logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Inicio ProductosOblea del fosfuro de indio

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Todos los productos
Oblea del nitruro del galio (35)
Oblea del zafiro (88)
Sic substrato (132)
Zafiro Windows óptico (77)
Oblea de silicio de IC (22)
Zafiro sintético Rod (13)
Placa del cuarzo fundido (40)
Piezas del zafiro (114)
Piedra preciosa sintética (72)
Equipo del semiconductor (55)
Oblea LiNbO3 (18)
Oblea del GaAs (24)
Oblea del fosfuro de indio (34)
substrato de cerámica (25)
Envoltura del laboratorio (31)
Estoy en línea para chatear ahora

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Ge Germanium Wafer Semiconductor Substrates <111> Concentrating Photovoltaic CPV Custom Size Shapes
Ge Germanium Wafer Semiconductor Substrates <111> Concentrating Photovoltaic CPV Custom Size Shapes Ge Germanium Wafer Semiconductor Substrates <111> Concentrating Photovoltaic CPV Custom Size Shapes Ge Germanium Wafer Semiconductor Substrates <111> Concentrating Photovoltaic CPV Custom Size Shapes Ge Germanium Wafer Semiconductor Substrates <111> Concentrating Photovoltaic CPV Custom Size Shapes

Ampliación de imagen :  Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: Substratos de germanio
Pago y Envío Términos:
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Contacto
Descripción detallada del producto
Materiales para la fabricación:: Solo cristal de GE Diámetro:: 0.5~150m m
El espesor:: 0.5 mm Tipo de vehículo:: Tipo N/Tipo P/No dopado
Superficie:: Polido/accionado Resistencia:: 0.1 ~ 60 ohm.cm
Industria:: substratos del semiconductor, dispositivo, óptico
Resaltar:

Wafer de germanio CPV

,

Wafer de germanio de tamaño personalizado

,

con un contenido de aluminio superior a 10%

Descripción del producto

Substratos de semiconductores de obleas de germanio < 111> concentrando CPV fotovoltaico en forma de tamaño personalizado

El germanio de alta pureza es dopado con elementos trivalentes (por ejemplo, indio, galio, boro) para obtener semiconductores de germanio de tipo P.y elementos pentavalentes (eLos semiconductores de germanio de tipo N, con alta movilidad de electrones y alta movilidad de agujeros.Se pueden utilizar sustratos de germanio de alta calidad en la fotovoltaica concentrada (CPV), paneles solares para el espacio exterior y aplicaciones de diodos emisores de luz (LED) de alto brillo.

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 0Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 1

Características

- La constante de red es mayor que la del silicio, lo que favorece la construcción de heterostructuras.

- La alta movilidad de los electrones, aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio, favorece la fabricación de dispositivos electrónicos de alta velocidad.

- El pequeño ancho de banda (0,67 eV) lo hace adecuado para aplicaciones de detección fotoeléctrica infrarroja y de emisión.

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 2

Es más sensible a la radiación y es adecuado para equipos electrónicos sensibles a la radiación.

La tecnología de procesamiento es relativamente compleja y su coste es elevado.

Parámetros técnicos

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 3

Aplicaciones

1Electrónica analógica y de RF de alta frecuencia: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; equipos electrónicos en la banda de frecuencia de microondas, como el radar y las comunicaciones.

2Detección y emisión fotoeléctrica infrarroja: detector infrarrojo, termómetro; diodos emisores infrarrojos, diodos láser.

3Equipos electrónicos sensibles a la radiación: Heterostructura de semiconductores compuestos: Sistema de aviónica aeroespacial; plantas de energía nuclear y equipos electrónicos en el campo militar.

4. Heterostructura de semiconductores compuestos: materiales de sustrato para compuestos III-V como GaAs, InP, etc.; células solares de estructura heterogénea, diodos láser, etc.

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 4

Nuestros servicios

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes

1. P: ¿Cómo se paga?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y comercio
Aseguramiento en y etc..

2P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticos
basado en sus necesidades.

3.P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 3pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.

etiqueta:

substrato del mgo,

Oblea de Gap,

oblea del INP

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sic substrato

De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic

2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

sic carburo de silicio del lingote 4inch grueso de 5 - de 15m m para los semiconductores

4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo

Oblea del zafiro

Orientación de encargo del Special de Windows del vidrio/zafiro del zafiro de la oblea de semiconductor

Wafer de zafiro espesor 0,43 mm componentes de zafiro tamaño personalizado y orientaciones

Oblea del zafiro/cristal cuadrados 10x10m m 5x5m m del zafiro para la lente óptica

2°Off C - zafiro sintético Epi de cristal de AXIS - pulgada de diámetro lista 50.8m m de los substratos 2

Oblea del nitruro del galio

Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro

oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si

Solicitar una cotización

E-Mail | Mapa del sitio

Sitio movil
Política de privacidad | Porcelana Bueno Calidad Oblea del nitruro del galio El proveedor. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.