Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: SiC 6H-P
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Densidad: |
3.0 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
Fuera del eje: 2,0° hacia [110] ± 0,5° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
Las demás máquinas de la partida 8411 |
Polytype: |
6H-P |
Densidad: |
3.0 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
Fuera del eje: 2,0° hacia [110] ± 0,5° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
Las demás máquinas de la partida 8411 |
El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto compuesto de silicio (Si) y carbono (C), que tiene propiedades físicas y químicas únicas.6H-SiC es un politipo de carburo de silicio con estructura hexagonal y un ancho de banda de 3.02 eV, que presenta propiedades eléctricas y térmicas específicas. El sustrato de carburo de silicio tipo 6H-P, en particular el sustrato de 6H-SiC con conductividad tipo P, tiene un ángulo fuera del eje de 4,0°,que ayuda a optimizar el rendimiento eléctrico y la estabilidad térmica del dispositivo.
1. la brecha de banda ancha:El 6H-SiC tiene un ancho de banda de 3,02 eV, que es significativamente más ancho que el 1,1 eV del silicio (Si).Esta característica hace que el 6H-SiC sea extremadamente estable en ambientes de alta temperatura con baja tasa de fuga de corriente, que es adecuado para la electrónica de alta temperatura de potencia.
2. Alta conductividad térmica:La alta conductividad térmica del 6H-SiC ayuda a una mejor disipación de calor en aplicaciones de alta potencia, reduce la acumulación de calor y mejora la eficiencia de trabajo y la confiabilidad del dispositivo.
3Campo eléctrico de alta ruptura:El 6H-SiC tiene una alta resistencia al campo eléctrico de descomposición y puede soportar voltajes más altos sin descomposición, lo que es adecuado para su aplicación en el campo de la electrónica de potencia de alto voltaje.
4. Conductividad eléctrica de tipo P:El sustrato Sic de tipo P tiene propiedades eléctricas específicas, sus electrones tienen una mayor movilidad en relación con los agujeros y pueden obtener una menor caída de voltaje,que sea propicio para controlar el comportamiento del dispositivo.
5Optimización del ángulo fuera del eje:El diseño del eje fuera de 4,0° ayuda a optimizar el rendimiento eléctrico y la estabilidad térmica del dispositivo y mejora el rendimiento general del dispositivo.
6 de diámetro de pulgadas de carburo de silicio (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado |
精选级 (sección de selección)Z. 级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) |
工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) |
测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) |
||
| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea |
- ¿ Qué?elel eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: |
||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
1Dispositivo de alimentación:
El sustrato de carburo de silicio 3C-N se utiliza ampliamente en transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico de alta corriente (MOSFET) y otros dispositivos de potencia,debido a su excelente conductividad y resistencia a altas temperaturas, lo que lo convierte en el material principal de los equipos electrónicos de alta tensión y alta frecuencia.
2Equipo de comunicación de alta frecuencia:
En el campo de la RF y la comunicación de microondas,El sustrato de carburo de silicio 3C-N se utiliza para fabricar dispositivos RF de alto rendimiento debido a sus características de alta frecuencia y características de baja pérdida.
3Equipo optoelectrónico:
Debido a su alta conductividad térmica y sus propiedades ópticas, los sustratos SIC tipo 3C-N pueden utilizarse en LEDs optoelectrónicos y otros dispositivos optoelectrónicos.
4. Vehículos de nueva energía:
Los vehículos de nueva energía tienen una demanda cada vez mayor de dispositivos de potencia de alta eficiencia y baja pérdida, y los sustratos de carburo de silicio 3C-N tienen amplias perspectivas de aplicación en este campo.
1P: ¿Qué es el sustrato de carburo de silicio 6H-P fuera del eje a 4.0 °?
R: El sustrato de carburo de silicio 6H-P fuera del eje a 4,0° se refiere al material de carburo de silicio con estructura cristalina de 6H, su tipo conductor es de tipo P y la dirección de corte es 4.0° lejos del huso cristalinoEste diseño está diseñado para optimizar las propiedades eléctricas y la estabilidad térmica de los materiales de carburo de silicio para satisfacer las necesidades de fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
2P: ¿Qué es el carburo de silicio tipo P?
R: El carburo de silicio de tipo P es un material semiconductor cargado positivamente formado por la incorporación de elementos trivalentes (como el aluminio o el boro), con agujeros como sus principales portadores.
Etiqueta: #Wafer Sic, #Substrato de carburo de silicio, #Sic tipo 6H-P, #Off axis: 4.0° hacia, #6H Tipo dopado con P alto
