Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: SiC 3C-N
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
Polytype: |
3C-N |
Dureza de Mohs: |
≈9.2 |
Densidad: |
2.36 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
En el eje:111 ± 0,5° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
LED UV y diodo láser |
Polytype: |
3C-N |
Dureza de Mohs: |
≈9.2 |
Densidad: |
2.36 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
En el eje:111 ± 0,5° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
LED UV y diodo láser |
El sustrato de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-N es un material semiconductor con una estructura cristalina cúbica, donde "3C" significa su sistema cristalino cúbico,mientras que "tipo N" se refiere a un semiconductor tipo N formado por la incorporación de átomos de nitrógeno (N)Este material de sustrato desempeña un papel importante en la industria de semiconductores, especialmente en aplicaciones donde se requieren estrictamente altas temperaturas, alta presión y alto rendimiento de frecuencia.
El sustrato de carburo de silicio (SiC) es el material principal del semiconductor de banda ancha recientemente desarrollado, que se utiliza principalmente en electrónica de microondas, electrónica de potencia y otros campos.Es el extremo delantero de la cadena industrial de semiconductores de banda ancha y es el material básico y claveLos sustratos de carburo de silicio tienen una variedad de estructuras cristalinas, las más comunes de las cuales son el α-SiC hexagonal (como 4H-SiC, 6H-SiC) y el β-SiC cúbico (es decir, 3C-SiC).
1Alta movilidad de electrones:El 3C-SiC tiene una movilidad electrónica relativamente alta, lo que le da una ventaja en el procesamiento de señales electrónicas de alta velocidad.que es mucho mayor que los materiales semiconductores tradicionales como el silicio.
2- El espacio de banda más pequeño:En comparación con otros tipos cristalinos de carburo de silicio como el 4H-SiC y el 6H-SiC, el 3C-SiC tiene una brecha de banda más pequeña (alrededor de 2,36 eV).Esta característica permite que el dispositivo 3C-SiC tenga una corriente de túnel FN más pequeña y una mayor fiabilidad en la preparación de la capa de óxido, lo que ayuda a mejorar el rendimiento del producto del dispositivo.
3. Alta conductividad térmica:Los materiales de carburo de silicio generalmente tienen una alta conductividad térmica, y el 3C-SiC no es una excepción.reducir la acumulación de calor y la dependencia de los sistemas de refrigeración, mejorando así significativamente la eficiencia y fiabilidad del dispositivo.
4Campo eléctrico de alta ruptura:La resistencia del campo eléctrico de descomposición del 3C-SiC también es relativamente alta, y puede soportar altos voltajes sin descomposición.Esta característica hace que tenga un valor de aplicación potencial en la electrónica de alta tensión.
6 de diámetro de pulgadas de carburo de silicio (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado |
精选级 (sección de selección)Z. 级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) |
工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) |
测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) |
||
| Diámetro | 145.5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea |
- ¿ Qué?elel eje: 2.0°-4.0° hacia [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: |
||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※ Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
1Electrónica de potencia:
· Los MOSFET de SiC:Los sustratos de carburo de silicio tipo 3C-N se pueden utilizar para fabricar MOSFETs SiC (transistores de efecto de campo de óxido metálico de nitruro de silicio), que funcionan bien en alta tensión, alta corriente,aplicaciones de cambio rápidoEn comparación con los MOSFET de silicio tradicionales, los MOSFET de SiC tienen bajas pérdidas de encendido y apagado y pérdidas de conmutación, y pueden operar de manera estable a temperaturas y voltajes más altos.
Diodos de SiC:Los sustratos 3C-SiC también pueden utilizarse para fabricar diodos SiC, que pueden mejorar en gran medida la velocidad de conmutación y la eficiencia general de conversión del sistema en las fuentes de alimentación HVDC.Inversores y otros sistemas.
2. Dispositivos de radio y comunicación:
· SiC HEMT:En los amplificadores de potencia de RF, se pueden utilizar sustratos de carburo de silicio tipo 3C-N para fabricar SiC HEMT (transistores de alta movilidad electrónica).SiC HEMT puede funcionar de manera estable a frecuencias extremadamente altas y es adecuado para escenarios de transmisión de datos de alta velocidad como las comunicaciones 5G y las comunicaciones por satéliteAl mismo tiempo, sus características de baja pérdida ayudan a reducir el consumo de energía y mejorar el rendimiento de la red.
3- Electrónica automotriz:
· Vehículos eléctricos y conducción autónoma:Con el desarrollo de los vehículos eléctricos y la tecnología de conducción autónoma, existe una creciente demanda de alta densidad de potencia, excelentes capacidades de gestión térmica y electrónica de larga vida útil.Debido a su alta estabilidad a temperatura, alta conductividad térmica y resistencia a la radiación, el sustrato SIC 3C-N tiene una amplia gama de aplicaciones en sistemas de conversión de energía de vehículos eléctricos, sistemas de gestión de baterías (BMS),Los demás aparatos y aparatos para la fabricación de máquinas, y sensores para sistemas de conducción autónoma.
4Dispositivos optoelectrónicos:
· LEDs UV y diodos láser:En los LED UV y los diodos láser, el sustrato 3C-SiC proporciona una mejor eficiencia de salida de luz y conductividad térmica, optimizando así el rendimiento óptico y la confiabilidad del dispositivo.Esto hace que el 3C-SiC sea potencialmente útil en áreas como la esterilización, purificación del aire, detección médica y tecnología láser.
1P: ¿Cuáles son las ventajas del sustrato SIC tipo 3C-N en el campo de la electrónica de potencia?
R: En el campo de la electrónica de potencia, el sustrato de carburo de silicio tipo 3C-N tiene baja resistividad y alta movilidad de electrones.que puede reducir significativamente las pérdidas de energía y mejorar la velocidad de conmutación y la eficiencia del dispositivo.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre el 3C-SiC y el carburo de silicio cristalino?
R: 3C-SiC es la única forma cristalina de carburo de silicio con una estructura de red cúbica, que tiene una mayor movilidad de electrones en comparación con los cristales comunes de 4H y 6H,pero la estabilidad del cristal es relativamente pobre y la densidad de defecto es mayor.
Etiqueta: #Sic, #Carburo de silicio, #Wafer de carburo de silicio tipo 3C-N, tipo de cristal #3C, #Sic conducción tipo N, #Sic tipo 4H/6H-P,3C-N
