Detalles del producto
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: ROHS
Número de modelo: Oblea de 6INCH GaAs
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: Película del ANIMAL DOMÉSTICO en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 500PCS/Month
Material: |
Monocristal GaAs |
Industria: |
oblea del semicondutor para el ld o llevada |
Uso: |
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del |
Método: |
CZ |
Tamaño: |
2inch~6inch |
Grueso: |
0.425m m |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
Si-dopado |
MOQ: |
10pcs |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
Material: |
Monocristal GaAs |
Industria: |
oblea del semicondutor para el ld o llevada |
Uso: |
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del |
Método: |
CZ |
Tamaño: |
2inch~6inch |
Grueso: |
0.425m m |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
Si-dopado |
MOQ: |
10pcs |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
lado doble de los substratos del arseniuro de galio de las obleas del GaAs del dopante de 2Inch Si pulido para el uso del LED
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Oblea del GaAs
El arseniuro de galio es un compuesto integrado por el galio metálico y el arsénico semimetálico en el ratio atómico 1: 1. Tiene un lustre metálico gris y su estructura cristalina es tipo de la esfalerita. El arseniuro de galio había sido sintetizado ya en 1926. Sus propiedades del semiconductor fueron confirmadas en 1952. Los dispositivos hicieron de los materiales del arseniuro de galio tienen la buena respuesta de frecuencia, la velocidad y alta temperatura de funcionamiento, que pueden cubrir las necesidades de la optoelectrónica integrada. Es actualmente el material optoelectrónico más importante, pero también el material microelectrónico más importante después del material del silicio, es conveniente para la fabricación de dispositivos y de circuitos de alta frecuencia, de alta velocidad.
| Tipo/导电类型/掺杂元素 del dopante | Semi-aislado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 应用 del uso | Eletronic micro | LED | Diodo láser | |
| 长晶方式 del método del crecimiento | VGF | |||
| 直径 del diámetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| 晶向 de la orientación | (100) ±0.5° | |||
| 厚度 del grueso (µm) | 350-625um±25um | |||
| 参考边 de OF/IF | Los E.E.U.U. EJ o muesca | |||
| 载流子浓度 de la concentración de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 de la resistencia (ohmio-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 de la movilidad (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 位错密度 de la densidad de la echada del grabado de pistas (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 de TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| 平整度 de TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| 翘曲度 de la deformación (µm) | <10> | |||
| 表面加工 acabado superficial | P/P, P/E, E/E | |||
SOBRE NUESTRO ZMKJ
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs-30pcs.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
