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Created with Pixso. HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación

HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación

Nombre De La Marca: zmsh
Información detallada
Lugar de origen:
Porcelana
Certificación:
rohs
Material:
HPSI SiC
Calificación:
Primero/Dummy/Investigación
Tipo:
4h-semi
Tamaño:
2"/3"/4"/6"/8"
Espesor:
500 ± 25 μm
TTV:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Arco:
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm
abrigo:
Se aplicarán los siguientes requisitos:
Descripción de producto
Descripción del Producto
Descripción general de la oblea HPSI SiC
Oblea HPSI SiC: grado óptico de 2 a 12 pulgadas para gafas AI/AR

Las obleas de SiC (carburo de silicio semiaislante de alta pureza) de tipo HPSI son materiales ópticos fundamentales en gafas AI y AR. Con un alto índice de refracción (2,6 - 2,7 a 400 - 800 nm) y características de baja absorción óptica, abordan eficazmente problemas como los "efectos arcoíris" y la transmitancia de luz insuficiente que son comunes en los materiales tradicionales de vidrio o resina utilizados para las guías de ondas AR. Por ejemplo, las gafas Orion AR de Meta utilizan lentes de guía de ondas HPSI SiC, logrando un campo de visión (FOV) ultra amplio de 70° - 80° con un grosor de lente de una sola capa de solo 0,55 mm y un peso de 2,7 g, lo que mejora significativamente la comodidad de uso y la inmersión.

HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación 0HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación 1

Características y ventajas del núcleo de oblea HPSI SiC
Propiedades del material, rendimiento óptico y valor de aplicación
  1. Índice de refracción: 2,6 - 2,7
    Este alto índice de refracción permite la sustitución de estructuras ópticas multicapa por una lente de una sola capa, lo que reduce la pérdida de luz y mejora el brillo y la precisión del color. Como resultado, permite visualizaciones más puras, elimina los efectos del arco iris y admite una integración perfecta con Micro LED de alta resolución.
  2. Conductividad Térmica: 490 W/m·K
    El material disipa rápidamente el calor generado por los Micro LED de alta potencia, evitando la deformación de la lente y extendiendo la vida útil del dispositivo. Esto garantiza un rendimiento estable incluso en entornos de alta temperatura, como el uso en exteriores.
  3. Dureza Mohs: 9,5
    Con una excepcional resistencia al rayado, el material puede soportar el desgaste diario. Esto reduce las necesidades de mantenimiento y extiende la vida útil de la lente, mejorando la usabilidad a largo plazo.
  4. Semiconductor de banda prohibida amplia
    Su compatibilidad con los procesos CMOS permite la litografía y el grabado a nanoescala para una fabricación precisa de rejillas ópticas. Esto facilita la producción a escala de oblea de componentes ópticos avanzados como guías de ondas difractivas y microresonadores.
Aplicaciones clave de la oblea HPSI SiC
1. Sistemas ópticos AI/AR
  • Lentes de guía de ondas: El diseño de rejilla de sección transversal triangular permite pantallas a todo color de una sola capa, resolviendo la dispersión cromática en guías de ondas difractivas tradicionales (por ejemplo, solución Meta Orion).
  • Acopladores de micropantalla: Logra más del 80% de eficiencia de transmisión de luz entre Micro LED y guías de ondas.
  • Sustratos de revestimiento antirreflectante: Minimiza los reflejos de la luz ambiental, mejorando las relaciones de contraste AR.
2. Aplicaciones ampliadas
  • Dispositivos de comunicación cuántica: Aprovecha las propiedades del centro de color para la integración de fuentes de luz cuánticas.
  • Componentes láser de alta potencia: Sirve como sustratos para diodos láser en sistemas médicos y de corte industrial.
Parámetro clave de la oblea HPSI SiC
Comparación de especificaciones de sustrato de SiC semiaislante de 4 y 6 pulgadas
Parámetro Calificación Sustrato de 4 pulgadas Sustrato de 6 pulgadas
Diámetro Grado Z / Grado D 99,5 milímetros - 100,0 milímetros 149,5 milímetros - 150,0 milímetros
tipo poli Grado Z / Grado D 4H 4H
Espesor Grado Z 500 micras ± 15 micras 500 micras ± 15 micras

Grado D 500 micras ± 25 micras 500 micras ± 25 micras
Orientación de la oblea Grado Z / Grado D En el eje: <0001> ± 0,5° En el eje: <0001> ± 0,5°
Densidad del microtubo Grado Z ≤ 1cm² ≤ 1cm²

