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Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción

Name: Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: 3C-N SiC

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada

Tiempo de entrega: en 30days

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000pc/month

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrato de carburo de silicio de 4', Substrato de carburo de silicio de tipo conductor, Substrato de carburo de silicio 3C-N
                              

Tamaño:	4inch	Constante dieléctrica:	9,7
Dureza de la superficie:	HV0.3>2500	Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K	Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm
Aplicaciones:	Comunicaciones, sistemas de radar

Tamaño:	4inch
Constante dieléctrica:	9,7
Dureza de la superficie:	HV0.3>2500
Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K
Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm
Aplicaciones:	Comunicaciones, sistemas de radar

Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción

Descripción del producto:

Substrato de carburo de silicio 4" Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción

3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de banda ancha con buenas propiedades eléctricas y térmicas, especialmente adecuado para alta frecuencia,aplicaciones de alta potencia y dispositivos electrónicosEl dopaje de tipo N se logra generalmente mediante la introducción de elementos tales como nitrógeno (N) y fósforo (P), lo que hace que el material sea electronegativo y adecuado para una variedad de diseños de dispositivos electrónicos.La distancia entre bandas es de aproximadamente 3El dopaje de tipo N mantiene una alta movilidad de electrones, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.La excelente conductividad térmica ayuda a mejorar la capacidad de disipación de calor de los dispositivos eléctricosTiene una buena resistencia mecánica y es adecuado para su uso en ambientes hostiles. Tiene una buena resistencia a una amplia gama de productos químicos y es adecuado para aplicaciones industriales.se utiliza en convertidores y accionadores de potencia de alta eficiencia, adecuado para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Características:

· Largo intervalo de banda: Intervalo de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.

· Alta movilidad de los electrones: el dopaje de tipo N proporciona una buena movilidad de los electrones y mejora el rendimiento general del dispositivo.

· Excelente conductividad térmica: tiene una excelente conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.

· Buena resistencia mecánica: tiene una alta dureza y resistencia a la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.

· Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de productos químicos, mejorando la estabilidad del material.

· Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de aplicaciones.

Parámetros técnicos:

Substrato de carburo de silicio 4' Sic 3C-N Diámetro 100 mm Conductivo Tipo Cero MPD grado de producción 4

Aplicaciones:

1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia, inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y radar.

3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento confiable.

5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para mejorar la eficiencia y el rendimiento.

6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de automatización y control industriales para mejorar la eficiencia energética y la estabilidad del sistema.

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 2 pulgadas.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

Tags:

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso

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Parámetros técnicos:

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2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

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P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.El flete está de acuerdo con la liquidación real.

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P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
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