Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: Carburo de silicio
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
Carburo de silicio |
El tamaño: |
Personalizado |
El grosor: |
personalizado |
Tipo de producto: |
4H,6H,3C |
Aplicación: |
Vehículos eléctricos de comunicación 5G |
El material: |
Carburo de silicio |
El tamaño: |
Personalizado |
El grosor: |
personalizado |
Tipo de producto: |
4H,6H,3C |
Aplicación: |
Vehículos eléctricos de comunicación 5G |
2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H 6H 3C Tipo de soporte Personalizar Industria de semiconductores Tamaños múltiples
Descripción del producto
El sustrato de carburo de silicio es un material monocristalino semiconductor compuesto de carbono y silicio que tiene las características de una gran brecha de banda, una alta conductividad térmica,alta resistencia del campo de descomposición crítica, y una alta tasa de deriva de saturación de electrones.
Puede romper efectivamente los límites físicos de los dispositivos semiconductores tradicionales basados en silicio y sus materiales,y desarrollar una nueva generación de dispositivos semiconductores que son más adecuados para la alta presión, alta temperatura, alta potencia, alta frecuencia y otras condiciones.
Tiene el potencial de ser ampliamente utilizado en campos de "nuevas infraestructuras", como la construcción de estaciones base 5G, UHV, ferrocarril interurbano de alta velocidad y transporte ferroviario urbano,vehículos de nueva energía y pilas de carga, y los grandes centros de datos.
Tipos de SiC
El sustrato de SiC se divide principalmente en tres estructuras cristalinas: 4H-SiC, 6H-SiC y 3C-SiC, y los escenarios de aplicación correspondientes son diferentes.
El sustrato 4H-SiC es preferido por su estructura cristalina altamente simétrica y su baja densidad de defectos, lo que lo hace ideal para la fabricación de alta potencia,Dispositivos electrónicos de alta temperatura y alta frecuenciaEn los campos de la electrónica de potencia, las comunicaciones RF, la optoelectrónica y la iluminación de estado sólido, los sustratos 4H-SiC se utilizan para fabricar convertidores de potencia de alta eficiencia,amplificadores de RF de alto rendimiento, y LEDs de alto brillo.
El sustrato 6H-SiC presenta una mejor conductividad térmica debido a su gran distancia entre capas,que lo hace especialmente adecuado para dispositivos electrónicos que funcionan en ambientes de alta temperatura y alta presiónEn la tecnología aeroespacial y militar, los sustratos 6H-SiC se utilizan para fabricar dispositivos electrónicos de alta potencia capaces de operar en condiciones extremas.
El 3C-SiC es un tipo de semiconductor compuesto de banda ancha con excelentes propiedades como alta resistencia del campo de descomposición, alta tasa de deriva de electrones saturados y alta conductividad térmica.Tiene importantes aplicaciones en el campo de los vehículos de nueva energíaEl 3C-SiC tiene una mayor movilidad de portadores, una menor densidad de estado de defecto de la interfaz y una mayor afinidad de electrones.El uso de 3C-SiC para fabricar FET puede resolver el problema de la poca fiabilidad del dispositivo causada por muchos defectos de la interfaz puerta-oxígeno.
Parámetros técnicos
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único | 3C-Seco, Cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å | a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB | El ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 | 2.36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K | 3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm |
no = 2.61 n = 2.66 |
no = 2.60 n = 2.65 |
n=2.615 |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K C ~ 3,7 W/cm·K@298K |
3 a 5 W/cm·K@298K | |
| Conductividad térmica (semi-aislante) |
a ~ 4,9 W/cm·K@298K C ~ 3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
|
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV | 2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm | 2-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s | 2.7×107m/s |
Aplicación
1Campo de semiconductores: utilizado para fabricar dispositivos de potencia, como transistores, diodos, etc.
2Material resistente a altas temperaturas: con un alto punto de fusión y una buena estabilidad a altas temperaturas, puede utilizarse para fabricar piezas a altas temperaturas.
3Material refractario: puede mejorar la resistencia al fuego.
4Cerámica: mejora la resistencia, dureza y resistencia al desgaste de la cerámica.
5Campo aeroespacial: tiene aplicaciones en componentes de alta temperatura.
6Campo energético: puede utilizarse para células solares y aerogeneradores.
Producción relacionada
Preguntas frecuentes:
1.P: ¿Apoya la personalización?
R: Sí, lo hacemos. Podemos personalizar la oblea SiC de acuerdo con sus requisitos, incluido el material, las especificaciones, el tamaño y otros parámetros.
