DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 pulgadas longitud de onda de operación 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP sustrato método MOCVD 2 4 6 pulgadas longitud de onda de funcionamiento: 1,3 μm, 1,55 μm

El substrato de DFB Epiwafer InP es el resumen

Los Epiwafers en sustratos de fosfuro de indio (InP) son componentes clave utilizados en la fabricación de diodos láser DFB de alto rendimiento.Estos láseres son críticos para la comunicación óptica y las aplicaciones de detección debido a su capacidad para producir un solo modo, luz de ancho de línea estrecho con emisión de longitud de onda estable, generalmente en los rangos de 1,3 μm y 1,55 μm.

El sustrato InP proporciona una excelente combinación de rejillas para capas epitaxiales como InGaAsP, que se cultivan para formar la región activa, capas de revestimiento,y estructuras de rejilla que definen la funcionalidad del láser DFBLa rejilla integrada dentro de la estructura asegura una retroalimentación precisa y un control de la longitud de onda.que lo hace adecuado para comunicaciones de fibra óptica de larga distancia y sistemas WDM (multiplexamiento por división de longitud de onda).

Las aplicaciones clave incluyen transceptores ópticos de alta velocidad, interconexiones de centros de datos, detección de gases y tomografía de coherencia óptica (OCT).La combinación de rendimiento de alta velocidad del epiwafer DFB basado en InP, estrecho ancho de línea espectral, y la estabilidad de longitud de onda lo hacen indispensable en las redes de telecomunicaciones modernas y las tecnologías de detección avanzadas.

Estructura del sustrato DFB Epiwafer InP

La hoja de datos del sustrato DFB Epiwafer InPZMSH DFB inp epiwafer.pdf)

Las propiedades del sustrato DFB Epiwafer InP

Material del sustrato:

• Fósforo de indio (InP): InP proporciona una excelente combinación de rejillas para capas epitaxiales como InGaAsP, reduciendo defectos y dislocaciones durante el proceso de crecimiento epitaxial.Esto conduce a capas de alta calidad esenciales para un rendimiento eficiente del láser.

El bandgap:

• Bandgap directo: InP tiene un intervalo de banda directo de 1,344 eV, lo que lo hace muy adecuado para aplicaciones optoelectrónicas, particularmente para la emisión en el espectro infrarrojo, alrededor de las longitudes de onda de 1,3 μm y 1,55 μm,que sean óptimos para la comunicación óptica.

Compatibilidad de la rejilla:

• InP permite el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad, especialmente InGaAsP, con una tensión mínima, lo que garantiza un funcionamiento estable y confiable del dispositivo.

Capas epitaxiales:

• Capa activa: Por lo general compuesta de InGaAsP, esta capa define la longitud de onda de emisión y apoya la generación de fotones a través de la recombinación radiativa.
• Estructura de la rejilla: La rejilla integrada dentro de la estructura epitaxial proporciona la retroalimentación necesaria para la emisión de un solo modo, esencial para la precisión de la longitud de onda en los láseres DFB.
• Capas de revestimiento: Rodeando la región activa, estas capas limitan la luz y la dirigen hacia la faceta de salida, asegurando un confinamiento óptico eficiente.

Largura de onda de funcionamiento:

• 1.3 μm y 1.55 μm: Estas longitudes de onda son ideales para la comunicación de fibra óptica debido a su baja pérdida de fibras ópticas, lo que hace que los láseres DFB sean cruciales para la transmisión de datos a larga distancia y a alta velocidad.

Ancho de línea estrecho y operación en modo único:

• Los láseres DFB proporcionan un ancho de línea espectral estrecho y funcionan en un solo modo longitudinal.que es fundamental para minimizar la interferencia de la señal y maximizar la integridad de los datos en sistemas de multiplexado por división de longitud de onda densa (WDM).

