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Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	4H-P SiC
MOQ:	10 por ciento
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	en 30days
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China.

Certificación:

rohs

Dureza de la superficie:

HV0.3>2500

Densidad:

3.21 G/cm3

Coeficiente de expansión térmica:

4,5 X 10-6/K

Constante dieléctrica:

9,7

Resistencia a la tracción:

>400MPa

El material:

Monocristal de SiC

tamaño:

4inch

Tensión de ruptura:

5,5 milivoltios/cm

Detalles de empaquetado:

caja de plástico personalizada

Capacidad de la fuente:

1000pc/month

Resaltar:

Wafer SiC de grado de investigación

Wafer Sic de primer grado

Wafer Sic de 4 pulgadas

Descripción de producto

Descripción del producto:

Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un importante material semiconductor comúnmente utilizado en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.El 4H-SiC es un tipo de estructura cristalina que tiene una estructura de red hexagonalEl amplio intervalo de banda (aproximadamente 3,26 eV) le permite funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje.puede guiar y disipar el calor de manera efectivaLa alta conductividad térmica (aproximadamente 4,9 W/m · K), superior al silicio, puede conducir y disipar el calor de manera eficaz.El carburo de silicio dopado de tipo P tiene una baja resistividad y es adecuado para la construcción de uniones PNCon el desarrollo de los vehículos eléctricos y las tecnologías de energía renovable, se espera que la demanda de carburo de silicio tipo 4H-P siga creciendo.impulsar la investigación y los avances tecnológicos relacionados.

Características:

· Tipo: el cristal 4H-SiC tiene una estructura de red hexagonal y proporciona excelentes características eléctricas.

· Amplia banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.

· Dopaje tipo P: La conductividad tipo P se obtiene mediante elementos de dopaje como el aluminio, aumentando la concentración del conductor poroso.

· Resistividad: baja resistividad, adecuada para dispositivos de alta potencia.

· Alta conductividad térmica: aprox. 4,9 W/m·K, disipación de calor eficaz, adecuada para aplicaciones de alta densidad de potencia.

· Resistencia a altas temperaturas: puede funcionar de forma estable en un entorno de altas temperaturas.

· Alta dureza: muy alta resistencia mecánica y dureza para condiciones adversas.

· Alta tensión de ruptura: capaz de soportar tensiones más altas y reducir el tamaño del dispositivo.

· Baja pérdida de conmutación: Buenas características de conmutación en operaciones de alta frecuencia para mejorar la eficiencia.
· Resistencia a la corrosión: buena resistencia a la corrosión de una amplia gama de productos químicos.

· Amplia gama de aplicaciones: adecuado para vehículos eléctricos, inversores, amplificadores de alta potencia y otros campos.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

1Electrónica de potencia
Convertidores de potencia: para adaptadores de potencia eficientes e inversores de menor tamaño y mayor eficiencia energética.
Vehículos eléctricos: optimizar la eficiencia de conversión de potencia en los módulos de accionamiento y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.

2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Se utilizan en sistemas de comunicación y radar para proporcionar un rendimiento confiable de alta frecuencia.
Comunicaciones por satélite: amplificador de alta potencia para satélites de comunicación.

3Aplicaciones a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado en entornos de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estable.
Equipo industrial: equipo e instrumentos adaptados a condiciones de alta temperatura.

4. Optoelectrónica
Tecnología LED: se utiliza para mejorar la eficiencia luminosa en LEDs específicos de longitud de onda corta.
Lasers: aplicaciones láser eficientes.

5Sistema de energía.
Red inteligente: Mejorar la eficiencia energética y la estabilidad en la transmisión y gestión de la red de corriente continua de alto voltaje (HVDC).

6Electrónica de consumo
Dispositivo de carga rápida: Un cargador portátil para dispositivos electrónicos que mejora la eficiencia de carga.

7Energía renovable
Inversor solar: lograr una mayor eficiencia de conversión de energía en los sistemas fotovoltaicos.

Personalización:

Nuestro sustrato SiC está disponible en el tipo 4H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 4 pulgadas.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cómo se paga?
R: 50% de depósito, 50% antes de la entrega T / T, Paypal.

P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 10pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
R: (1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

Etiquetas:

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Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

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Wafer Sic de carburo de silicio de 4 pulgadas Tipo 4H-P Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado de investigación

Wafer SiC de grado de investigación

Wafer Sic de primer grado

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Características:

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

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