Enviar mensaje
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Correo: eric_wang@zmsh-materials.com Teléfono: 86-1580-1942596
Hogar > PRODUCTOS > Oblea del GaAs >
N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs
  • N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs
  • N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs
  • N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs
  • N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs

N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs

Lugar de origen China
Nombre de la marca ZMSH
Certificación CE
Número de modelo N-type/P-type
Detalles del producto
Material:
InAs monocristalino
Grueso:
500um ±25um
Tipo:
Un-doepd/Sn/S/Zn-doped
Orientación:
100/111
Método del crecimiento:
LEC
Uso:
dispositivo infrarrojo de la luminiscencia
Industria:
Substrato del semiconductor
Superficie:
DSP/SSP
Alta luz: 

2inch InAs Wafers

,

N-tipo obleas de GaSb

,

Tipo sin impurificar obleas del GaAs

Descripción de producto

 

 

N-tipo tipo sin impurificar obleas de las obleas de 32inch InAs de GaSb de las obleas del GaAs

 

Uso

 

El solo cristal de InAs se puede utilizar como material del substrato para crecer InAsSb/InAsPSb, InNAsSb y otros materiales de la heterounión, y la longitud de onda de la producción es dispositivo luminescente infrarrojo de 2~14 μ M. El solo substrato cristalino de InAs se puede también utilizar para el crecimiento epitaxial de los materiales estructurales del superretículo de AlGaSb, y la producción de lasers mediados de-infrarrojos de la cascada del quántum. Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas del uso en los campos de la detección del gas y de la comunicación de fibra óptica de pequeñas pérdidas. Además, el solo cristal de InAs tiene alta movilidad de electrón y es un material ideal para los dispositivos de pasillo.

 

 

Característica de productos

 

●El cristal es crecido por la tecnología líquido-sellada de Czochralski (LEC) con tecnología madura y funcionamiento eléctrico estable


●El instrumento de la orientación de la radiografía se utiliza para la orientación exacta, y la desviación de la orientación cristalina es solamente º del ± 0,5


●La oblea es pulida por la tecnología de pulido mecánica química (CMP), y la aspereza superficial es menos que 0.5nm


●Cumpla los requisitos del uso de “fuera de la caja”


●Los productos especiales de la especificación se pueden procesar según exigencias del consumidor

 

Detalle de la especificación de las obleas

                                                       Parámetros eléctricos
Dopante  Tipo

Concentración de portador

(cm-3)

movilidad

(cm2V-1s-1)

densidad de dislocación

(cm2s)

Sin impurificar n-tipo <5x1016 ≥2x104 ≤50000
Sn-dopado n-tipo (5-20) x1017 >2000 ≤50000
S-dopado n-tipo (3-80) x1017 >2000 ≤50000
Zn-dopado P-tipo (3-80) x1017 60~300 ≤50000
Tamaño 2" 3"
Diámetro (milímetros) 50.5±0.5 76.2±0.5
Grueso (um) 500±25 600±25
Orientación (100)/(111) (100)/(111)
Tolerane de la orientación ±0.5º ±0.5º
De la longitud (milímetros) 16±2 22±2
2o de la longitud (milímetros) 8±1 11±1
TTV (um) <10 <10
Arquee (um) <10 <10
Defórmese (um) <15 <15

 

N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs 0N-tipo/tipo sin impurificar obleas GaSb 2inch InAs Wafers del GaAs 1

 

La oblea de Gap de la oblea de GaSb de la oblea del GaAs de la oblea del INP de la oblea de InSb de la oblea de InAs si usted es más interesante en oblea del insb, nos envía por favor correos electrónicos

ZMSH, como proveedor de la oblea de semiconductor, ofrece el substrato del semiconductor y las obleas epitaxiales de sic, GaN, compuesto del grupo de III-V y etc.

 

 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
Envíenos su investigación directamente