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Sic substrato

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Sic substrato

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Porcelana Wafer de carburo de silicio SiC de 8 pulgadas 4H-N Tipo P / D / R Grado Mohs.9 Personalización de múltiples aplicaciones fábrica

Wafer de carburo de silicio SiC de 8 pulgadas 4H-N Tipo P / D / R Grado Mohs.9 Personalización de múltiples aplicaciones

Wafer de carburo de silicio SiC de 8 pulgadas 4H-N Tipo P / D / R Grado Mohs.9 Personalización de múltiples aplicaciones Introducción del producto SiC, comúnmente conocido como carburo de silicio, es un ... Leer más
2025-02-07 15:10:22
Porcelana Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación fábrica

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

Descripción del producto: Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un importante material semiconductor ... Leer más
2025-01-24 15:29:41
Porcelana Wafer de carburo de silicio Sic 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grado de producción para electrónica de potencia fábrica

Wafer de carburo de silicio Sic 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grado de producción para electrónica de potencia

Descripción del producto: Wafer de carburo de silicio Sic 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P grado de producción para electrónica de potencia El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un material semiconductor importante com... Leer más
2025-01-24 15:04:24
Porcelana 2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado fábrica

2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado

Descripción del producto: 2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza grado P grado R grado D grado El carburo de silicio (SiC), comúnmente conocido como carburo de ... Leer más
2025-01-24 14:50:41
Porcelana Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade fábrica

Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade

Descripción del producto: Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P Para comunicaciones y sistemas de radar Diámetro 150 mm Grado primario 6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material ... Leer más
2025-01-24 14:33:00
Porcelana Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD fábrica

Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD

Descripción del producto Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD El 3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de banda ancha ... Leer más
2025-01-24 13:46:57
Porcelana Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado fábrica

Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado

Descripción del producto Sic Dispositivos semiconductores de carburo de silicio Formas de cristal múltiple 4H 6H 3C Chips de comunicación 5G de tamaño personalizado Un chip de carburo de silicio es un ... Leer más
2025-01-24 13:18:58
Porcelana Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar fábrica

Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar

Descripción del producto: Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un ... Leer más
2025-01-24 11:11:23
Porcelana Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas tipo 4H-N para dispositivo MOS Dia 0.4mm fábrica

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas tipo 4H-N para dispositivo MOS Dia 0.4mm

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas tipo 4H-N para dispositivo MOS Dia 0.4mm Introducción del producto El sustrato de cristal único de carburo de silicio (SiC) de tipo 4H n es un material semiconductor cr... Leer más
2024-12-05 15:52:17
Porcelana 3 pulgadas HPSI carburo de silicio SiC espesor del sustrato 500um grado primario de calificación de investigación de calificación transparente fábrica

3 pulgadas HPSI carburo de silicio SiC espesor del sustrato 500um grado primario de calificación de investigación de calificación transparente

3 pulgadas HPSI carburo de silicio SiC espesor del sustrato 500um grado primario de calificación de investigación de calificación transparente Sobre el HPSI La oblea HPSI SiC es un material semiconductor ... Leer más
2024-12-05 11:57:00
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