Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: SiC 6H-P
Condiciones de pago y envío
Precio: by case
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Dureza de Mohs: |
≈9.2 |
Densidad: |
3.0 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
en el eje 0° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
Las demás máquinas de la partida 8411 |
Polytype: |
6H-P |
Dureza de Mohs: |
≈9.2 |
Densidad: |
3.0 g/cm3 |
Resistencia: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Orientación superficial: |
en el eje 0° |
La rugosidad: |
Polish Ra≤1 nm |
Embalaje: |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Aplicación: |
Las demás máquinas de la partida 8411 |
El sustrato de carburo de silicio tipo 6H-P es un material semiconductor cultivado por un proceso especial.y cada célula contiene una secuencia de apilamiento de seis átomos de silicio y seis átomos de carbonoEl tipo P indica que el sustrato ha sido dopado de modo que su conductividad está dominada por agujeros.Un eje de 0 ° se refiere al hecho de que la orientación cristalina del sustrato es de 0 ° en una dirección específica (como el eje C del cristal), que generalmente está relacionado con el crecimiento y procesamiento del cristal.
4 Diámetro de pulgada SilicioSubstrato de carburo (SiC) Especificación
| ¿Qué quieres decir?Grado |
精选级 (sección de selección)Z.级) Producción de MPD cero Grado (Z) Grado) |
工业级 (en inglés)P级) Producción estándar Grado (P) Grado) |
测试级 (sección de pruebas)D级) Grado de imitación (D Grado) |
||
| Diámetro | 99.5 mm~100,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | En el eje opuesto: 2.0°-4.0° hacia adelante [1120] ± 0,5° para 4H/6H- |
||||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| Principal de orientación plana | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
| 包装 Embalaje | Contenedor de una sola o varias obleas | ||||
Las notas:
※Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto al área de exclusión de los bordes.
- ¿ Qué?
1. P: En comparación con el tipo 4H, ¿cuáles son las diferencias de rendimiento entre el tipo 6H-P SIC substrato eje 0°?
R: El carburo de silicio de tipo 6H, en comparación con el tipo 4H, tiene una estructura cristalina diferente, lo que puede provocar diferencias en las propiedades eléctricas, térmicas y de resistencia mecánica.El eje de tipo 6H-P de 0° generalmente tiene propiedades eléctricas más estables y mayor conductividad térmica, adecuado para aplicaciones específicas de alta temperatura y alta frecuencia.
2P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H y 6H SiC?
R: La principal diferencia entre el carburo de silicio 4H y 6H es su estructura cristalina, 4H es un cristal mixto hexagonal tetragonal, y 6H es un cristal hexagonal puro.
Etiqueta: #Wafer Sic, #substrato de carburo de silicio, #Sic tipo 6H-P, #en el eje 0°, #Dureza de Mohs 9.2
