta a media distancia dentro de los centros de datos.Su capacidad de modulación de alta frecuencia y su bajo consumo de energía son fundamentales para las operaciones de eficiencia energética.

Detección de gases ambientales

• Detección de gases: Los láseres DFB se utilizan en sensores de gases ambientales para detectar gases específicos, como CO2 y CH4.se pueden realizar mediciones de alta sensibilidad para aplicaciones de monitoreo industrial y ambiental.
• Espectroscopia de absorción láser: los láseres DFB proporcionan un ancho de línea estrecho y una salida estable, lo que los hace ideales para aplicaciones de detección y espectroscopia de gases precisas.

Diagnóstico médico (tomografía de coherencia óptica - TCO)

• Oftalmología y Dermatología: Los láseres DFB se utilizan en sistemas de tomografía de coherencia óptica (OCT), que se utilizan ampliamente para imágenes de alta resolución de tejidos biológicos.El ancho de línea espectral estrecho y la salida de longitud de onda estable ayudan a generar imágenes claras y detalladas, esencial para el diagnóstico no invasivo en oftalmología y dermatología.

Sistemas LIDAR (detección y alcance de la luz)

• Vehículos autónomos y mapeo 3D: los láseres DFB se utilizan en los sistemas LIDAR para medir distancias y mapas de entornos.Su estrecho ancho de línea y su rendimiento estable permiten medidas precisas de distancia y detección de objetos en la conducción autónoma, drones y sistemas de mapeo 3D.

Comunicación por satélite y espacio

• Comunicación de alta frecuencia: los láseres DFB se emplean en sistemas de comunicación por satélite para transmitir señales de datos de alta frecuencia a larga distancia.Su estabilidad de longitud de onda y bajo consumo de energía son vitales para una comunicación espacial confiable, donde la temperatura y las condiciones ambientales pueden variar.

Circuitos integrados fotónicos (PIC)

• Optoelectrónica integrada: los epiwafers DFB se utilizan en circuitos integrados fotónicos (PIC), que combinan múltiples componentes ópticos, como láseres, moduladores y detectores, en un solo chip.Estos circuitos son esenciales para las aplicaciones de comunicación de datos de alta velocidad y procesamiento de señales.

Militar y aeroespacial

• Comunicación segura y orientación: los láseres DFB se utilizan en aplicaciones militares para comunicaciones seguras y de alta frecuencia.Su estrecho ancho de línea y la estabilidad de longitud de onda son cruciales para minimizar la interferencia de la señal en entornos de comunicación complejos.
• Objetivo de precisión: en la industria aeroespacial y de defensa, los láseres DFB se emplean en sistemas de orientación y orientación que requieren un control preciso de la longitud de onda y la estabilidad.

Espectroscopia de precisión

• Investigación científica: los láseres DFB se utilizan en espectroscopia de precisión para el análisis detallado de materiales y composiciones químicas.Su ancho de línea estrecho y longitud de onda ajustable los hacen ideales para mediciones precisas en investigación científica y aplicaciones industriales.

Las fotos reales de la oblea DFB N-InP substrato epiwafer

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