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Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Name: Substratos de semiconductores de obleas de germanio Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: Substratos de germanio
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: Substratos de germanio

Condiciones de pago y envío

Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas

Condiciones de pago: T/T

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                Wafer de germanio CPV, Wafer de germanio de tamaño personalizado, con un contenido de aluminio superior a 10%
                              

Materiales para la fabricación::	Solo cristal de GE	Diámetro::	0.5~150m m
El espesor::	0.5 mm	Tipo de vehículo::	Tipo N/Tipo P/No dopado
Superficie::	Polido/accionado	Resistencia::	0.1 ~ 60 ohm.cm
Industria::	substratos del semiconductor, dispositivo, óptico

Materiales para la fabricación::	Solo cristal de GE
Diámetro::	0.5~150m m
El espesor::	0.5 mm
Tipo de vehículo::	Tipo N/Tipo P/No dopado
Superficie::	Polido/accionado
Resistencia::	0.1 ~ 60 ohm.cm
Industria::	substratos del semiconductor, dispositivo, óptico

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Descripción del producto

Substratos de semiconductores de obleas de germanio < 111> concentrando CPV fotovoltaico en forma de tamaño personalizado

El germanio de alta pureza es dopado con elementos trivalentes (por ejemplo, indio, galio, boro) para obtener semiconductores de germanio de tipo P.y elementos pentavalentes (eLos semiconductores de germanio de tipo N, con alta movilidad de electrones y alta movilidad de agujeros.Se pueden utilizar sustratos de germanio de alta calidad en la fotovoltaica concentrada (CPV), paneles solares para el espacio exterior y aplicaciones de diodos emisores de luz (LED) de alto brillo.

Características

- La constante de red es mayor que la del silicio, lo que favorece la construcción de heterostructuras.

- La alta movilidad de los electrones, aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio, favorece la fabricación de dispositivos electrónicos de alta velocidad.

- El pequeño ancho de banda (0,67 eV) lo hace adecuado para aplicaciones de detección fotoeléctrica infrarroja y de emisión.

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 2

Es más sensible a la radiación y es adecuado para equipos electrónicos sensibles a la radiación.

La tecnología de procesamiento es relativamente compleja y su coste es elevado.

Parámetros técnicos

Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado 3

Aplicaciones

1Electrónica analógica y de RF de alta frecuencia: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; equipos electrónicos en la banda de frecuencia de microondas, como el radar y las comunicaciones.

2Detección y emisión fotoeléctrica infrarroja: detector infrarrojo, termómetro; diodos emisores infrarrojos, diodos láser.

3Equipos electrónicos sensibles a la radiación: Heterostructura de semiconductores compuestos: Sistema de aviónica aeroespacial; plantas de energía nuclear y equipos electrónicos en el campo militar.

4. Heterostructura de semiconductores compuestos: materiales de sustrato para compuestos III-V como GaAs, InP, etc.; células solares de estructura heterogénea, diodos láser, etc.

Nuestros servicios

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes

1. P: ¿Cómo se paga?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y comercio
Aseguramiento en y etc..

2P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticos
basado en sus necesidades.

3.P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 3pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.

Tags:

InComo arseniuro de indio2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semiconductor espesor de la oblea 300-800um

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Substrato de germanio GE Lentes ópticas de ventanas planas Aplicaciones de imágenes térmicas y espectroscopia infrarroja Alta dureza

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Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

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Oblea del fosfuro de indio

Piezas del zafiro

vidrio de cubierta del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Zafiro sintético Rod

Oblea de silicio de IC

Placa del cuarzo fundido

substrato de cerámica

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Substratos de semiconductores de obleas de germanio <111> Concentración fotovoltaica CPV Formas de tamaño personalizado

Wafer de germanio CPV

Wafer de germanio de tamaño personalizado

con un contenido de aluminio superior a 10%

Descripción del producto

Substratos de semiconductores de obleas de germanio < 111> concentrando CPV fotovoltaico en forma de tamaño personalizado

Características

- La constante de red es mayor que la del silicio, lo que favorece la construcción de heterostructuras.

- La alta movilidad de los electrones, aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio, favorece la fabricación de dispositivos electrónicos de alta velocidad.

- El pequeño ancho de banda (0,67 eV) lo hace adecuado para aplicaciones de detección fotoeléctrica infrarroja y de emisión.

Es más sensible a la radiación y es adecuado para equipos electrónicos sensibles a la radiación.

La tecnología de procesamiento es relativamente compleja y su coste es elevado.

Parámetros técnicos

Aplicaciones

1Electrónica analógica y de RF de alta frecuencia: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; equipos electrónicos en la banda de frecuencia de microondas, como el radar y las comunicaciones.

2Detección y emisión fotoeléctrica infrarroja: detector infrarrojo, termómetro; diodos emisores infrarrojos, diodos láser.

3Equipos electrónicos sensibles a la radiación: Heterostructura de semiconductores compuestos: Sistema de aviónica aeroespacial; plantas de energía nuclear y equipos electrónicos en el campo militar.

4. Heterostructura de semiconductores compuestos: materiales de sustrato para compuestos III-V como GaAs, InP, etc.; células solares de estructura heterogénea, diodos láser, etc.

Nuestros servicios

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

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Preguntas frecuentes

1. P: ¿Cómo se paga?A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y comercioAseguramiento en y etc..

2P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticosbasado en sus necesidades.

3.P: ¿Cuál es su MOQ?R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 3pcs.(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.

substrato del mgo,

Oblea de Gap,

Oblea del nitruro del galio

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Oblea del fosfuro de indio

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1. P: ¿Cómo se paga?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y comercio
Aseguramiento en y etc..

2P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticos
basado en sus necesidades.

3.P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 3pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.