2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic 6H Tipo alto dopado con P. Fuera del eje: 4,0° hacia el grado primario

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto compuesto de silicio (Si) y carbono (C), que tiene propiedades físicas y químicas únicas.6H-SiC es un politipo de carburo de silicio con estructura hexagonal y un ancho de banda de 3.02 eV, que presenta propiedades eléctricas y térmicas específicas. El sustrato de carburo de silicio tipo 6H-P, en particular el sustrato de 6H-SiC con conductividad tipo P, tiene un ángulo fuera del eje de 4,0°,que ayuda a optimizar el rendimiento eléctrico y la estabilidad térmica del dispositivo.

Características:

1. la brecha de banda ancha:El 6H-SiC tiene un ancho de banda de 3,02 eV, que es significativamente más ancho que el 1,1 eV del silicio (Si).Esta característica hace que el 6H-SiC sea extremadamente estable en ambientes de alta temperatura con baja tasa de fuga de corriente, que es adecuado para la electrónica de alta temperatura de potencia.

2. Alta conductividad térmica:La alta conductividad térmica del 6H-SiC ayuda a una mejor disipación de calor en aplicaciones de alta potencia, reduce la acumulación de calor y mejora la eficiencia de trabajo y la confiabilidad del dispositivo.

 

3Campo eléctrico de alta ruptura:El 6H-SiC tiene una alta resistencia al campo eléctrico de descomposición y puede soportar voltajes más altos sin descomposición, lo que es adecuado para su aplicación en el campo de la electrónica de potencia de alto voltaje.

4. Conductividad eléctrica de tipo P:El sustrato Sic de tipo P tiene propiedades eléctricas específicas, sus electrones tienen una mayor movilidad en relación con los agujeros y pueden obtener una menor caída de voltaje,que sea propicio para controlar el comportamiento del dispositivo.

5Optimización del ángulo fuera del eje:El diseño del eje fuera de 4,0° ayuda a optimizar el rendimiento eléctrico y la estabilidad térmica del dispositivo y mejora el rendimiento general del dispositivo.

Parámetro técnico:

6 de diámetro de pulgadas de carburo de silicio (SiC) Especificación

Las notas:

※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.

Aplicaciones:

Muestra de muestra: