logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Inicio ProductosSic substrato

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

Todos los productos
Oblea del nitruro del galio (35)
Oblea del zafiro (88)
Sic substrato (132)
Zafiro Windows óptico (77)
Oblea de silicio de IC (22)
Zafiro sintético Rod (13)
Placa del cuarzo fundido (40)
Piezas del zafiro (114)
Piedra preciosa sintética (72)
Equipo del semiconductor (55)
Oblea LiNbO3 (18)
Oblea del GaAs (24)
Oblea del fosfuro de indio (34)
substrato de cerámica (25)
Envoltura del laboratorio (31)
Estoy en línea para chatear ahora

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

4Inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100mm Thickness 350 μm Prime Grade Research Grade
4Inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100mm Thickness 350 μm Prime Grade Research Grade 4Inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100mm Thickness 350 μm Prime Grade Research Grade 4Inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100mm Thickness 350 μm Prime Grade Research Grade 4Inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100mm Thickness 350 μm Prime Grade Research Grade 4Inch Silicon Carbide Sic wafer 4H-P Type Diameter 100mm Thickness 350 μm Prime Grade Research Grade

Ampliación de imagen :  Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: 4H-P SiC
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10 por ciento
Precio: by case
Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada
Tiempo de entrega: en 30days
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
Contacto
Descripción detallada del producto
Dureza de la superficie: HV0.3>2500 Densidad: 3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica: 4,5 X 10-6/K Constante dieléctrica: 9,7
Resistencia a la tracción: >400MPa El material: Monocristal de SiC
tamaño: 4inch Tensión de ruptura: 5,5 milivoltios/cm
Resaltar:

Wafer SiC de grado de investigación

,

Wafer Sic de primer grado

,

Wafer Sic de 4 pulgadas

Descripción del producto:

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación
El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un importante material semiconductor comúnmente utilizado en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.El 4H-SiC es un tipo de estructura cristalina que tiene una estructura de red hexagonalEl amplio intervalo de banda (aproximadamente 3,26 eV) le permite funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje.puede guiar y disipar el calor de manera efectivaLa alta conductividad térmica (aproximadamente 4,9 W/m · K), superior al silicio, puede conducir y disipar el calor de manera eficaz.El carburo de silicio dopado de tipo P tiene una baja resistividad y es adecuado para la construcción de uniones PNCon el desarrollo de los vehículos eléctricos y las tecnologías de energía renovable, se espera que la demanda de carburo de silicio tipo 4H-P siga creciendo.impulsar la investigación y los avances tecnológicos relacionados.

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 0Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 1

Características:

· Tipo: el cristal 4H-SiC tiene una estructura de red hexagonal y proporciona excelentes características eléctricas.

· Amplia banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.

· Dopaje tipo P: La conductividad tipo P se obtiene mediante elementos de dopaje como el aluminio, aumentando la concentración del conductor poroso.

· Resistividad: baja resistividad, adecuada para dispositivos de alta potencia.

· Alta conductividad térmica: aprox. 4,9 W/m·K, disipación de calor eficaz, adecuada para aplicaciones de alta densidad de potencia.

· Resistencia a altas temperaturas: puede funcionar de forma estable en un entorno de altas temperaturas.

· Alta dureza: muy alta resistencia mecánica y dureza para condiciones adversas.

· Alta tensión de ruptura: capaz de soportar tensiones más altas y reducir el tamaño del dispositivo.

· Baja pérdida de conmutación: Buenas características de conmutación en operaciones de alta frecuencia para mejorar la eficiencia.
· Resistencia a la corrosión: buena resistencia a la corrosión de una amplia gama de productos químicos.

· Amplia gama de aplicaciones: adecuado para vehículos eléctricos, inversores, amplificadores de alta potencia y otros campos.

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 2Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 3

Parámetros técnicos:

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 4

Aplicaciones:

1Electrónica de potencia
Convertidores de potencia: para adaptadores de potencia eficientes e inversores de menor tamaño y mayor eficiencia energética.
Vehículos eléctricos: optimizar la eficiencia de conversión de potencia en los módulos de accionamiento y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.
2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Se utilizan en sistemas de comunicación y radar para proporcionar un rendimiento confiable de alta frecuencia.
Comunicaciones por satélite: amplificador de alta potencia para satélites de comunicación.
3Aplicaciones a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado en entornos de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estable.
Equipo industrial: equipo e instrumentos adaptados a condiciones de alta temperatura.
4. Optoelectrónica
Tecnología LED: se utiliza para mejorar la eficiencia luminosa en LEDs específicos de longitud de onda corta.
Lasers: aplicaciones láser eficientes.
5Sistema de energía.
Red inteligente: Mejorar la eficiencia energética y la estabilidad en la transmisión y gestión de la red de corriente continua de alto voltaje (HVDC).
6Electrónica de consumo
Dispositivo de carga rápida: Un cargador portátil para dispositivos electrónicos que mejora la eficiencia de carga.
7Energía renovable
Inversor solar: lograr una mayor eficiencia de conversión de energía en los sistemas fotovoltaicos.
Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 5

Personalización:

Nuestro sustrato SiC está disponible en el tipo 4H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 4 pulgadas.

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación 6

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.
2Citas rápidas y precisas.
3Responderemos en 24 horas laborales.
4. ODM: diseño personalizado es disponible.
5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cómo se paga?
R: 50% de depósito, 50% antes de la entrega T / T, Paypal.
P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 10pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.
P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
R: (1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

etiqueta:

sic oblea,

sic substrato,

substrato del carburo de silicio

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sic substrato

De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic

2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

sic carburo de silicio del lingote 4inch grueso de 5 - de 15m m para los semiconductores

4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo

Oblea del zafiro

Orientación de encargo del Special de Windows del vidrio/zafiro del zafiro de la oblea de semiconductor

Wafer de zafiro espesor 0,43 mm componentes de zafiro tamaño personalizado y orientaciones

Oblea del zafiro/cristal cuadrados 10x10m m 5x5m m del zafiro para la lente óptica

2°Off C - zafiro sintético Epi de cristal de AXIS - pulgada de diámetro lista 50.8m m de los substratos 2

Oblea del nitruro del galio

Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro

oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si

Solicitar una cotización

E-Mail | Mapa del sitio

Sitio movil
Política de privacidad | Porcelana Bueno Calidad Oblea del nitruro del galio El proveedor. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.