Figura 1. Oblea de semiconductores 3C-SiC de alta pureza

Construido para un rendimiento extremo:
Nuestros sustratos N-tipo 3C-SiC están meticulosamente diseñados para la próxima generacióncomponentes de potencia de alta frecuenciayInversores eléctricos para vehículosSuperan drásticamente al silicio tradicional al ofrecer una extraordinaria estabilidad térmica (hasta 1.600°C) y una conductividad térmica superior (49 W/m·K).Fabricado de acuerdo con estrictas normas internacionales de grado aeroespacial, estas obleas garantizan una fiabilidad inquebrantable en los entornos operativos más exigentes.

• Formatos estándar:Disponible en diámetros de 2", 4", 6" y 8".
• Geometría a medida:El tamaño personalizado comienza desde micro-dimensiones de 5 × 5 mm hasta diseños específicos del cliente.

• Las densidades de microvoides se mantienen estrictamente por debajo de0.1 cm−2.
• El control excepcional de la resistividad (≤ 0,0006 Ω·cm) garantiza el rendimiento y la fiabilidad máximos del dispositivo.

• Optimizado para pasos de fabricación intensos como la oxidación a alta temperatura y la litografía avanzada.
• La superficie superior es plana y se alcanza aλ/10 @ 632,8 nm.

Con una notable movilidad electrónica de1,100 cm2/V·s, nuestro 3C-SiC eclipsa significativamente el estándar 4H-SiC (900 cm2/V·s), lo que se traduce en pérdidas de conducción mínimas..

con un valor de conductividad térmica de49 W/m·KEl sistema de control de temperatura de los dispositivos, que supera sin esfuerzo al silicio convencional, permite que los dispositivos funcionen de forma segura en los espectros de temperaturas extremas, desde los ambientes criogénicos de -200°C hasta los ambientes de 1.600°C.

Muy resistente a ácidos agresivos, álcalis fuertes y intensa radiación ionizante, por lo que es el material de elección para infraestructura nuclear y módulos aeroespaciales del espacio profundo.

P1: ¿Qué es exactamente un sustrato 3C-SiC?

R: 3C-SiC se refiere al carburo de silicio cúbico. Es un material semiconductor altamente especializado caracterizado por una estructura cristalina cúbica. Proporciona una movilidad de electrones fenomenal (1,La conductividad térmica de las baterías es de 100 cm2/V·s) y de 49 W/m·K., lo que lo convierte en la opción principal para circuitos de temperatura extrema y alta frecuencia.

P2: ¿Qué industrias utilizan principalmente la tecnología 3C-SiC?

R: Debido a su baja pérdida de señal y dureza radiactiva, el 3C-SiC se utiliza ampliamente en la fabricaciónModulos de comunicación 5G de RF, de alta eficienciaInversores para vehículos eléctricos, y electrónica resistente paraaplicaciones aeroespaciales y por satélite.