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2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: SiC de semillas de cristal

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada

Tiempo de entrega: en 30days

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000pc/month

Consiga el mejor precio
Resaltar:

SiC carburo de silicio cristal de semilla de sustrato

,

8 pulgadas de SiC de sustrato

Polytype:
4 horas
Diámetro:
con una anchura superior a 20 mm
El grosor:
600 ± 50 μm
Error de orientación de la superficie:
4° hacia <11-20> ± 0,5°
Resistencia:
No incluido
En el plano:
No hay
Embalaje:
Las demás máquinas y aparatos para la fabricación de discos
Polytype:
4 horas
Diámetro:
con una anchura superior a 20 mm
El grosor:
600 ± 50 μm
Error de orientación de la superficie:
4° hacia <11-20> ± 0,5°
Resistencia:
No incluido
En el plano:
No hay
Embalaje:
Las demás máquinas y aparatos para la fabricación de discos
2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado

Descripción del producto:

 

2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza grado P grado R grado D grado

 

El carburo de silicio (SiC), comúnmente conocido como carburo de silicio, es un compuesto formado por la combinación de silicio y carbono.que se utiliza ampliamente en materiales semiconductoresEl carburo de silicio es el segundo después del diamante en dureza, lo que lo convierte en una excelente herramienta de abrasivo y corte.La buena conductividad térmica lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura como LED y electrónica de potencia. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis.Debido a sus propiedades superioresLos cristales de semilla de carburo de silicio se han convertido en un material indispensable en la industria y la tecnología modernas.

 

 

2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado 02/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado 1

 


 

Características:

 

  • Alta dureza:El carburo de silicio es el segundo después del diamante en dureza, lo que lo convierte en un excelente abrasivo y herramienta de corte.
  • Alta conductividad térmica:La buena conductividad térmica lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura como LED y electrónica de potencia.
  • Resistencia a la corrosión:Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. 
  • Estabilidad a altas temperaturas:Todavía puede mantener buenas propiedades físicas y químicas en un entorno de alta temperatura.
  • Bajo coeficiente de expansión térmica:hace que sea menos susceptible a la deformación cuando cambia la temperatura, por lo que es adecuado para aplicaciones de precisión.

 

2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado 2

 


 

Parámetro técnico

 

2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado 3

 


 

Aplicaciones:

 
1Electrónica: ampliamente utilizada en la fabricación de dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia, como MOSFET y diodos.

2. Abrasivos y herramientas de corte: Se utilizan para fabricar papel de lija, piedras de molienda y herramientas de corte.

3Materiales cerámicos: utilizados para producir piezas cerámicas resistentes al desgaste y a altas temperaturas.

4Dispositivos optoelectrónicos: Excelente rendimiento en aplicaciones optoelectrónicas como LED y láseres.

5Materiales de gestión térmica: utilizados en disipadores de calor y materiales de interfaz térmica para mejorar el rendimiento de disipación de calor de los dispositivos electrónicos.
 

2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado 4

 


Personalización:

Nuestro sustrato de semilla de cristal de SiC es certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 2/4/6/8 pulgadas.


2/4/6/8 pulgadas Sic Substrato de semillas de cristal de carburo de silicio 4H-N Tipo Alta dureza P grado R grado D grado 5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


 

Preguntas frecuentes:

 

1.P: ¿Cómo se prepara el cristal de semilla de carburo de silicio tipo 4H?

R: La preparación de cristales de semilla de carburo de silicio tipo 4H suele implicar un proceso complejo, que incluye la selección de materias primas adecuadas, una purificación fina, el control de las condiciones de crecimiento,etc.Los métodos de preparación comunes incluyen el método de transferencia de vapor físico (PVT).La calidad cristalina y la orientación cristalina del cristal de semilla cumplen requisitos específicos..

 

 

2P: ¿Cuál es la diferencia entre las semillas de carburo de silicio tipo 4H y 6H?

R: Existen diferencias en la estructura cristalina entre los tipos 4H y 6H de cristales de semilla SIC, lo que conduce a diferencias en sus propiedades físicas y químicas.Los cristales de semilla de tipo 4H SIC suelen tener una mayor movilidad de electrones y un ancho de banda más amplioLa semilla SIC tipo 6H puede mostrar ventajas únicas en algunas aplicaciones específicas, como el campo óptico.

 

 

Etiqueta: #Sic Crystal Seed Substrate, # 4H-N Tipo, oblea de carburo de silicio.

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