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Detalles de los productos

Created with Pixso. Hogar Created with Pixso. PRODUCTOS Created with Pixso.
Sic substrato
Created with Pixso. Wafer SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 pulgadas, espesor 350 μm o 650 μm

Wafer SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 pulgadas, espesor 350 μm o 650 μm

Nombre De La Marca: ZMSH
Número De Modelo: 6h-n 2 pulgadas
MOQ: 3 piezas
Precio: by case
Tiempo De Entrega: 2 semanas
Condiciones De Pago: T/T, Unión Occidental
Información detallada
Lugar de origen:
Porcelana
Certificación:
ROHS
Material:
SIC cristalino
Tamaño:
2 pulgadas
Espesor:
350um o 330um
Superficie:
CMP en si-face, c-face mp
Color:
Transparente
Tipo:
6H-N
Resistividad:
los 0.015~0.028ohm.cm
REAL ACADEMIA DE BELLAS ARTES:
<0,2 nm si-cara
Detalles de empaquetado:
sola caja de la oblea
Capacidad de la fuente:
5000 unidades/mes
Resaltar:

Substrato de 2 pulgadas para obleas de SiC tipo 6H-N

,

Substrato de SiC de 350 μm de espesor

,

Wafer de SiC de 650 μm de espesor

Descripción de producto
Descripción del producto: Soluciones de obleas de carburo de silicio (SiC)
Resumen del producto

A medida que evolucionan los mercados de transporte, energía e industria, la demanda de electrónica de potencia confiable y de alto rendimiento continúa creciendo.Para cumplir con los requisitos para mejorar el rendimiento de los semiconductores, los fabricantes de dispositivos están recurriendo a materiales semiconductores de banda ancha, como nuestras obleas de 4H-SiC Prime Grade (carburo de silicio de tipo 4H-n).Estas obleas ofrecen excepcional calidad cristalina y baja densidad de defectos, por lo que son ideales para aplicaciones exigentes.

Características clave
  • Optimización del rendimiento y del coste

    Los diámetros de obleas más grandes permiten economías de escala en la fabricación de semiconductores, reduciendo el costo total de propiedad.

  • Compatibilidad

    Diseñados para garantizar la compatibilidad mecánica con los procesos de fabricación de dispositivos existentes y emergentes.

  • Personalización

    Se puede adaptar para satisfacer los requisitos específicos de rendimiento y costo para el diseño del dispositivo.

  • Garantizar la calidad

    Disponibles obleas de baja densidad de defectos (MPD ≤ 0,1 cm−2, TSD ≤ 400 cm−2, BPD ≤ 1.500 cm−2).

Especificaciones técnicas
Parámetro 4H-SiC (cristales únicos) 6H-SiC (cristales únicos)
Parámetros de la red a=3.076Å, c=10.053Å a=3.073Å, c=15.117Å
Secuencia de apilamiento El ABCB Las condiciones de los productos
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3.21 g/cm3 3.21 g/cm3
Coeficiente de expansión térmica 4 a 5*10−6/K 4 a 5*10−6/K
Indice de refracción @750nm n0 es igual a 2.61, ne=2.66 n0 es igual a 2.60, ne=2.65
Constante dieléctrica C ~ 9.66 C ~ 9.66
Conductividad térmica (tipo N) a ~ 4,2 W/cm·K @ 298K C ~ 3,7 W/cm·K @ 298K
Conductividad térmica (semi-aislante) a ~ 4,9 W/cm·K @ 298K C ~ 3,9 W/cm·K @ 298K
- ¿ Qué haces? 3.23 eV 3.02 eV
Descomposición del campo eléctrico 3 a 5*106 V/cm 3 a 5*106 V/cm
Velocidad de deriva de saturación 2.0*105 m/s 2.0*105 m/s

Wafer SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 pulgadas, espesor 350 μm o 650 μm 0Wafer SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 pulgadas, espesor 350 μm o 650 μm 1Wafer SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 pulgadas, espesor 350 μm o 650 μm 2

 

Serie de productos
  • Wafers de 2 pulgadas

    Disponible en espesores de 0,33 mm o 0,43 mm.

  • Substratos de SiC 6H-N/4H-N

    Estructuras de cristal único de alta pureza para electrónica de potencia.

  • Oferta de 150 mm

    permitirán mejores economías de escala en comparación con la fabricación de dispositivos de 100 mm.

Servicios de personalización

Ofrecemos opciones completas de personalización, incluyendo:

  • Las especificaciones de los materiales (resistencia, tipo de dopaje, etc.).
  • Optimización del tamaño de la oblea (150 mm y más).
  • Personalización del tratamiento de la superficie.
  • Los recubrimientos especiales (por ejemplo, recubrimientos ópticos).
Productos de inventario
Tamaño El grosor El tipo Grado
2 pulgadas 330 μm 4H-N/4H-Semi/6H-Semi maniquí/investigación/producción
3 pulgadas 350 μm 4H-N/4H-Semi HPSI maniquí/investigación/producción
4 pulgadas 350 μm Se aplicarán las siguientes medidas: maniquí/investigación/producción
6 pulgadas 350 μm 4H-N/500μm 4H-Semi maniquí/investigación/producción
Apoyo técnico

Para especificaciones técnicas detalladas, consulte nuestro PDF técnico de obleas de carburo de silicio de 150 mm.

Preguntas frecuentes
  • Métodos de envío

    Si tiene su propia cuenta de mensajería con DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS o SF Express, podemos actuar como su agente de envío.

  • Métodos de pago

    T/T, PayPal, Western Union, MoneyGram, carta de crédito. Cargos bancarios: ≤ USD1000 para Western Union; T/T por encima de USD1000 requiere transferencia telegráfica.

  • Tiempo de entrega
    • Productos de stock: 5 días hábiles.
    • Productos personalizados: 7-25 días hábiles (dependiendo del volumen del pedido).
  • Capacidades de personalización

    Podemos adaptar las especificaciones del material, los parámetros de tamaño y los recubrimientos ópticos para satisfacer sus necesidades específicas.

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