Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: SiC 6H-P
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Densidad: |
3.0 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
Fuera del eje: 2,0° hacia [110] ± 0,5° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
Exclusión del borde: |
3 milímetros |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
Las demás máquinas de la partida 8411 |
Polytype: |
6H-P |
Densidad: |
3.0 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
Fuera del eje: 2,0° hacia [110] ± 0,5° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
Exclusión del borde: |
3 milímetros |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
Las demás máquinas de la partida 8411 |
El tipo 6H-P Sic está hecho de un proceso avanzado de preparación de material semiconductor con estructura cristalina específica y tipo de dopaje.,que pertenece a un sistema de cristal hexagonal; "tipo P" indica que el sustrato está dopado para que los orificios se conviertan en el tipo de portador principal.0° ayuda a optimizar el rendimiento del cristal en una dirección específica para satisfacer las necesidades de escenarios de aplicación específicos.
1. Alta concentración de dopaje:El 6H-P tipo Sic consigue una alta concentración de distribución del portador del agujero mediante un proceso de dopado específico, lo que ayuda a mejorar la conductividad eléctrica y la velocidad de conmutación del dispositivo.
2. Baja resistividadDebido a la alta concentración de dopaje, el sustrato presenta una baja resistividad, lo que ayuda a reducir la pérdida de energía del dispositivo durante el funcionamiento.
3. Buena estabilidad térmica:El propio material Sic tiene un punto de fusión muy alto, por lo que el sustrato 6H-P puede mantener un rendimiento estable en un entorno de alta temperatura.
4. Excelentes propiedades mecánicas:El material Sic tiene una alta dureza, resistencia al desgaste y otras características, por lo que el sustrato 6H-P puede soportar mayores tensiones mecánicas en el proceso de fabricación.
5Optimización del ángulo fuera del eje:El diseño del ángulo fuera del eje es de 2,0°, de modo que el rendimiento del sustrato se optimiza en una dirección específica, lo que ayuda a mejorar el rendimiento general del dispositivo.
2 Diámetro de pulgada SilicioSubstrato de carburo (SiC) Especificación
|
¿Qué quieres decir? Grado |
工业级 Grado de producción (grado P) |
El grado de investigación. Grado de investigación (Grado R) |
试片级 Grado de imitación (Grado D) |
||
| Diámetro | 50.8 mm±0.38 mm | ||||
| 厚度 espesor | 350 μm±25 μm | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | En el eje opuesto: 2.0°-4.0° hacia adelante [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: ∆111 ∆± 0,5° para 3C-N | ||||
| 微管密度 Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电阻率 ※Resistencia | 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω.cm | |||
| 3C-N | ≤ 0,8 mΩ•cm | ||||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P | {10-10} ± 5,0° | |||
| 3C-N | {1-10} ± 5,0° | ||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 15.9 mm ± 1,7 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 8.0 mm ±1,7 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 3 mm | |||
| 总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 TTV/Bow /Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 表面粗度※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | |||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 1 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯观测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1 % | Área acumulada ≤ 3% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 2 % | Área acumulada ≤ 5% | ||
|
Si 面划痕 ((强光灯观测) # Si 面划痕 ((强光灯观测)) # Si 面划痕 (Si 面划痕) 强光灯观测) La superficie del silicio se araña con luz de alta intensidad |
3 arañazos en una oblea Diámetro longitud acumulada |
5 arañazos en una oblea Diámetro longitud acumulada |
8 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | ||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz de luz | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | ||
|
- ¿Qué es eso? - ¿Qué es eso? Contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad |
No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
- ¿ Qué?
1. P: ¿Cuál es Sic 6H-P fuera del eje a 2.0°?
R: Sic 6H-P fuera del eje a 2,0° se refiere a un material de carburo de silicio tipo P con una estructura cristalina de 6H, y su dirección de corte se desvía del husillo de cristal en 2,0°.Este diseño está diseñado para optimizar las propiedades específicas de los materiales de carburo de silicio, como aumentar la movilidad del portador y reducir la densidad de defectos, para satisfacer las necesidades de fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre las obleas de silicio tipo P y tipo N?
R: La principal diferencia entre las obleas de silicio tipo P y las obleas de silicio tipo N es que los elementos de dopaje son diferentes, boro tipo P y fósforo tipo N,lo que resulta en que su conductividad eléctrica y propiedades físicas son diferentes.
Etiqueta: #Sic wafer, #substrato de carburo de silicio, #Sic tipo 6H-P, #Off eje: 2.0° hacia, #Dureza de Mohs 9.2
