Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Oblea del INP
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
Fósforo de indio |
Tamaño: |
2 pulgadas / 3 pulgadas |
El grosor: |
personalizado |
dopante: |
Fe/ Si |
orientación: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
El tipo: |
Tipo de producto |
El material: |
Fósforo de indio |
Tamaño: |
2 pulgadas / 3 pulgadas |
El grosor: |
personalizado |
dopante: |
Fe/ Si |
orientación: |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
El tipo: |
Tipo de producto |
Wafer epitaxial de 2 pulgadas de fosfuro de indio semi-aislante para el diodo láser LD, wafer epitaxial semiconductor, wafer InP de 3 pulgadas, wafer de cristal único 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de sustratos InP para la aplicación LD,Wafer semiconductor, Wafer epitaxial con láser InP
Características de la oblea epitaxial con láser InP
- utilizar las obleas INP para fabricar
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- bandgap directo, emite luz de manera eficiente, utilizado en láseres.
- en el rango de longitud de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, estructuras de pozos cuánticos
- utilizando técnicas como MOCVD o MBE, grabado, metalización y embalaje para lograr la forma final del dispositivo
Más información sobre la oblea epitaxial con láser InP
Las obleas epitaxiales InP son películas finas de alta calidad basadas en materiales de fosfuro de indio (InP), que se utilizan ampliamente en la fabricación de optoelectrónica y dispositivos electrónicos de alta frecuencia.
cultivados en sustratos InP mediante técnicas tales como la deposición química de vapor orgánico metálico (MOCVD) o la epitaxia por haz molecular (MBE),las obleas epitaxiales tienen una excelente calidad cristalina y un grosor controlable.
Las características de banda directa de esta oblea epitaxial hacen que funcione bien en láseres y fotodetectores, especialmente para aplicaciones de comunicación óptica en el rango de 1,3 μm y 1.rango de longitud de onda de 55 μm, garantizando una transmisión de datos de baja pérdida y gran ancho de banda.
Al mismo tiempo, la alta movilidad de electrones y las características de bajo ruido de las obleas epitaxiales InP también le dan ventajas significativas en aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia.
Además, con el desarrollo continuo de los circuitos optoelectrónicos integrados y la tecnología de comunicación de fibra óptica,las perspectivas de aplicación de las obleas epitaxiales InP son cada vez más amplias, y se ha convertido en un material indispensable e importante en los dispositivos y sistemas optoelectrónicos modernos.
Su aplicación en sensores,Las tecnologías avanzadas en el campo de los láseres y otros dispositivos electrónicos de alto rendimiento han promovido el avance de las tecnologías relacionadas y sentado las bases para la futura innovación científica y tecnológica..
Detalles de la oblea epitaxial con láser InP
| Parámetros del producto | Wafer epitaxial DFB | Wafer epitaxial DFB de alta potencia | Wafer epitaxial de fotónica de silicio |
| el tipo de interés | 10G/25G/50G | / | / |
| longitud de onda | 1310 nm | ||
| tamaño | Dos tercios de pulgada | ||
| Características del producto | Se aplican las siguientes medidas: | Tecnología BH | PQ /AlQ DFB |
| PL Control de longitud de onda | Mejor que 3nm | ||
| LPL Uniformidad de longitud de onda | El STD.Dev es mejor que 1nm @inner | ||
| Control del espesor | 42 mmMejor que +3% | ||
| Uniformidad del grosor | Mejor que el +3% @ interior 42 mm | ||
| Control del dopaje | Mejor que +10% | ||
| Dopaje de P-lnP (cm-3) | Zn dopado; 5e17 a 2e18 | ||
| Dopaje de N-InP (cm-3) | Si dopado; 5e17 a 3e18 | ||
Más muestras de InP Laser Epitaxial Wafer
*Aceptamos los requisitos personalizados
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Preguntas frecuentes
1P: ¿Qué hay del coste de las obleas epitaxiales láser InP en comparación con otras obleas?
R: El coste de las obleas epitaxiales láser InP tiende generalmente a ser mayor que el de otros tipos de obleas, como el silicio o el arseniuro de galio (GaAs).
2P: ¿Qué hay de las perspectivas futuras deInP láser epitaxialOferta?
R: Las perspectivas futuras de las obleas epitaxiales láser InP son bastante prometedoras.