Estabilidad a temperatura:

• Los láseres DFB basados en InP ofrecen una excelente estabilidad a temperatura.que es esencial para mantener una salida de longitud de onda constante y minimizar la degradación del rendimiento en temperaturas operativas variables.

Corriente de umbral bajo:

• Los láseres DFB en sustratos InP presentan corrientes de umbral bajas, lo que conduce a un funcionamiento energéticamente eficiente, lo que es beneficioso tanto para el rendimiento como para el consumo de energía,En particular, en los centros de datos y las redes de telecomunicaciones.

Capacidad de modulación de alta velocidad:

• Los láseres DFB basados en InP admiten modulación de alta velocidad, lo que los hace ideales para su uso en transceptores ópticos y sistemas de comunicación que requieren una transferencia rápida de datos.

Las propiedades clave de los Epiwafers DFB en sustratos InP, tales como su excelente compatibilidad de red, funcionamiento en modo único, ancho de línea estrecho, rendimiento a alta velocidad y estabilidad a temperatura,hacerlos indispensables para la comunicación óptica, detección y aplicaciones fotónicas avanzadas.

Las fotos reales del sustrato DFB Epiwafer InP

Aplicación del sustrato DFB Epiwafer InP

1.Comunicación óptica

• Redes de fibra óptica de larga distancia: Los láseres DFB son críticos para la comunicación óptica de larga distancia, particularmente en los rangos de longitud de onda de 1,3 μm y 1,55 μm, donde la pérdida de señal en las fibras ópticas se minimiza.Estos láseres son esenciales para la transmisión de datos a alta velocidad a largas distancias..
• Sistemas WDM (multiplexado por división de longitud de onda): Los láseres DFB se utilizan en sistemas WDM para transmitir múltiples canales de datos a través de una sola fibra asignando a cada canal una longitud de onda específica.Su precisión y estabilidad de longitud de onda son vitales para evitar interferencias entre canales..

2.Interconexiones del centro de datos

• Transmisión de datos de alta velocidad: Los láseres DFB se emplean en centros de datos para conectar servidores y equipos de red, proporcionando enlaces ópticos de alta velocidad que manejan grandes cantidades de datos con pérdida e interferencia mínimas de la señal.

3.Detección de gases y vigilancia ambiental

• Detección de gas: Los láseres DFB se utilizan en aplicaciones de detección de gases para detectar gases específicos, como CO2 y CH4, ajustando el láser para que coincida con las líneas de absorción de estos gases.Esto es fundamental para la seguridad industrial., vigilancia ambiental y control de emisiones.
• Espectroscopia de absorción láser: En el monitoreo ambiental, los láseres DFB permiten una medición precisa de las concentraciones de gas, aprovechando su ancho de línea estrecho y longitudes de onda ajustables para la detección de alta resolución.

4.Tomografía de coherencia óptica (OCT)

• Diagnóstico médico: Los láseres DFB se utilizan en sistemas OCT para imágenes médicas no invasivas, como las exploraciones de la retina en oftalmología y las imágenes de tejidos en dermatología.La longitud de onda estable y el ancho de línea espectral estrecho mejoran la resolución y la claridad de las imágenes.

5.LIDAR (detección y alcance de la luz)

• Vehículos autónomos y cartografía 3D: Los láseres DFB son parte integral de los sistemas LIDAR, que se utilizan para la medición de distancias y la detección de objetos en vehículos autónomos, drones y aplicaciones de mapeo 3D.La precisión y estabilidad del láser mejoran la precisión de los sistemas LIDAR para determinar distancias e identificar objetos.

6.Comunicación por satélite y espacio

• Comunicación de alta frecuencia: Los láseres DFB se utilizan en sistemas de comunicación por satélite, donde se requiere una transmisión de datos de alta frecuencia a larga distancia.La capacidad de los láseres DFB para mantener una longitud de onda estable en condiciones ambientales variables es crucial para la comunicación espacial.

Mundo clave: Epiwafer DFB de sustrato InP