Wafer de carburo de silicio monocristalino SiC de 12 pulgadas 300 mm 4H-N 6H-N para dispositivos de potencia y LED

Wafer de carburo de silicio de cristal único de 12 pulgadas de 300 mm 4H 6H SiC para dispositivos de energía y LED

Resumen del producto:

ZMSH proporciona obleas de carburo de silicio (SiC) de cristal único de 12 pulgadas (300 mm) de alta calidad, cultivadas utilizando el método de transporte de vapor físico (PVT).El carburo de silicio es un semiconductor de banda ancha con excelentes propiedades eléctricas y térmicas, incluyendo alta conductividad térmica, alto voltaje de ruptura, alta movilidad de electrones y alta velocidad de deriva saturada, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia avanzada, MOSFET de alto voltaje,Diodos de Schottky, IGBT y dispositivos optoelectrónicos basados en GaN.

Las obleas de SiC de 12 pulgadas de ZMSH están optimizadas para una baja densidad de dislocación del plano basal (BPD), lo que permite un rendimiento y una fiabilidad superiores del dispositivo.de alta temperatura, y aplicaciones de alta frecuencia tanto en entornos industriales como de investigación.

Características clave

Aplicaciones

1- Energía electrónica:

• MOSFETs SiC, diodos PiN, diodos Schottky (SBD), diodos JBS, IGBT y BJT SiC.

• Rectificadores de alto voltaje (3kV~12kV) y módulos de potencia de alta eficiencia.

• Permite sistemas electrónicos de potencia más pequeños, ligeros y eficientes en comparación con los dispositivos basados en silicio.

2. Dispositivos optoelectrónicos:

• LEDs y diodos láser basados en GaN.

• La excelente compatibilidad de la red con las capas epitaxiales de GaN garantiza una alta eficiencia de extracción de luz y una mayor vida útil del dispositivo.

• La conductividad térmica superior (10 × zafiro) permite una mejor disipación de calor en los LED de alta potencia.

3Investigación y dispositivos avanzados:

• Dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta temperatura.

• Material para estudios experimentales sobre reducción de la DBP, control de dislocación y dispositivos SiC de próxima generación.

Ventajas

1. Baja densidad de BPD:

   • El crecimiento de PVT optimizado, la unión de semillas y los procesos de enfriamiento reducen la densidad de dislocación del plano basal, mejorando la confiabilidad del dispositivo.

   • Los resultados experimentales muestran que las densidades de BPD pueden reducirse por debajo de 1000 cm−2 en obleas de gran diámetro.

2. Alta eficiencia térmica y eléctrica:

   • La alta conductividad térmica y las propiedades dieléctricas permiten una difusión eficiente del calor y un funcionamiento estable bajo alto voltaje.

   • La alta movilidad de los electrones y el amplio intervalo de banda aseguran una baja pérdida de energía y un rendimiento superior a altas temperaturas.

3. Tamaño de la oblea grande de 12 pulgadas:

   • Apoya módulos de energía de próxima generación y sustratos LED.

   • espesor, orientación y resistividad personalizables para requisitos específicos del dispositivo.

4. Superficies y pulido de alta calidad:

   • Opciones pulidas de un solo lado o de dos lados con una rugosidad superficial muy baja (Ra ≤ 5Å).

   • Minimiza los defectos y maximiza la uniformidad del crecimiento epitaxial.

5. Envases de las salas limpias:

   • Cada oblea envasada individualmente en un ambiente limpio de 100 grados para evitar la contaminación.

Compromiso de ZMSH

ZMSH se dedica a proporcionar obleas de SiC de 12 pulgadas de alto rendimiento con densidad de dislocación controlada y alta reproducibilidad.y la investigación de semiconductores de próxima generaciónApoyamos especificaciones personalizadas para satisfacer sus necesidades de aplicación industrial o de investigación.

Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuál es la densidad típica de dislocación del plano basal (BPD) de las obleas de SiC de 12 pulgadas ZMSH?
R1: Nuestras obleas 4H-SiC y 6H-SiC de 12 pulgadas se cultivan utilizando procesos PVT optimizados con tasas de enfriamiento controladas, unión de semillas y selección de crisol de grafito.Esto asegura que la densidad de BPD puede reducirse por debajo de 1000 cm−2, lo que mejora significativamente la fiabilidad del dispositivo en aplicaciones de alta potencia y alto voltaje.

P2: ¿Se puede personalizar el grosor, la orientación o la resistividad de la oblea?
R2: Sí. ZMSH admite especificaciones de obleas totalmente personalizables, incluido el espesor (0,35 ∼1,0 mm), la orientación fuera del eje (<0001 ∼4 ° u otros ángulos) y la resistividad (tipo N 0,015 ∼0,0 mm).028 Ω·cm o semi-aislantes > 1 × 105 Ω·cm)Esta flexibilidad permite que las obleas satisfagan los requisitos específicos de los dispositivos de potencia, los LED o la investigación experimental.

P3: ¿Cómo benefician las obleas ZMSH de SiC de 12 pulgadas las aplicaciones de LED y diodo láser basadas en GaN?
A3: Los sustratos de SiC proporcionan una excelente compatibilidad de la red y la compatibilidad térmica con las capas epitaxiales de GaN. En comparación con el zafiro, el SiC ofrece una mayor conductividad térmica,capacidad de conducción del sustrato para estructuras de dispositivos verticales, y sin capa de difusión de corriente, lo que resulta en una mayor eficiencia de extracción de luz, una mejor disipación de calor y una mayor vida útil del dispositivo.