Detalles del producto
Lugar de origen: Shangai China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: ROHS
Número de modelo: Oblea del carburo de silicio
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Condiciones de pago: T/T
El material: |
SiC monocristalino 4h-N |
Grado: |
Grado P/D/R |
El color: |
El verde |
Diámetro: |
12 pulgadas |
El material: |
SiC monocristalino 4h-N |
Grado: |
Grado P/D/R |
El color: |
El verde |
Diámetro: |
12 pulgadas |
12 pulgadas Diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H Tipo conductor solar fotovoltaico
El sustrato de SiC de 12 pulgadas (substrato de SiC de 12 pulgadas) es una oblea grande de carburo de silicio (SiC), utilizada principalmente en la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.El carburo de silicio es un material semiconductor de banda ancha con excelentes propiedades físicas y químicas, adecuado para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura. Tiene una amplia gama de aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia, vehículos de nueva energía,aplicaciones industriales y otros campos, al tiempo que aporta importantes beneficios económicos y medioambientales a la industria de semiconductores al mejorar la eficiencia de la producción, reducir los costes y impulsar el progreso tecnológico.Con el desarrollo continuo de la tecnología de carburo de silicio, los sustratos de 12 pulgadas ocuparán una posición importante en el mercado futuro.La introducción del sustrato de 12 pulgadas marca un gran avance en el tamaño y la capacidad de la tecnología de carburo de silicio para satisfacer la creciente demanda del mercado.
| Diámetro | 300.0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Orientación de la superficie | 4° hacia <11-20> ± 0,5° |
| Duración plana primaria | Noche |
| Duración plana secundaria | No hay |
| Orientación de la muesca | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Ángulo de muesca | 90° +5/-1° |
| Profundidad de muesca | 1 mm + 0,25 mm/-0 mm |
| Desorientación ortogonal | ± 5,0° |
| Finalización de la superficie | C-Face: Polish óptico, Si-Face: CMP |
| El borde de la oblea | Las herramientas |
| La rugosidad de la superficie 10 μm × 10 μm |
La superficie de Si:Ra≤0,2 nm y la superficie de C:Ra≤0,5 nm |
| El grosor | 500.0μm±25.0μm |
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ≤ 3 μm |
| TTV | ≤ 10 μm |
| - ¿Qué quieres decir? | ≤ 25 μm |
| La velocidad warp. | ≤ 40 μm |
| Parámetros de la superficie | |
| Las fichas/indentes | Ninguno permitido ≥ 0,5 mm Ancho y profundidad |
| Arrancamientos2 (Si frente CS8520) |
≤ 5 y longitud acumulada ≤ 1 Diámetro de la oblea |
| El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero. | ≥95% |
| Las grietas | Ninguno permitido |
| Mancha | Ninguno permitido |
| Exclusión del borde | 3 mm |
1Gran tamaño: 12 pulgadas (300 mm) de diámetro, en comparación con el substrato tradicional de 6 pulgadas (150 mm) y 8 pulgadas (200 mm), mejorando en gran medida la salida del chip de una sola oblea.
2Alta calidad cristalina: el uso de tecnología avanzada de crecimiento de cristales (como el método de transferencia de vapor físico, PVT) para garantizar que el sustrato tenga una baja densidad de defectos y una alta uniformidad.
Excelentes propiedades físicas:
1. Alta dureza (dureza de Mohs 9.2, sólo superado por el diamante).
2. Alta conductividad térmica (aproximadamente 4,9 W/cm·K), adecuada para disipación de calor de dispositivos de alta potencia.
3. Alta intensidad de campo eléctrico de ruptura (aproximadamente 2,8 MV / cm), soporte para aplicaciones de alto voltaje.
4Estabilidad química: resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, adecuado para entornos hostiles.
5. Brecha de banda ancha: La brecha de banda es de 3,26 eV (4H-SiC), adecuada para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.
1Electrónica de potencia:
MOSFET y IGBT: Se utilizan en vehículos eléctricos, motores industriales y sistemas de energía renovable.
