Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: 4h-n
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega: 10-30 días
Condiciones de pago: T/T, Western Union
Capacidad de la fuente: 1000 piezas/mes
El material: |
SIC cristalino |
Industria: |
lente óptica de la oblea de semiconductor |
Aplicación: |
semiconductor, llevado, dispositivo, electrónica de poder, 5G |
El color: |
El verde |
El tipo: |
4h-n |
El tamaño: |
2-12inch |
El grosor: |
350um o 500um |
Las normas de seguridad: |
±25um |
Grado: |
Producción/investigación/maniquí cero |
TTV: |
<15um> |
- ¿ Por qué?: |
<20um> |
La velocidad warp.: |
《30um |
Servicio de Customzied: |
Disponible |
El material: |
Carburo de silicio (SiC) |
Materia prima: |
China. |
El material: |
SIC cristalino |
Industria: |
lente óptica de la oblea de semiconductor |
Aplicación: |
semiconductor, llevado, dispositivo, electrónica de poder, 5G |
El color: |
El verde |
El tipo: |
4h-n |
El tamaño: |
2-12inch |
El grosor: |
350um o 500um |
Las normas de seguridad: |
±25um |
Grado: |
Producción/investigación/maniquí cero |
TTV: |
<15um> |
- ¿ Por qué?: |
<20um> |
La velocidad warp.: |
《30um |
Servicio de Customzied: |
Disponible |
El material: |
Carburo de silicio (SiC) |
Materia prima: |
China. |
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N Grado Dummy Rrime Grado Materiales semiconductores de alta dureza
Sobre la oblea de SiC
La oblea de carburo de silicio es un tipo de material semiconductor de banda ancha.El material tiene varias veces mayor que el vacío de la banda de silicio tradicional, velocidad de deriva, tensión de ruptura, conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas y otras características excelentes, en altas temperaturas, alta presión, alta frecuencia, alta potencia, fotoeléctrica,resistencia a la radiación, microondas y otras aplicaciones electrónicas y aeroespaciales, militares, de energía nuclear y otras aplicaciones en entornos extremos tienen ventajas insustituibles.
Propiedades de la oblea de SiC
-Campo eléctrico de descomposición: El campo eléctrico de descomposición del carburo de silicio es aproximadamente diez veces el del silicio,para que los dispositivos de carburo de silicio puedan funcionar a voltajes más altos sin averías debido a un campo eléctrico excesivo.
- Conductividad térmica: La conductividad térmica del carburo de silicio es tres veces mayor que la del silicio,para que los dispositivos de carburo de silicio puedan mantener un buen rendimiento de disipación de calor en ambientes de alta temperatura.
-Velocidad de migración de electrones saturados: los materiales de carburo de silicio tienen una velocidad de migración de electrones saturados más alta, lo que mejora el rendimiento de los dispositivos de carburo de silicio a altas frecuencias.
-Temperatura de trabajo: la temperatura de trabajo de los dispositivos de energía de carburo de silicio puede alcanzar más de 600 °C, lo que es 4 veces superior a la de los mismos dispositivos de silicio,y puede soportar entornos de trabajo más extremos.
Otras producciones de nuestra empresa
Técnicas de crecimiento de la oblea de SiC
Actualmente, la producción industrial de sustrato de carburo de silicio se basa principalmente en el método PVT.Este método requiere sublimar el polvo con alta temperatura y vacío, y luego dejar que los componentes crezcan en la superficie de la semilla mediante el control del campo térmico,para obtener los cristales de carburo de silicio.
Aplicación de las obleas de SiC
- Electrónica de potencia:
Interruptores de alta frecuencia: en inversores y convertidores, utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
Amplificadores de potencia: en las comunicaciones inalámbricas y aplicaciones de RF, los dispositivos SiC son capaces de manejar señales de alta potencia y alta frecuencia.
- Sistemas de accionamiento eléctrico: los chips de SiC se utilizan en los sistemas de control y carga de motores de vehículos eléctricos para mejorar la eficiencia energética y la resistencia.
- Inversor solar: en los sistemas de generación de energía solar, los dispositivos SiC pueden mejorar la eficiencia del inversor y reducir la pérdida de energía.
- Aplicaciones a altas temperaturas y altas presiones: adecuado para dispositivos que necesitan funcionar en condiciones extremas, como sensores y electrónica en las industrias aeroespacial, petrolera y de gas.
-Iluminación LED: El SiC se puede utilizar para fabricar LEDs de alto brillo que proporcionan una mayor eficiencia luminosa y una mayor vida útil.
-Gestión de energía: para sistemas eficientes de conversión y gestión de energía para mejorar la eficiencia energética general.
-Equipo industrial: en equipos industriales con alta potencia y ambientes de alta temperatura, los dispositivos SiC pueden mejorar la fiabilidad y el rendimiento.
Preguntas frecuentes:
P: ¿Apoya la personalización?
R: Sí, podemos personalizar la obletera SiC de acuerdo con sus requisitos, incluido el material, las especificaciones y el tamaño.
