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Substratos de 3C-SiC de primera calidad: obleas de grado de producción tipo N para 5G y electrónica de potencia

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	3C-N SIC
MOQ:	10 piezas
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	en 30 días
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Porcelana

Certificación:

rohs

Tamaño:

2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 5 × 5,10 × 10

Constante dieléctrica:

9.7

Dureza superficial:

HV0.3> 2500

Densidad:

3.21 g/cm3

Coeficiente de expansión térmica:

4.5 x 10-6/k

Voltaje de ruptura:

5.5 mv/cm

Aplicaciones:

Comunicaciones, sistemas de radar

Detalles de empaquetado:

caja de plástico personalizada

Capacidad de la fuente:

1000pc/mes

Descripción de producto

Sustratos Premium 3C-SiC: Obleas de Grado de Producción Tipo N para Electrónica de Potencia y 5G

Pioneras Soluciones de Semiconductores de Tercera Generación

Fig 1. Oblea Semiconductora de 3C-SiC de Alta Pureza

Con más de una década de experiencia dedicada,ZMSH se encuentra a la vanguardia de la I+D de materiales avanzados. Entregamos sustratos semiconductores altamente personalizados, incluyendo obleas de SiC, Silicio, Zafiro y SOI. Nuestra cartera de carburo de silicio cubre de manera integral los politipos 4H, 6H y 3C, ofreciendo cadenas de suministro escalables desde muestras de investigación de 2 pulgadas hasta obleas de producción masiva de 12 pulgadas.

Diseñados para un Rendimiento Extremo:
Nuestros sustratos de 3C-SiC tipo N están meticulosamente diseñados para componentes de potencia de alta frecuencia de próxima generación y para inversores de vehículos eléctricos de automoción. Superan drásticamente al silicio tradicional al ofrecer una estabilidad térmica extraordinaria (hasta 1600 °C) y una conductividad térmica superior (49 W/m·K). Fabricadas según rigurosos estándares internacionales de grado aeroespacial, estas obleas garantizan una fiabilidad inquebrantable en los entornos operativos más exigentes.Características Principales del Sustrato1. Escalabilidad Dimensional Versátil:Formatos Estándar: Disponibles en diámetros de 2", 4", 6" y 8".

Geometría a Medida:

El tamaño personalizado comienza desde 5×5 mm hasta diseños específicos del cliente.

2. Arquitectura de Defectos Ultra Baja:Las densidades de microvacíos se mantienen estrictamente por debajo de 0.1 cm-2.
El control excepcional de la resistividad garantiza el máximo rendimiento y fiabilidad del dispositivo.3. Compatibilidad de Procesos sin Fisuras:

Optimizados para pasos de fabricación intensos como la oxidación a alta temperatura y la litografía.

Se logra una planitud de superficie superior en λ/10 @632.8 nm.Especificaciones Técnicas Detalladas^3C-N350 µm ± 25 µm
Grado de Producción Estándar (Grado P)

Grado Dummy (Grado D)

Diámetro
145.5 mm – 150.0 mmEspesor350 µm ± 25 µm

Orientación de la Oblea

Fuera de eje: 2.0°–4.0° hacia [1120] ± 0.5° para 4H/6H-P, En eje: ± 0.5° para 3C-N	** Densidad de Microporos	0 cm-2	** Resistividad
tipo p 4H/6H-P	≤ 0.1 Ω·cm
≤ 0.3 Ω·cm	tipo n 3C-N
≤ 0.8 mΩ·cm	≤ 1 mΩ·cm<111>Orientación de la Ranura Principal
4H/6H-P	{1010} ± 5.0°^3C-N
{110} ± 5.0°	Longitud de la Ranura Principal	32.5 mm ± 2.0 mm		Longitud de la Ranura Secundaria
{110} ± 5.0°	18.0 mm ± 2.0 mm	Orientación de la Ranura Secundaria		Cara de silicio hacia arriba, 90° CW. desde la ranura principal ± 5.0°
Exclusión de Borde	3 mm	6 mm
Exclusión de Borde	LTV / TIV / Alabeo / Deformación	≤ 2.5 µm / ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 30 µm
≤ 10 µm / ≤ 15 µm / ≤ 25 µm / ≤ 40 µm	* Rugosidad
Pulido	Ra ≤ 1 nm
CMP	Ra ≤ 0.2 nm
Ra ≤ 0.5 nm	GRIETAS DE BORDE POR LUZ DE ALTA INTENSIDAD		Ninguna
Longitud acumulada ≤ 10 mm, individual ≤ 2 mm	* PLACAS HEXAGONALES POR LUZ DE ALTA INTENSIDAD		Área acumulada ≤ 0.05%
Área acumulada ≤ 0.1%	* ÁREAS DE POLIPOOR LUZ DE ALTA INTENSIDAD	Ninguna
Área acumulada ≤ 0.1%	Área acumulada ≤ 3%	Inclusiones de Carbono Visuales		Ninguna
Área acumulada ≤ 0.05%	Etiquetas de Búsqueda:		Ninguna
Longitud acumulada ≤ 1 × diámetro de oblea	Escenarios de Aplicación Primaria		No permitidas ≥ 0.2 mm de ancho y profundidad
5 permitidas, ≤ 1 mm cada una	Etiquetas de Búsqueda:		Ninguna
Embalaje	Etiquetas de Búsqueda:		Escenarios de Aplicación Primaria
1. Comunicaciones RF de Alta Frecuencia y 5G	Etiquetas de Búsqueda:		2. Movilidad Eléctrica (VE)
Revoluciona los Cargadores a Bordo (OBC) al reducir las pérdidas de energía en un 40% en arquitecturas de 800V. Mejora los Convertidores DC/DC para reducir el desperdicio de energía hasta en un 90%, aumentando significativamente la autonomía del vehículo.	Preguntas Frecuentes sobre Sustratos 3C-SiC		P1: ¿Qué es exactamente un sustrato 3C-SiC?
R: 3C-SiC se refiere a carburo de silicio cúbico. Es un material semiconductor altamente especializado caracterizado por una estructura cristalina cúbica. Ofrece una movilidad electrónica fenomenal (1.100 cm2/V·s) y una robusta conductividad térmica (49 W/m·K).	Etiquetas de Búsqueda:
#SustratoCarburoDeSilicio #3C_N_Type_SIC #MaterialesSemiconductores #Sustrato3C_SiC #GradoProduccion #Comunicaciones5G #InversoresVE

Etiquetas:

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