Detalles del producto
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: ROHS
Número de modelo: Oblea de 6INCH GaAs
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: Película del ANIMAL DOMÉSTICO en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 500PCS/Month
Material: |
Monocristal GaAs |
industria: |
oblea del semicondutor para el ld o llevada |
Uso: |
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del |
método: |
CZ |
Tamaño: |
2inch~6inch |
Grueso: |
0.425m m |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
Si-dopado |
MOQ: |
10PCS |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
Material: |
Monocristal GaAs |
industria: |
oblea del semicondutor para el ld o llevada |
Uso: |
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del |
método: |
CZ |
Tamaño: |
2inch~6inch |
Grueso: |
0.425m m |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
Si-dopado |
MOQ: |
10PCS |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
substratos DSP del arseniuro de galio de las obleas de 4Inch GaAs
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Oblea del GaAs
El arseniuro de galio (GaAs) es uno el del importante y maduraⅢ - los materiales del semiconductor compuesto del Ⅴ, que es ampliamente utilizada en el campo de la optoelectrónica y de la microelectrónica. Los materiales del arseniuro de galio se dividen principalmente en dos categorías: materiales semi-aislados del arseniuro de galio y materiales del arseniuro de galio del semiconductor. los materiales Semi-aislados del arseniuro de galio se utilizan principalmente para producir los circuitos integrados con las estructuras de MESFET, del HEMT y de HBT. Utilizado principalmente en radar, comunicación de onda de la microonda y de milímetro, ordenador ultraalto de la velocidad y comunicación de fibra óptica y otros campos. Los materiales del arseniuro de galio del semiconductor se utilizan principalmente en los lasers del semiconductor (LD), los diodos electroluminosos del semiconductor (LED), los lasers del infrarrojo cercano, del quántum los lasers de alta potencia bien y las células solares de gran eficacia.
| Tipo/导电类型/掺杂元素 del dopante | Semi-aislado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 应用 del uso | Eletronic micro | LED | Diodo láser | |
| 长晶方式 del método del crecimiento | VGF | |||
| 直径 del diámetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| 晶向 de la orientación | (100) ±0.5° | |||
| 厚度 del grueso (µm) | 350-625um±25um | |||
| 参考边 de OF/IF | Los E.E.U.U. EJ o muesca | |||
| 载流子浓度 de la concentración de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 de la resistencia (ohmio-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 de la movilidad (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 位错密度 de la densidad de la echada del grabado de pistas (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 de TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| 平整度 de TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| 翘曲度 de la deformación (µm) | <10> | |||
| 表面加工 acabado superficial | P/P, P/E, E/E | |||
SOBRE NUESTRO ZMKJ
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs-30pcs.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
