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Wafer epitaxial láser GaAs Gallio Arsenuro Wafer VCSEL/PD Wafer expitaxial para detección inteligente

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tipo substratos del método P del crecimiento de 6Inch VGF del GaAs de las obleas del GaAs

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lado doble de los substratos del arseniuro de galio de las obleas del GaAs del dopante de 2inch Si pulido para el LED

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N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs

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