Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: CE
Número de modelo: N-type/P-type
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 1pc
Precio: USD450/pcs
Detalles de empaquetado: sola caja del envase de las obleas bajo sitio de limpieza
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union Paypal;
Capacidad de la fuente: 50 piezas/mes
Material: |
InAs monocristalino |
Grueso: |
500um ±25um |
Tipo: |
Un-doepd/Sn/S/Zn-doped |
Orientación: |
100/111 |
Método del crecimiento: |
LEC |
Uso: |
dispositivo infrarrojo de la luminiscencia |
Industria: |
Substrato del semiconductor |
Superficie: |
DSP/SSP |
Material: |
InAs monocristalino |
Grueso: |
500um ±25um |
Tipo: |
Un-doepd/Sn/S/Zn-doped |
Orientación: |
100/111 |
Método del crecimiento: |
LEC |
Uso: |
dispositivo infrarrojo de la luminiscencia |
Industria: |
Substrato del semiconductor |
Superficie: |
DSP/SSP |
N-tipo tipo sin impurificar obleas de las obleas de 32inch InAs de GaSb de las obleas del GaAs
Uso
El solo cristal de InAs se puede utilizar como material del substrato para crecer InAsSb/InAsPSb, InNAsSb y otros materiales de la heterounión, y la longitud de onda de la producción es dispositivo luminescente infrarrojo de 2~14 μ M. El solo substrato cristalino de InAs se puede también utilizar para el crecimiento epitaxial de los materiales estructurales del superretículo de AlGaSb, y la producción de lasers mediados de-infrarrojos de la cascada del quántum. Estos dispositivos infrarrojos tienen buenas perspectivas del uso en los campos de la detección del gas y de la comunicación de fibra óptica de pequeñas pérdidas. Además, el solo cristal de InAs tiene alta movilidad de electrón y es un material ideal para los dispositivos de pasillo.
Característica de productos
●El cristal es crecido por la tecnología líquido-sellada de Czochralski (LEC) con tecnología madura y funcionamiento eléctrico estable
●El instrumento de la orientación de la radiografía se utiliza para la orientación exacta, y la desviación de la orientación cristalina es solamente º del ± 0,5
●La oblea es pulida por la tecnología de pulido mecánica química (CMP), y la aspereza superficial es menos que 0.5nm
●Cumpla los requisitos del uso de “fuera de la caja”
●Los productos especiales de la especificación se pueden procesar según exigencias del consumidor
Detalle de la especificación de las obleas
| Parámetros eléctricos | ||||
| Dopante | Tipo |
Concentración de portador (cm-3) |
movilidad (cm2V-1s-1) |
densidad de dislocación (cm2s) |
| Sin impurificar | n-tipo | <5x1016 | ≥2x104 | ≤50000 |
| Sn-dopado | n-tipo | (5-20) x1017 | >2000 | ≤50000 |
| S-dopado | n-tipo | (3-80) x1017 | >2000 | ≤50000 |
| Zn-dopado | P-tipo | (3-80) x1017 | 60~300 | ≤50000 |
| Tamaño | 2" | 3" |
| Diámetro (milímetros) | 50.5±0.5 | 76.2±0.5 |
| Grueso (um) | 500±25 | 600±25 |
| Orientación | (100)/(111) | (100)/(111) |
| Tolerane de la orientación | ±0.5º | ±0.5º |
| De la longitud (milímetros) | 16±2 | 22±2 |
| 2o de la longitud (milímetros) | 8±1 | 11±1 |
| TTV (um) | <10 | <10 |
| Arquee (um) | <10 | <10 |
| Defórmese (um) | <15 | <15 |
La oblea de Gap de la oblea de GaSb de la oblea del GaAs de la oblea del INP de la oblea de InSb de la oblea de InAs si usted es más interesante en oblea del insb, nos envía por favor correos electrónicos
ZMSH, como proveedor de la oblea de semiconductor, ofrece el substrato del semiconductor y las obleas epitaxiales de sic, GaN, compuesto del grupo de III-V y etc.