Grado D ≤ 15 cm² ≤ 15 cm²
Resistividad Grado Z ≥ 1E10 Ω·cm ≥ 1E10 Ω·cm

Grado D ≥ 1E5 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria Grado Z / Grado D (10-10) ± 5,0° (10-10) ± 5,0°
Longitud plana primaria Grado Z / Grado D 32,5 mm ± 2,0 mm Muesca
Longitud plana secundaria Grado Z / Grado D 18,0 mm ± 2,0 mm -
Exclusión de borde Grado Z / Grado D 3 milímetros 3 milímetros
LTV / TTV / Arco / Deformación Grado Z ≤ 2,5 µm / ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 30 µm ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm

Grado D ≤ 10 µm / ≤ 15 µm / ≤ 25 µm / ≤ 40 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 80 µm
Aspereza Grado Z Ra polaco ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Ra polaco ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm

Grado D Ra polaco ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Polaco Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Grietas en los bordes Grado D Área acumulada ≤ 0,1% Longitud acumulada ≤ 20 mm, simple ≤ 2 mm
Áreas de politipo Grado D Área acumulada ≤ 0,3% Área acumulada ≤ 3%
Inclusiones visuales de carbono Grado Z Área acumulada ≤ 0,05% Área acumulada ≤ 0,05%

Grado D Área acumulada ≤ 0,3% Área acumulada ≤ 3%
Arañazos en la superficie de silicona Grado D 5 permitidos, cada uno ≤1 mm Longitud acumulada ≤ 1 x diámetro
Astillas de borde Grado Z Ninguno permitido (ancho y profundidad ≥0,2 mm) Ninguno permitido (ancho y profundidad ≥0,2 mm)

Grado D 7 permitidos, cada uno ≤1 mm 7 permitidos, cada uno ≤1 mm
Dislocación del tornillo de roscado Grado Z - ≤ 500 cm²
Embalaje Grado Z / Grado D Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea Casete de múltiples obleas o contenedor de una sola oblea
Servicios ZMSH

Como entidad integrada de fabricación y comercialización, ZMSH ofrece soluciones integrales para productos de SiC:

Integración vertical

Los hornos internos de crecimiento de cristales producen obleas tipo 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P y 3C-N (de 2 a 12 pulgadas), con parámetros personalizables (p. ej., concentración de dopaje, resistencia a la flexión).

Procesamiento de precisión
  • Corte a nivel de oblea: El corte en cubitos por láser y el pulido mecánico químico (CMP) logran una rugosidad de la superficie <0,3 nm.
  • Formas personalizadas: Produce prismas, obleas cuadradas y matrices de guías de ondas para la integración de módulos ópticos AR.
  • Contáctenos: Muestras y consultas técnicas están disponibles. Soporte de servicio completo desde la validación del diseño hasta la producción en masa.
Productos de SiC de ZMSH
Obleas de SiC 4H-Semi
  1. 4" 4H-Semi Obleas de SiC de alta pureza Grado superior Semiconductor EPI Sustratos AR Vidrios Grado óptico
Obleas de SiC 4H-N
  1. Sustrato SiC de carburo de silicio 4H-N de 4 pulgadas, diámetro de 100mm, tipo N, espesor de grado simulado de primera calidad, 350um, personalizado
Otros tipos de muestras de SiC
Preguntas frecuentes sobre las obleas HPSI SiC

P1: ¿Por qué la oblea HPSI SiC es fundamental para las gafas AR?
R1: El alto índice de refracción de HPSI SiC Wafer (2,6 - 2,7) y la baja absorción óptica eliminan los efectos del arco iris en las pantallas AR al tiempo que permiten guías de ondas ultrafinas (por ejemplo, las lentes de 0,55 mm de Meta Orion).

P2: ¿En qué se diferencia HPSI SiC del vidrio tradicional en óptica AR?
R2: HPSI SiC ofrece el doble de índice de refracción que el vidrio (~2,0), lo que permite un campo de visión más amplio y guías de ondas de una sola capa, además de una conductividad térmica de 490 W/m·K para gestionar el calor de los Micro LED.

P3: ¿HPSI SiC es compatible con otros materiales semiconductores?
R3: Sí, se integra con GaN y silicio en sistemas híbridos, pero su estabilidad térmica y propiedades dieléctricas lo hacen superior para ópticas AR de alta potencia.

HPSI Hojas de SiC de alta pureza semi-aislantes de 2 " 3 " 4 " 6 " 8 " grado primario / ficticio / de investigación 2

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