Wafers GaP transparentes naranjas sin topes tipo P tipo N tipo 200um 350um 5G de emisión de luz

Wafers GaP transparentes naranjas sin topes tipo P tipo N tipo 200um 350um 5G de emisión de luz

Descripción:

El fosfuro de galio GaP, un semiconductor importante de propiedades eléctricas únicas como otros materiales compuestos III-V, cristaliza en la estructura cúbica ZB termodinámicamente estable,es un material cristalino semitransparente de color naranja-amarillo con una banda indirecta de 2.26 eV (300K), que se sintetiza a partir de 6N 7N de alta pureza de galio y fósforo, y se cultiva en cristal único mediante la técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Los cristales de fosfuro de galio se dopan con azufre o telurio para obtener semiconductores de tipo n, y zinc dopado como conductividad de tipo p para su posterior fabricación en la oblea deseada, que tiene aplicaciones en sistemas ópticos, dispositivos electrónicos y otros dispositivos optoelectrónicos.Single Crystal GaP oblea se puede preparar Epi-Listo para su LPEAplicación epitaxial de MOCVD y MBE.La conductividad de tipo n o sin dopado en Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer en tamaño 2′′ y 3′′ (50mm), 75 mm de diámetro), orientación < 100>, < 111> con acabado superficial de proceso cortado, pulido o preparado para epi.

Características:

Amplio intervalo de banda adecuado para emitir longitudes de onda específicas de luz.GaP Wafer Excelentes propiedades ópticas que permiten la producción de LED en varios colores.
Alta eficiencia en la generación de luces rojas, amarillas y verdes para LED.Capacidad superior de absorción de luz a longitudes de onda específicas.Buena conductividad eléctrica que facilita los dispositivos electrónicos de alta frecuenciaEstabilidad térmica adecuada para un rendimiento fiable Estabilidad química adecuada para procesos de fabricación de semiconductoresGaP Wafer Parámetros de red favorables para el crecimiento epitaxial de capas adicionales. Capacidad para servir como sustrato para la deposición de semiconductores. GaP Wafer Material robusto con alta conductividad térmica. Excelentes capacidades optoelectrónicas para fotodetectores.Versatilidad en el diseño de dispositivos ópticos para rangos de longitudes de onda específicos

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

El fosfuro de galio de cristal único a través de cortar, epitaxia y otros procesos se puede hacer en dispositivos sólidos que emiten luz, su vida es larga, es semipermanente.Este dispositivo se ha desarrollado rápidamente y se utiliza ampliamente en instrumentos, computadoras y relojes electrónicos, etc., para pantalla digital o luz de indicador, puede emitir luz roja o verde, etc. (la longitud de onda luminosa varía con el dopaje).Los primeros dispositivos emisores de luz hechos de arseniuro de galio necesitaban una corriente de 100 miliamperios para emitir 20 mililumens por palabraEl mismo dispositivo emisor de luz hecho de fosfuro de galio requiere sólo 10 miliamperios de corriente para emitir 20 mililumens.La eficiencia del tubo emisor de luz de fosfuro de galio fabricado por el método de epitaxia de dos capas es del 4-5%Wingloff cree que el principal factor que afecta a la eficiencia de los dispositivos de emisión de luz de fosfatos de galio es la densidad de dislocación en el cristal.y la eficiencia luminosa es baja cuando la densidad de dislocación es alta.

Otros productos:

Ofras de GaN:

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es el nombre de la marca delOferta GaP?

A: La marca del productoOferta GaPes ZMSH.

P: ¿Cuál es la certificación delOferta GaP?

A: La certificación de losOferta GaPes ROHS.

P: ¿Cuál es el lugar de origen de laOferta GaP?

A: El lugar de origen de laOferta GaPes China.

P: ¿Cuál es el MOQ de laWafers GaP a la vez?

R: El MOQ de laOferta GaPes 25 piezas a la vez.