Wafer de carburo de silicio monocristalino SiC de 12 pulgadas 300 mm 4H 6H para dispositivos de potencia y LED

Descripción general del producto:

ZMSH proporciona obleas de carburo de silicio (SiC) monocristalino de 12 pulgadas (300 mm) de alta calidad, cultivadas utilizando el método de transporte de vapor físico (PVT). El carburo de silicio es un semiconductor de banda prohibida ancha con excelentes propiedades eléctricas y térmicas, que incluyen alta conductividad térmica, alto voltaje de ruptura, alta movilidad de electrones y alta velocidad de deriva saturada, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia avanzada, MOSFET de alto voltaje, diodos Schottky, IGBT y dispositivos optoelectrónicos basados ​​en GaN.

Las obleas de SiC de 12 pulgadas de ZMSH están optimizadas para una baja densidad de dislocación del plano basal (BPD), lo que permite un rendimiento y una fiabilidad superiores del dispositivo. Nuestras obleas se utilizan ampliamente en aplicaciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia tanto en entornos industriales como de investigación.

Características principales

Aplicaciones

1. Electrónica de potencia:

• MOSFET de SiC, diodos PiN, diodos Schottky (SBD), diodos JBS, IGBT y BJT de SiC.

• Rectificadores de alto voltaje (3kV–12kV) y módulos de potencia de alta eficiencia.

• Permite sistemas electrónicos de potencia más pequeños, ligeros y eficientes en comparación con los dispositivos basados ​​en silicio.

2. Dispositivos optoelectrónicos:

• LED y diodos láser basados ​​en GaN.

• La excelente adaptación de la red con las capas epitaxiales de GaN garantiza una alta eficiencia de extracción de luz y una mayor vida útil del dispositivo.

• La conductividad térmica superior (10× zafiro) permite una mejor disipación del calor en los LED de alta potencia.

3. Investigación y dispositivos avanzados:

• Dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta temperatura.

• Material para estudios experimentales sobre la reducción de BPD, el control de la dislocación y los dispositivos SiC de próxima generación.

Ventajas

1. Baja densidad de BPD:

   • El crecimiento PVT optimizado, la unión de semillas y los procesos de enfriamiento reducen la densidad de dislocación del plano basal, mejorando la fiabilidad del dispositivo.

   • Los resultados experimentales muestran que las densidades de BPD se pueden reducir por debajo de 1000 cm⁻² en obleas de gran diámetro.

2. Alto rendimiento térmico y eléctrico:

   • La alta conductividad térmica y las propiedades dieléctricas permiten una dispersión eficiente del calor y un funcionamiento estable bajo alto voltaje.

   • La alta movilidad de electrones y la amplia banda prohibida garantizan una baja pérdida de energía y un rendimiento superior a alta temperatura.

3. Tamaño de oblea grande de 12 pulgadas:

   • Admite módulos de potencia y sustratos LED de próxima generación.

   • Grosor, orientación y resistividad personalizables para requisitos específicos del dispositivo.

4. Superficie y pulido de alta calidad:

   • Opciones pulidas de una o dos caras con rugosidad superficial ultrabaja (Ra ≤ 5Å).

   • Minimiza los defectos y maximiza la uniformidad del crecimiento epitaxial.

5. Embalaje en sala blanca:

   • Cada oblea se envasa individualmente en un entorno limpio de grado 100 para evitar la contaminación.

Compromiso de ZMSH

ZMSH se dedica a proporcionar obleas de SiC de 12 pulgadas de alto rendimiento con densidad de dislocación controlada y alta reproducibilidad. Nuestras obleas son ideales para electrónica de potencia, optoelectrónica e investigación de semiconductores de próxima generación. Apoyamos especificaciones personalizadas para satisfacer las necesidades de su aplicación industrial o de investigación.

Preguntas frecuentes

P1: ¿Cuál es la densidad típica de dislocación del plano basal (BPD) de las obleas de SiC de 12 pulgadas de ZMSH?
A1: Nuestras obleas de 4H-SiC y 6H-SiC de 12 pulgadas se cultivan utilizando procesos PVT optimizados con velocidades de enfriamiento controladas, unión de semillas y selección de crisol de grafito. Esto asegura que la densidad de BPD se pueda reducir por debajo de 1000 cm⁻², lo que mejora significativamente la fiabilidad del dispositivo en aplicaciones de alta potencia y alto voltaje.

P2: ¿Se puede personalizar el grosor, la orientación o la resistividad de la oblea?
A2: Sí. ZMSH admite especificaciones de oblea totalmente personalizables, incluido el grosor (0,35–1,0 mm), la orientación fuera de eje (<0001> 4° u otros ángulos) y la resistividad (tipo N 0,015–0,028 Ω·cm o semi-aislante >1×10⁵ Ω·cm). Esta flexibilidad permite que las obleas cumplan con los requisitos específicos de los dispositivos de potencia, LED o investigación experimental.

P3: ¿Cómo benefician las obleas de SiC de 12 pulgadas de ZMSH a las aplicaciones de diodos LED y láser basados ​​en GaN?
A3: Los sustratos de SiC proporcionan una excelente adaptación de la red y compatibilidad térmica con las capas epitaxiales de GaN. En comparación con el zafiro, el SiC ofrece una mayor conductividad térmica, capacidad de sustrato conductor para estructuras de dispositivos verticales y sin capa de difusión de corriente, lo que resulta en una mayor eficiencia de extracción de luz, una mejor disipación del calor y una mayor vida útil del dispositivo.

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