Sustratos de carburo de silicio SiC 4H-N / Semiconductores

Los sustratos de carburo de silicio (SiC) semiaislantes y de tipo 4H-N son obleas monocristalinas de alta pureza fabricadas mediante el método de transporte físico de vapor (PVT). Estos sustratos exhiben excelentes propiedades eléctricas y térmicas, incluidas características de banda prohibida amplia, campo eléctrico de alta ruptura y conductividad térmica excepcional. Ideales para el crecimiento epitaxial de materiales de SiC o III-nitruro, sirven como componentes fundamentales clave en dispositivos electrónicos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura.

• Excelentes propiedades eléctricas:
  • Tipo 4H-N: Resistividad 0,015–0,028 Ω·cm
  • Tipo Semi-Aislante: Resistividad ≥10⁵ Ω·cm
• Calidad geométrica superior:
  • Variación de espesor total (TTV) ≤ 15 µm
  • Arco ≤ 40 µm, Deformación ≤ 60 µm
• Control de orientación preciso:
  • Orientación en el eje: <±0,5°
  • Corte fuera del eje: 4°±0,5° hacia la dirección [11-20]
• Acabado superficial controlado:
  • Superficie pulida estándar: Ra ≤ 1 nm
  • Superficie pulida CMP: Ra ≤ 0,5 nm

• Electrónica de potencia: Diodos de barrera Schottky (SBD), MOSFET, IGBT
• Dispositivos de RF y microondas: Amplificadores de potencia de alta frecuencia, MMIC
• Optoelectrónica: Sustratos epitaxiales láser y LED basados ​​en GaN
• Sensores de alta temperatura: Aplicaciones en el sector automovilístico, aeroespacial y energético

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La industria del carburo de silicio abarca la preparación de sustratos, el crecimiento epitaxial, la fabricación de dispositivos y las aplicaciones de uso final. Utilizando el método PVT, se producen sustratos de SiC monocristalinos de alta calidad, que sirven como base para la deposición epitaxial (mediante CVD) y la posterior fabricación del dispositivo. ZMSH suministra obleas de SiC de 100 mm y 150 mm que cumplen con estrictos requisitos industriales para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.