FP Epiwafer InP capa de contacto del sustrato InGaAsP Dia 2 3 4 pulgadas para la banda de longitud de onda OCT 1.3um

FP epiwafer InP capa de contacto del sustrato InGaAsP Dia 2 3 4 pulgadas para banda de longitud de onda OCT 1.3um

FP epiwafer resumen del sustrato InP

Las epiwafers Fabry-Perot (FP) en sustratos de fosfuro de indio (InP) son componentes clave en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos,especialmente los diodos láser utilizados en comunicaciones ópticas y aplicaciones de detecciónLos sustratos InP proporcionan una plataforma ideal debido a su alta movilidad de electrones, banda directa, y la combinación de rejilla excelente para el crecimiento epitaxial.Estas obleas suelen tener múltiples capas epitaxiales, como InGaAsP, que forman la cavidad del láser FP y están diseñados para emitir luz en las bandas de longitud de onda críticas de 1,3 μm a 1,55 μm, lo que los hace altamente eficaces para la comunicación de fibra óptica.

Los láseres FP, cultivados en estas epiwafers, son conocidos por su estructura relativamente simple en comparación con otros tipos de láser, como los láseres de retroalimentación distribuida (DFB),lo que los convierte en una solución rentable para muchas aplicacionesEstos láseres se utilizan ampliamente en sistemas de comunicación óptica de corto a mediano alcance, interconexiones de centros de datos y tecnologías de detección como detección de gases y diagnóstico médico.

Los epiwafers FP basados en InP proporcionan flexibilidad en la selección de longitudes de onda, buen rendimiento y menores costes de producción, lo que los convierte en un componente vital en los campos en crecimiento de las telecomunicaciones,vigilancia del medio ambiente, y circuitos fotónicos integrados.

Hoja de datos del sustrato InP del epiwafer FP

Diagrama del sustrato InP del epiwafer FP

Las propiedades del sustrato InP del epiwafer FP

InP Substrato

• Constante de rejilla: 5.869 Å, proporcionando una excelente compatibilidad de rejilla con materiales como InGaAsP, minimizando los defectos en las capas epitaxiales.
• Bandgap directo: 1.344 eV (correspondiente a una longitud de onda de emisión de ~ 0.92 μm), ideal para aplicaciones optoelectrónicas, especialmente en el espectro infrarrojo.
• Alta movilidad de electrones: 5400 cm2/V·s, lo que permite el rendimiento de los dispositivos de alta velocidad y alta frecuencia, crucial para las tecnologías de comunicación.
• Conductividad térmica: 0,68 W/cm·K, proporcionando una disipación térmica adecuada para dispositivos como los láseres.

Capas epitaxiales

• Región activa: generalmente hechas de InGaAsP o compuestos relacionados, estas capas emiten luz en las bandas de longitud de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, esenciales para la comunicación de fibra óptica.
• Puertos cuánticos múltiples: Estos pueden usarse para mejorar el rendimiento del láser FP, mejorando la eficiencia y las velocidades de modulación.
• Dopado: Las capas epitaxiales están dopadas (tipo n o tipo p) para facilitar la inyección de carga y garantizar contactos ómicos de baja resistencia.

Propiedades ópticas

• Longitud de onda de emisión: por lo general en el rango de 1,3 μm a 1,55 μm, estas son las longitudes de onda ideales para aplicaciones de telecomunicaciones debido a la baja pérdida de transmisión en fibras ópticas.
• Facetas reflectantes: Los láseres FP utilizan facetas reflectantes naturales para formar la cavidad del láser, simplificando la fabricación y reduciendo los costos.

Eficacia en términos de costes

• Las epiwafers FP en sustratos InP ofrecen una estructura más simple en comparación con los tipos de láser más complejos (por ejemplo, los láseres DFB),reducción de los costes de fabricación manteniendo un buen rendimiento para la comunicación de corto a medio alcance.

Estas propiedades hacen que los epiwafers FP en sustratos InP sean muy adecuados para su uso en sistemas de comunicación óptica, dispositivos de detección y circuitos integrados fotónicos.

Aplicación del sustrato InP del epiwafer FP

Comunicación por fibra óptica

• Diodos láser: Los láseres FP en epiwafers InP se utilizan ampliamente en sistemas de comunicación de fibra óptica, particularmente en la transmisión de datos de corto a mediano alcance.rango de longitud de onda de 55 μm, que corresponde a las ventanas de baja pérdida de las fibras ópticas, por lo que son ideales para la transmisión de datos de alta velocidad.
• Transceptores y módulos ópticos: Los láseres FP se integran comúnmente en transceptores ópticos utilizados en centros de datos y redes de telecomunicaciones para transmitir y recibir señales ópticas.

Interconexiones del centro de datos

• Conectividad de alta velocidad: los láseres FP basados en InP se utilizan en centros de datos para interconexiones entre servidores y dispositivos de red, proporcionando alta velocidad,enlaces ópticos de baja latencia esenciales para el manejo de grandes volúmenes de datos.

Detección óptica

• Detección de gases: los láseres FP pueden sintonizarse a longitudes de onda específicas para detectar gases como CO2, CH4 y otros contaminantes industriales o ambientales a través de la absorción infrarroja.
• Monitoreo del medio ambiente: los láseres FP en sustratos InP se utilizan en sensores para el monitoreo de la calidad del aire, la detección de gases peligrosos y los sistemas de seguridad industrial.

Diagnóstico médico

• Tomografía de coherencia óptica (OCT): los láseres basados en InP se utilizan en los sistemas OCT para la obtención de imágenes no invasivas,comúnmente aplicado en oftalmología para exploraciones detalladas de la retina y en dermatología para imágenes de tejidos.

Las fotos del sustrato de epiwafer FP InP

Pregunta y respuesta

¿Qué es EPI en oblea?

El EPIen la tecnología de obleas significaEpitaxia, que se refiere al proceso de depósito de una fina capa de material cristalino (capa epitaxial) en un sustrato semiconductor (como el silicio o InP).Esta capa epitaxial tiene la misma estructura cristallográfica que el sustrato subyacente, lo que permite un crecimiento de alta calidad y libre de defectos que es esencial para la fabricación de dispositivos semiconductores avanzados.