Diodos Schottky: para sistemas de conversión y distribución de energía de alta eficiencia.
2Dispositivos de radiofrecuencia:
Estación base de comunicación 5G: admite la transmisión de señales RF de alta frecuencia y alta potencia.
Sistemas de radar: Se utilizan en la industria aeroespacial y de defensa.
3. Vehículos de nueva energía:
Sistema de accionamiento eléctrico: mejora la eficiencia y la resistencia del motor de los vehículos eléctricos.
Cargador para automóviles: admite carga rápida y transmisión de alta potencia.
4Aplicaciones industriales:
Fuente de alimentación de alta tensión: utilizada en equipos industriales y sistemas de energía.
Inversor solar: mejora la eficiencia de conversión del sistema de generación de energía solar.
5Electrónica de consumo:
Dispositivo de carga rápida: admite tecnología de carga rápida de alta potencia, acorta el tiempo de carga.
Adaptador de alimentación de alta eficiencia: Se utiliza para la gestión de energía de dispositivos como computadoras portátiles y teléfonos móviles.
6- El sector aeroespacial:
Electrónica de alta temperatura: Sistemas de energía para aeronaves y naves espaciales, adaptados a entornos extremos.
1Mejorar la eficiencia de la producción:El área del sustrato de 12 pulgadas es 2,25 veces mayor que la del sustrato de 8 pulgadas, y se pueden producir más chips en un solo proceso, lo que reduce el costo del chip unitario.Reducir las pérdidas de borde y mejorar la utilización de materiales.
2Reducir los costes de fabricación:El gran tamaño del sustrato reduce el cambio de equipos y las etapas del proceso en el proceso de fabricación y optimiza el flujo de producción. La producción a gran escala reduce aún más los costos.
3Mejorar el rendimiento del dispositivo:La alta calidad cristalina y la baja densidad de defectos mejoran la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo. Las excelentes propiedades físicas respaldan aplicaciones de mayor potencia y frecuencia.
4- impulsar el progreso tecnológico:El sustrato de 12 pulgadas ha promovido la aplicación a gran escala de la tecnología de semiconductores de carburo de silicio y ha acelerado la innovación de la industria.
5- Protección del medio ambiente y ahorro de energía:El rendimiento eficiente de los dispositivos de carburo de silicio reduce el consumo de energía y está en línea con la tendencia de la fabricación ecológica y el desarrollo sostenible.
Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas Wafer de carburo de silicio Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um
ZMSH es una empresa de alta tecnología centrada en sustratos de semiconductores y materiales de cristal óptico, comprometida con la investigación, producción, procesamiento y comercialización de materiales optoelectrónicos de alta calidad.Tenemos un equipo de ingeniería experimentado con un profundo conocimiento de la industria y experiencia técnica para proporcionar soluciones personalizadas a nuestros clientes.
Con fuertes capacidades de investigación y desarrollo, equipos de procesamiento avanzados, estricto control de calidad y filosofía de servicio orientada al cliente,ZMSH se compromete a proporcionar a los clientes sustratos de semiconductores de alta calidad y materiales de cristal ópticoContinuaremos esforzándonos por convertirnos en una empresa líder en el campo de los materiales optoelectrónicos y crear un mayor valor para los clientes.
1P: ¿Cuáles son las principales ventajas de los sustratos de SiC de 12 pulgadas sobre los de tamaños más pequeños?
R: Las principales ventajas de los sustratos de SiC de 12 pulgadas incluyen:
Reducción de costos: las obleas más grandes reducen el costo por chip debido a un mayor rendimiento y una mejor utilización del material.
Escalabilidad: Permiten la producción en masa, que es crítica para satisfacer la creciente demanda en industrias como la automoción y las telecomunicaciones.
Rendimiento mejorado: El tamaño más grande soporta procesos de fabricación avanzados, lo que conduce a dispositivos de mayor calidad con menos defectos.
ventaja competitiva: las empresas que adopten la tecnología SiC de 12 pulgadas pueden mantenerse por delante en el mercado ofreciendo soluciones más eficientes y rentables.
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