4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia

El wafer pequeño de 10*10 mm de SiC tipo 4H-N es un substrato de semiconductor de alto rendimiento basado en carburo de silicio (SiC), un material semiconductor de tercera generación. Fabricado mediante transporte de vapor físico (PVT) o deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD), está disponible en politipos 4H-SiC o 6H-SiC y configuraciones de dopaje tipo N o tipo P. Con tolerancias dimensionales dentro de ±0,05 mm y rugosidad superficial Ra < 0,5 nm, cada wafer está listo para epitaxia y se somete a una rigurosa inspección, incluida la validación de la cristalinidad XRD y el análisis de defectos por microscopía óptica.

• Alta conductividad térmica: 490 W/m·K, tres veces la del silicio, lo que permite una disipación de calor eficiente.
• Resistencia dieléctrica: 2,4 MV/cm, que admite un funcionamiento de alto voltaje y alta frecuencia.
• Estabilidad a alta temperatura: Operativo hasta 600°C con baja expansión térmica (4,0*10⁻⁶/K).
• Durabilidad mecánica: Dureza Vickers 28–32 GPa, resistencia a la flexión >400 MPa.
• Soporte de personalización: Orientación, grosor, dopaje y geometría ajustables.

• Inversores de potencia para vehículos eléctricos (ganancia de eficiencia del 3–5%)
• Amplificadores de potencia de RF 5G (bandas de 24–39 GHz)
• Convertidores HVDC de red inteligente y accionamientos de motores industriales
• Sensores aeroespaciales y sistemas de energía satelital
• LED UV y diodos láser

1. Substrato 4H-N SiC, 5*5 mm, 350 μm (Grado Prime/Dummy)
2. Wafers de SiC de forma personalizada con metalización en la parte posterior

P: ¿Cuáles son las aplicaciones típicas de los wafers de SiC de 10*10 mm?

R: Ideal para prototipos de dispositivos de potencia (MOSFET/diodos), componentes de RF y optoelectrónica de alta temperatura.

P: ¿Cómo se compara el SiC con el silicio?

R: El SiC ofrece 10* mayor voltaje de ruptura, 3* mejor conductividad térmica y un rendimiento superior a alta temperatura.

1. Cadena de producción completa desde el corte hasta la limpieza y el embalaje final.
2. Capacidad para recuperar wafers con diámetros de 4 a 12 pulgadas.
3. 20 años de experiencia en la fabricación y recuperación de materiales electrónicos monocristalinos

ZMSH Technology puede proporcionar a los clientes substratos de SiC conductivos, semi-aislantes de 2 a 6 pulgadas y HPSI (semi-aislantes de alta pureza) de alta calidad, tanto importados como nacionales, en lotes; Además, puede proporcionar a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas, y también se puede personalizar de acuerdo con las necesidades específicas de los clientes, sin cantidad mínima de pedido.

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